Després de graduar-se en física i en química de materials al Trevelyan College, Universitat de Durham, es va doctorar en física a la mateixa universitat l'any 1992, amb tesi "The characterisation of CdTe-based epitaxial solar cell structures fabricated by MOVPE". Després d'una estada a la Universitat de Cambridge, es traslladà a Austràlia l'any 1999. Actualment és professora titular Scientia en Física Quàntica a la Facultat de Ciències de la Universitat de Nova Gal·les del Sud (UNSW), a Sydney, exercint també com a CEO i fundadora de Sillicon Quantum Computing, la primera companyia de computació quàntica d'Austràlia, des del 2017, i de Directora del Centre d'Excel·lència per la Computació Quàntica i la Tecnologia de la Comunicació des del 2010.

La seva trajectòria com a investigadora ha estat molt exitosa, essent pionera en el desenvolupament de tecnologies per construir dispositius electrònics en silici a escala atòmica, incloent

el transistor més petit del món, els fils conductors més prims mai fabricats, electrònica atòmica en 3D i la primera porta de dos qubits fent servir qubits basats en els àtoms en silici. En total, acumula 420 publicacions, un total de 10.000 citacions, 44 patents i ha participat com a convidada a 250 xerrades.

L'objectiu final de la seva recerca consisteix a desenvolupar un processador quàntic escalable basat en sofre sobre silici, col·locant dopants de sofre sobre un dispositiu de silici amb precisió atòmica,

amb el propòsit de desenvolupar tots els elements funcionals d'un ordinador quàntic escalable basat en l'spin amb capacitat de correcció d'errors.

Entre les distincions que ha rebut destaquen el premi Australiana de l'Any (2018), el premi L'Oréal-UNESCO en Física (2017), el Premi Feynman en Nanotecnologia Experimental (2015), a més d'haver rebut en dues ocasions l'Australian Research Council

Federation Fellowship. A més, és membre de la Royal Society de Londres, la American Academy of Arts and Science, la American Association of the Advancement of Science, el UK Institute of Physics (IOP), la Australian Academy of Technology and Engineering i la

Australian Academy of Science.

Michelle Y. Simmons és un exemple no només d'excel·lència científica, sinó també de lideratge en l'àmbit empresarial i docent/investigador.

Un cop graduada va decidir cursar un doctorat, en 2011, en Física de la Matèria Condensada a Oxford, on la seva fascinació pels nanocristalls semiconductors i les tecnologies d'energia renovable va fer que es centrés en l'estudi de les plaques solars híbrides.

Després del doctorat va fer una beca postdoctoral, en 2017, de Ciència de Materials en el Centre de Materials Complexos en Princeton ("The Princeton Center for Complex Materials (PCCM)").

A principis del 2021, va rebre la beca EPSRC i va regresar a Oxford per establir un grup d'investigació centrat en la formació de defectes en semiconductors particulars i estudiar els processos de cristalització en una pel·lícula prima, concretament en perovskitas d'halur formades a partir de tintes precursores, per aconseguir un millor rendiment dels dispositius optoelectrònics, com són les plaques solars i els díodes emisors de llum.

Ross és coneguda al mon de la electrònica física per les seves contribucions al desenvolupament de tècniques avançades per a la fabricació i caracterització de nanoestructures, com ara nanotubs de carboni i nanohilos. La seva recerca ha estat fonamental per a la comprensió del comportament de materials a escala nanomètrica i per al desenvolupament de tecnologies emergents en àrees com la nanoelectrònica i la nanotecnologia.

A més de la seva excel·lència en la recerca, Ross també ha estat una líder reconeguda en el seu camp, mentorant i sobretot inspirant dones per iniciar-se a la física. Ha rebut nombrosos reconeixements i premis per la seva contribució a la ciència, i el seu treball continua influenciant i inspirant la pròxima generació de investigadors en el camp de la física de materials i la nanotecnologia.

Després de retirar-se de la seva plaça de professora al desembre de 1998 ha estat una prominent activista pels drets dels transsexuals. El 2002 Conway es va casar amb l'home amb qui vivia des de 1988 i amb qui resideix a Ann Arbor, Michigan. Avui en dia, Lynn Conway és professora de la Universitat de Michigan y és membre de la acadèmia nacional d'enginyeria dels Estats Units.

Hem escollit parlar de l'obra d'aquesta dona no només per la rellevància de la seva feina en el món de l'electrònica, sinó també pel context personal i social amb què es va trobar a l'hora de desenvolupar la seva carrera com a científica.

Kristina M. Johnson és reconeguda per les seves contribucions a l'enginyeria, especialment en sistemes de processament optoelectrònic, imatges 3D i sistemes de gestió del color. Després de completar la seva beca postdoctoral, va unir-se a la Universitat de Colorado Boulder el 1985 com a professora assistent d'enginyeria elèctrica i informàtica. Allà, va cofundar el Centre d'Investigació en Enginyeria de la NSF per a Sistemes de Computació Optoelectrònics.

El seu treball va conduir a la creació de diverses empreses, incloent ColorLink, Inc., que més endavant va ser venuda a RealD, un actor clau en el ressorgiment de la indústria del cinema 3D. A més, va cofundar el Centre d'Excel·lència en Optoelectrònica de l'Institut de Tecnologia Avançada de Colorado.

El 1999, Johnson es va convertir en la degana de l'Escola d'Enginyeria de la Universitat de Duke. Les seves contribucions acadèmiques van continuar amb la seva elecció a l'Acadèmia Nacional d'Enginyeria el 2016, reconeixent el seu desenvolupament i desplegament de tecnologies de pantalla de cristall líquid en silici, fonamentals per a la imatge 3D optoelectrònica d'alta velocitat.

Aquí us deixem un link a una entrevista seva molt interesant!!! Esperem que us agradi molt: https://www.wosu.org/show/all-sides-with-ann-fisher/2023-05-11/kristina-johnson-reflects-on-her-tenure-as-ohio-states-president

🤬

Encara que el context no li afavoria, els seus pares van donar-li suport i van incentivar la seva educació, així com el seu interès per la ciència.

En 1964 és admesa en el MIT, sent de les poques persones afroamericanes, i l’única estudiant de Física Teòrica. Es gradua en 1968 en Física i Ciència dels materials. En 1973, rep el seu doctorat en física nuclear, sent la segona dona afroamericana en aconseguir un doctorat en física en els Estats Units.

Shirley va treballar com a investigadora en física de partícules en centres com el CERN i el SLAC. Després, va ser contractada per Bell Labs, on s’orienta de nou en la física de la matèria condensada. Allà estudia les ones de densitat de càrrega i el comportament dels electrons en materials sòlids, coneixements fonamentals per al desenvolupament de semiconductors i posteriors invents com el fax portàtil, els cables de fibra òptica i la tecnologia darrere l'identificador de trucades.

A banda de la seva trajectòria acadèmica, Shirley ha tingut un impacte profund com a líder en institucions científiques i polítiques, sent presidenta de la Comissió Reguladora Nuclear dels Estats Units i, posteriorment, del Rensselaer Polytechnic Institute. En 2016, va rebre la Medalla Nacional de la Ciència.

En tots els àmbits on ha desenvolupat la seva feina, Shirley Ann Jackson ha trencat barreres i ha obert camí per a les dones i les persones racialitzades en la ciència i la tecnologia.

Va iniciar la seva trajectòria acadèmica allunyada de les ciències, graduant-se en Història i Filosofia a la Universitat de Wellesley. Tot i això, Hoover va reorientar la seva carrera obtenint un doctorat en Filosofia i Matemàtiques a Yale. Després d’un breu període com a professora, va començar a treballar a Bell Telephone Laboratories, també coneguda com a Bell Labs, una de les principals companyies mundials dedicades a la investigació en telecomunicacions i electrònica.

L’empresa es trobava en un moment de transició entre els sistemes de commutació telefònica purament electromecànics cap als electrònics. En aquest context, Hoover va dissenyar un sistema de control informàtic per gestionar la sobrecàrrega de trucades a les centrals telefòniques, evitant el col·lapse del sistema. Amb l’ús d’un algoritme que donava prioritat a processos crítics, aquest sistema va fer possible una gestió dinàmica i eficient del trànsit telefònic, establint les bases del sistema de commutació electrònica.

Aquest invent rep el nom de “Number One Electronic Switching System”, 1ESS (figura d’avall), suposa una revolució en les comunicacions, en introduir-hi tècniques de computació, circuits de transistors i programes de control emmagatzemats en memòria. D’aquesta manera, estableix les bases perquè avui puguem enviar i rebre milions de correus electrònics cada dia.

La seva invenció va ser patentada el 1971 i es considera una de les primeres patents de la història relacionades amb software. En 1987, va ser la primera dona a liderar un departament tècnic a Bell Labs, aprofundint en mètodes d’intel·ligència artificial i desenvolupant bases de dades com a suport a les grans xarxes de telefonia.

A banda de la seva trajectòria laboral, Hoover també destaca pel seu activisme en defensa de l’educació pública i la igualtat de gènere en les carreres científiques, formant part dels òrgans directius d’universitats com la de Trenton i la de Nueva Jeresey.  

Hem volgut explicar la historia de l’Erna Schneider Hoover no només per la rellevància del seu llegat, que encara avui té repercussions en la nostra vida quotidiana, sinó també per ser pionera en el món científic, trencant barreres de gènere en una època en què poques dones ocupaven llocs de lideratge tecnològic.

Després d’obtenir el seu doctorat a la Universitat de Califòrnia, Santa Bàrbara, on va treballar en transistors verticals de GaN per a aplicacions de conversió de potència, va passar un temps a l’empresa Transphorm abans d’incorporar-se a la Universitat de Stanford. Allà, el seu equip investiga la integració de materials com el diamant i el carbur de silici (SiC) per millorar la gestió tèrmica i el rendiment dels dispositius electrònics de potència.

Ha estat reconeguda per les seves contribucions amb diversos premis i distincions, incloent-hi el títol de IEEE Fellow. Té una extensa producció científica, amb més de 120 articles publicats i 26 patents, i també exerceix com a directora científica en projectes federals per a la creació de xarxes elèctriques més intel·ligents i resilients.

La seva pàgina web és: https://profiles.stanford.edu/srabanti-chowdhury

Va estudiar enginyeria elèctrica a la Universitat d’Stanford i es va unir a l’equip de recerca de Palo Alto Research Center (PARC). Allí va ser distingida pel seu treball en la investigació en transistors de pel·lícula fina cristal·lina. Posteriorment, al 1996 es va unir a Berkeley com a membre de la facultat del departament d’enginyeria elèctrica i informàtica. Les seves contribucions abasten moltes àrees de recerca, però d’entre els seus nombrosos mèrits podem destacar el desenvolupament de tecnologies de pel·lícula fina policristal·lina silici-germani (degut a les seves aplicacions als circuits integrats i microsistemes) i també la co-invenció del transistor FinFET de tres dimensions (que és el disseny emprat en els xips microprocessadors actuals).

Liu va ser elegida per a la National Academy of Engineering al 2017 per les seves aportacions del transistor FinFET i les seves aplicacions a la tecnologia del CMOS.

Abans d’assumir el seu rol com a degana va adquirir posicions com la de directora del Marvell Nanofabriacation Laboratory de la facultat (2008-2012) i va participar en l’Electrical Engineering Division (2012-2014). Prèviament també havia sigut directora sènior d’enginyeria a l’Advanced Technology Group of Synopsys. A més a més, té participació al consell d’administració d’Intel (2026-actualitat).

És molt important destacar que Liu ha sigut la primera dona degana de l’escola d’enginyeria de Berkeley. Dins el seu rol de degana, la científica ha parlat obertament del compromís d’incrementar la diversitat i inclusió i sobretot el respecte per les dones i les minories menys representades dins l’enginyeria.

L’any passat va rebre el IEEE Founders Medal i també el mateix any va ser nominada com a presidenta de la National Academy of Engineering de la qual ja era membre. És autora de més de 500 articles i té més de 90 patents.

Podem resumir les seves contribucions més importants en l’àmbit de l’electrònica en les següents:

· Inventora del transistor FinFET: és un tipus de transistor tridimensional que redueix les fuites de corrent i millora el rendiment. Ha permès substituir transistors plans tradicionals en la fabricació de microxips més avançats usats en processadors coneguts.

· En l’àmbit de la nanotecnologia de semiconductors és pionera en la investigació de dispositius a aquesta escala, millorant així l’eficiència energètica i la velocitat de resposta dels circuits integrats.

· A més a més, ha treballat en dispositius electrònics per aplicacions biomèdiques i en materials per fer l’electrònica més lleugera i adaptable.

Manijeh Razeghi va obtenir el títol de llicenciada per la Universitat de Teheran. Però el seu interès per la recerca i el desenvolupament de dispositius electrònics la va dur a França, on va prosseguir els seus estudis a la Université de Paris. Allà va obtenir un doctorat en ciència de materials (1976), física del estat sòlid (1977) i en ciències físiques (1980). A partir d’aquest moment, la seva carrera es va anar definint clarament entorn dels materials semiconductors i les seves aplicacions en l’electrònica d’alta precisió.

Entre 1981 i 1991, Manijeh Razeghi va dirigir el laboratori de Thomson-CSF (desapareguda el 2000; el seu successor actual és Thales Group), empresa francesa especialitzada en el desenvolupament i la fabricació d'electrònica, amb un fort enfocament en els sectors aeroespacial i de defensa. Va ser allà on va desenvolupar i implementar la majoria de les tècniques modernes de creixement epitaxial com la deposició química de vapor amb metalorgànics a baixa pressió (MOCVD), l’epitaxi en fase vapor (VPE) i l’epitaxi amb feix molecular (MBE) per a tot l’interval de compostos semiconductors III-V i heteroestructures. Aquestes tècniques li van permetre obtener cristalls semiconductors d’alta puresa, cosa que va conduir al descobriment de nous fenòmens físics en semiconductors i estructures quàntiques basats en InP i GaAs.

La seva recerca en semiconductors i dispositius basats en InP queda recollida al llibre “The MOCVD Challenge Volume 1” on es descriuen alguns dels primers materials i heteroestructures d’alta qualitat amb InP i l’efecte Hall quàntic (gas bidimensional d’electrons i forats). També va aconseguir els primers làsers de 1.3 i 1.55 micrometres per a telecomunicacions per fibra òptica, guies d’ona òptiques, el primer díode Gunn basat en InP (va revolucionar els sistemes de radar) i la integració monolítica.

La seva recerca en semiconductors i dispositius basats en GaAs es descriuen al llibre “The MOCVD Challenge Volume 2” on destacan les primeres interfícies i heteroestructures amb GaAs d’alta qualitat i la creació del primer gas electrònic bidimensional en aquest sistema, que va portar al desenvolupament dels primers transistors d’efecte camp d’heterojunció (HFET), MODFET i TEGFET.

El seu pas als Estats Units es va produir al 1991, quan va esdevenir catedràtica de la Northwestern University, on va fundar el Center for Quantum Devices. Des d’aquest centre, ha continuat la seva tasca investigadora formant centenars d’estudiants i publicant més de mil articles científics. És, també, inventora de unes 60 patents (el nombre oscil·la segons la bibliografia consultada).

Manijeh Razeghi va ser pionera en làsers de díode d’alta potencia sense alumini que emeten prop d’1 micrometre basats en GaInAsP (fet que va revolucionar la industria dels làsers de díode als anys 90 i les seves aplicacions). És líder en Làsers de Cascada Quàntica (QCLs) basats en InP amb rècords en rang de sintonització, potencia de sortida i eficiencia.

També ha contribuït al desenvolupament de superxarxes deformades basades en InAsSb per a l’infraroig mitjà amb llindars molt baixos.

En el camp dels fotodetectors, és pionera en estructures heterogènies quàntiques tipus II basades en InAs/GaSb, ha desenvolupat els primers fotodetectors infraroigs de punts quàntics (QDIPs) sobre GaAs i InP i detectors QWIP (Quantum Well Infrared Photodetectors) sobre InP per les bandes mitjana i llarga de l’infraroig.

Finalment, és experta en dispositius quàntics en l’ultraviolat profund.

La seva trajectòria ens permet veure com el talent, quan es combina amb l’esforç i la passió per entendre la natura i transformar el món, pot florir fins i tot en contextos adversos. En les seves pròpies paraules,

“There were times when no one believed I could create such advanced devices, books etc., but with hard work and a passion for learning and exploring new ideas I have shown the impossible to be possible.”

“At this time, I would like to encourage all, especially women to be aware of their values, to understand their responsibility and their importance for the present and future of this world!”

https://www.nature.com/articles/s41377-023-01343-8

• Pantalles 3D sense ulleres: La llum circularment polaritzada pot reduir la fatiga visual en sistemes de realitat virtual.

• Comunicacions òptiques segures: La polarització actua com a "signatura" òptica per a xifratge de dades.

Després de la seva tesi, els seus interessos científics es van orientar cap al desenvolupament de sensors basats en nanomecànica. Com a investigadora postdoctoral amb una beca Marie Curie a la Universitat Tècnica de Dinamarca, va desenvolupar sensors nanomecànics fets de materials polimèrics. Des del 2005, la seva recerca s’ha centrat en aplicar la nanomecànica a la biologia i la biomedicina, obrint línies de treball innovadores en la detecció ultra-sensible de biomolècules i patògens. Ha estat pionera en el desenvolupament de sensors optonanomecànics capaços de detectar proteïnes molt poc abundants en sang, una eina clau per al diagnòstic precoç del càncer. Aquests sensors també han demostrat capacitat per detectar el VIH només una setmana després de la infecció i la detecció del virus SARS-CoV-2. El seu enfocament s’ha ampliat cap a la mecanobiologia, on explora nous biomarcadors físics del càncer i la identificació de patògens a través de les seves propietats mecàniques i físiques.

A més de la seva activitat científica, Montserrat Calleja ha impulsat la transferència tecnològica del coneixement acadèmic al sector empresarial. És cofundadora de dues empreses derivades, Mecwins SA i Nanodreams SL, que treballen en el desenvolupament i comercialització de tecnologies basades en la seva recerca. La seva tasca ha estat reconeguda amb diversos premis i distincions, entre els quals destaca el Premi Nacional de Recerca per a Joves atorgat pel Ministeri de Ciència i Innovació l’any 2021, com a reconeixement a les seves aportacions innovadores en nanotecnologia i biomedicina. També ha format part del Consell Assessor de Ciència i Tecnologia del Govern d’Espanya, contribuint a l’orientació de les polítiques públiques en recerca i innovació.

Amb una visió científica rigorosa i compromesa, Montserrat Calleja ha sabut portar la física de materials i l’electrònica cap a aplicacions mèdiques i socials d’enorme impacte. La seva trajectòria exemplifica com la investigació fonamental en física pot donar lloc a tecnologies revolucionàries, que no només milloren el nostre coneixement del món a escala nanomètrica, sinó que també poden salvar vides.

2. https://diumenge.ara.cat/diumenge/mes-enlla-d-hipacia-marie-curie_130_4621249.html

3. https://www.ub.edu/laubdivulga/denenesacientifiques/docs/2024_Dossier De nenes a cientifiques.pdf

4. https://www.3cat.cat/tv3/5-dones-que-van-canviar-la-ciencia-i-sovint-son-grans-desconegudes/notici a/2994318/

5. https://en.wikipedia.org/wiki/Jess_Wade 6. https://www.imperial.ac.uk/news/250413/champion-diversity-awarded-fellowship-from-british/ . 7. https://scholar.google.com/citations?user=aZibDXkAAAAJ

8. https://ninos.kiddle.co/Jess_Wade

Des de petita tenia talent per les matemàtiques, als 15 anys es gradua de l'institut i li donen una beca al Bryn Mawr College, on es gradua en Física al 1917. Irving Langmuir li ofereix un lloc a l'empresa General Electric (GE) un cop acabés la seva formació, de manera que al 1918 acaba el màster en Química a la Universitat de Chicago. Així doncs, als 20 anys entra a treballar com a investigadora a aquesta prestigiosa empresa, on el seu pare va dirigir el departament de patents abans de morir (1897).

Després d'estar sis anys treballant d'investigadora en GE, gràcies a l'ajuda de Langmuir, al 1924 comença un doctorat a la Universitat de Cambridge. Aquest tractava sobre el comportament dels electrons en vapor de mercuri ionitzat i va ser dirigit per Ernest Rutherford. Al 1926, es converteix en la primera dona en obtindre un doctorat en Física per la Universitat de Cambridge.

Segueix amb diverses investigacions fins el 1963, quan es retira de la GE després de 45 anys de carrera professional.

Aplicacions a l'electrònica física:

• Conductors i díodes orgànics: aquest tipus de pel·lícules permeten fer un control de l'empaquetament i orientació de les molècules en materials orgànics, procés útil per regular les propietats de conducció. En díodes poden funcionar com a capes semiconductores en juncions tipus metall-orgànic-metall.

• Transistors orgànics d'efecte de camp: permet millorar l'ordre molecular dins la pel·lícula, i augmenta la mobilitat de càrrega i l'eficiència dels transistors.

• Rectificadors: permeten la fabricació de juncions rectificadores basades en polímers com ara els díodes Schottky i Zener.

• Estructures MOS: la integració d'aquestes pel·lícules en estructures MOS ofereix control sobre les propietats dielèctrics, és a dir, fan que l'estructura siga més oberta que la de l'òxid de Silici i permeten que els gasos penetrin a la interfície de manera més eficient.

• Sensors químics: una variant d'aquestes pel·lícules s'ha aplicat en sensors químics per la seva sensibilitat per gasos com l'amoníac.

Des de jove va mostrar interès per la ciència i la tecnologia, tot i que va haver d’enfrontar-se als prejudicis de gènere de l’època. El 1939 es va graduar en Enginyeria Química pel Newark College of Engineering (actual NJIT), on només hi havia dues dones en una promoció de 900 estudiants. Posteriorment, va completar un màster en Física al Stevens Institute of Technology.

Beatrice Hicks va desenvolupar una part important de la seva carrera a l’empresa Newark Controls, fundada pel seu pare i que ella mateixa acabaria dirigint. Una de les seves invencions més destacades va ser un interruptor de densitat de gas, capaç de detectar canvis en la densitat d’un gas dins un contenidor i activar una resposta automàtica en cas de superar certs límits. Aquesta tecnologia va ser aplicada en els coets Saturn V del programa Apollo de la NASA, i també en sistemes de comunicacions aèries com els del Boeing 707.

A més del seu paper tècnic, Hicks va destacar pel seu lideratge social. Va ser la primera dona enginyera contractada per Western Electric i, el 1950, va esdevenir cofundadora i primera presidenta de la Society of Women Engineers (SWE), una organització creada per donar visibilitat i suport a les dones en el món tècnic.

Beatrice Hicks és recordada com una dona que va obrir camí tant en la tecnologia com en la igualtat de gènere. Les seves contribucions van tenir un impacte directe en el desenvolupament de la indústria electrònica i aeroespacial dels anys 50 i 60, i la seva figura continua sent una referència per a les dones que volen accedir al món de l’enginyeria.

Des dels anys vuitanta, Nguyen ha estat una peça clau en el desenvolupament i aplicació de la tecnologia CMOS, essencial per a la fabricació de circuits integrats cada vegada més petits, ràpids i eficients.

Ha liderat projectes d'investigació puntera en àmbits com la miniaturització dels transistors, l’ús de nous materials amb alta constant dielèctrica per reduir fuites de corrent, i la implementació de tecnologies com el silici tensat i el Silicon-On-Insulator (SOI), fonamentals per als dispositius electrònics actuals.

Bich-Yen ha estat una figura clau en la transferència de tecnologia des del laboratori fins a la producció industrial, especialment durant la seva etapa a Motorola, Freescale i posteriorment a Soitec, empresa líder en substrats avançats de semiconductors. Ha coordinat equips multidisciplinaris per convertir prototips en processos industrials, contribuint així directament a l’evolució del mercat de l’electrònica de consum, l’automoció i les comunicacions.

Amb més de 200 patents a escala mundial i més de 180 publicacions científiques, Bich-Yen Nguyen ha rebut nombrosos reconeixements, com el prestigiós premi Dan Noble Fellow de Motorola i el IEEE Frederik Philips Award l’any 2024 per la seva contribució al desenvolupament i comercialització de substrats SOI i altres tecnologies innovadores. A més, ha estat una veu de referència a nivell internacional, impartint conferències i inspirant noves generacions d’enginyeres. La seva visió pionera i la seva perseverança han tingut un impacte transformador en la indústria del semiconductor, obrint camí a la presència i lideratge de les dones en aquest àmbit tan estratègic per al futur.

En aquest article publicat a Nature, Sarkar i col·laboradors presenten un transistor de nova generació amb un canal extremadament prim, format per una capa bidimensional de disulfur de molibdè (MoS₂) de només 6 àtoms de gruix. Aquest dispositiu aprofita el fenomen de túnel de corrent per superar el límit tèrmic tradicional, aconseguint una pendent subllindar inferior a 60 mV/dècada. Aquesta innovació representa un avanç significatiu cap a l’electrònica de baix consum i alta eficiència energètica, amb aplicacions potencials en microprocessadors, sensors i sistemes neuromòrfics.

El treball mostra no només la fabricació i caracterització del transistor, sinó també una comprensió detallada dels mecanismes físics que permeten aquesta eficiència, establint una base sòlida per al desenvolupament futur de dispositius electrònics atòmics.

Entre 1966 i 1971 va treballar a l’Institut de Recerca del Zentralamt der Deutschen Bundespost a Darmstadt, on es va especialitzar en l’epítaxia en fase líquida (LPE) de materials semiconductors, especialment de capes de arseniur de gal·li. El 1971 va incorporar-se al MPI-FKF per liderar projectes de recerca bàsica i aplicada en creixement de cristalls semiconductors. Gràcies a la seva tècnica de deposició a partir de solució en refredament lent, va aconseguir capes de silici i arseniur de gal·li de puresa i mobilitat extraordinàries, aptes tant per a cèl·lules solars com per a estructures tridimensionals de transistors.

El 1986 va rebre el premi de la Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK) i, conjuntament amb Manijeh Razeghi i Bruce A. Joyce, el Premi IBM Europe de Ciència i Tecnologia. Fins al seu decés el 1996, va dirigir el grup d’epítaxia del MPI-FKF. En reconeixement a la seva trajectòria, el 2000 es va batejar un camí pròxim a l’institut amb el seu nom: Elisabeth-Bauser-Weg.

A més, en reconeixement a la seva trajectòria i per impulsar noves generacions de investigadores en el camp dels materials semiconductors, l’Institut Max-Planck va crear la Elisabeth Bauser Fellowship. Aquesta beca finança projectes postdoctorals en creixement de cristalls i epitaxia en fase líquida, permetent a científiques emergents treballar amb equips de primera línia al MPI-FKF de Stuttgart i contribuir al desenvolupament de tecnologies avançades en electrònica i fotovoltaica.

A nivell biogràfic, Mason va créixer a Brooklyn i a posteriorment Washington DC. Va dedicar la majoria de la seva infantesa (dels set als setze anys) a competir en gimnàstica al més alt nivell. Als tretze anys va entrar a l'equip nacional de la seva categoria i, als quinze, ocupava la posició número vint-i-cinc al rànquing estatunidenc. Finalment va acabar decantant-se per la ciència. Va collir els fruits de la cultura de l'esfoç que li va aportar la disciplina esportiva al camp de les ciències, graduant-se en física l'any 1995 a la Universitat de Harvard. Posteriorment va obtenir el seu doctorat, sota tutela del professor Aharon Kapitulnik a la Universitat de Stanford l'any 2001. Va tornar a Harvard a fer el postdoctorat, i l'any 2005 va començar a fer classes a la Universitat d'Illinois. A partir d'aquí s'ha dedicat a la recerca i a l'ensenyament dels camps de la física que detallarem a continuació.

Pel que fa a la seva recerca, destaquen les següents troballes i contribucions: l'any 2006 treballava en el primer grup de recerca en demostrar l'efecte Kondo fora de l'equilibri. De manera breu, l'efecte Kondo descriu la dispersió d'electrons de conducció en un metall degut a impureses magnètiques, resultant en un canvi característic en el comportament de la resistivitat en funció de la temperatura; posteriorment, l'any 2011 va estar invoucrada en la troballa d'estats lligats, superconductors, i individuals en sistemes basats en grafè; a finals de la dècada dels 2010 va centrar la seva recerca en nanotubs de carboni, grafè, nanoestructures semiconductores i aïllants topològics.

Alhora que es dedicava a la ciència i al progrés en els camps de l'electrònica física, la quàntica o la matèria condensada, Mason no va abandonar mai la causa social. És destacable la seva carrera, tenint en compte els obstacles i impediments que troben, tant les dones com les persones racialitzades, a l'hora d'emprendre una carrera científica en un país com els Estats Units d'Amèrica. Històricament observem com condicionen el gènere, l'ètnia i la classe social a la construcció del coneixement científic. Mason n'era conscient, i va participar activament en programes o campanyes per donar visibilitat i encoratjar aquelles persones oprimides sistemàticament, tant pel sistema social com pel científic, com per exemple l'any 2017 en l'APS Committee on Minorities, o la Nacional Society of Black Physicists. Ha estat guardonada amb tota mena de reconeixements i honors, entre els quals podem destacar el Maria Goeppert Mayer Award o l'Edward A. Bouchet Award, entregats per part de l'American Physical Society.

Bibliografia:

1. https://news.uchicago.edu/story/physicist-nadya-mason-appointed-dean-pritzker-school-molecular-engineering

2. https://physics.illinois.edu/people/directory/profile/nadya#:~:text=Biography,transitions%20in%20two%2Ddimensional%20superconductors.

3. https://phas.ubc.ca/~berciu/TEACHING/PHYS502/PROJECTS/18Kondo.pdf

   
   

Va néixer l’any 1957 a Sud-àfrica, però va viure a Ghana durant la seva infantesa. Va estudiar Física a la Universitat de Witwatersrand (a Johannesburg) i va fer un màster a la Universitat de Northwestern. Finalment, l’any 1987 es va doctorar en la Universitat de Chicago en l’àmbit de Biofísica.

Durant el període del 2002 al 2022 va ser la directora del National Resource for Automated Molecular Microscopy (NRAMM), un recurs nacional d’investigació biotecnològica. La missió de NRAMM era desenvolupar tècniques d’imatge automatitzades per resoldre estructures tridimensionals de complexos macromoleculars utilitzant microscòpia electrònica de criotransmissió, una tècnica que permet visualitzar mostres biològiques o moleculars a escala atòmica mantenint-les en estat vitrificat per evitar danys per radiació i preservar-ne l'estructura nativa. El seu treball a NRAMM va contribuir a nombrosos avenços tècnics en criomicroscòpia electrònica (cryo-EM) i en criotomografia electrònica (cryo-ET), i ha estat reconegut en unes 500 publicacions científiques. 

El 2007 Bridget, juntament amb Clint Potter, va fundar l’empresa NanoImaging Services, que ofereix serveis de criomicroscòpia electrònica i altres tècniques de microscòpia a la indústria farmacèutica i biotecnològica.

Ha participat en nombroses investigacions en microscòpia electrònica, com la que es pot consultar a la següent adreça sobre tècniques en la microscòpia electrònica de transmissió a temperatures de criogenització (Cryo-TEM), adients per a l’estudi de sistemes biològics. En el paper (https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC3378829/) es parla de la tècnica inkjet (de la qual parlarem en el treball optatiu d’aquesta assignatura) aplicada a la microscòpia Cryo-TEM.

L’any 2017 va rebre conjuntament amb Philip Bateson el “Distinguished Scientist Award” de la “Microscopy Society of America”. (https://microscopy.org/Society-Awards-Recipients)

L’any 2022 va ser nomenada Directora Tècnica Fundadora del  “Chan Zuckerberg Imaging Institute” i actualment continua ocupant aquest càrrec. 

Per aquells que tinguin curiositat, el pròxim 8 d’octubre de 2025 Bridget Carragher participarà a les conferències “Women in Electron Microscopy” d’Alemanya (https://er-c.org/index.php/conferences/wem/).

L’hem triada per ser una científica amb un perfil diferent al que estem habituats que ha contribuït en l’àmbit de la microscòpia electrònica, pel que tenim interès.

L’any 1962, juntament amb el seu marit Jack Hugle, va fundar l’empresa Siliconix, una de les primeres del món dedicada a la fabricació de dispositius FET comercials. Siliconix va esdevenir pionera en la creació i comercialització de JFET i, més endavant, de dispositius MOS, en un moment clau per a la miniaturització de la tecnologia electrònica. A banda del seu paper com a cofundadora, Frances Hugle va liderar investigacions i desenvolupaments tècnics crucials dins l’empresa.

Va ser inventora de diversos processos innovadors relacionats amb la fabricació i encapsulació de semiconductors, en particular pel que fa a l’estabilitat dels dispositius i el control de les interfícies d’òxid — aspectes centrals per al funcionament fiable dels MOSFET. Entre les seves contribucions més rellevants hi ha la patent nord-americana US Patent 3,158,846 (1964), que descriu una millora en la fabricació de dispositius semiconductors amb estructures fines i estabilitzades, i que constitueix un pas directe cap a la producció eficient dels primers transistors MOS. A més, va treballar en el perfeccionament de mètodes d’aïllament elèctric i en la prevenció de defectes de superfície, aspectes fonamentals per a la fiabilitat dels circuits integrats.

Tot i la seva mort prematura el 24 de març de 1968, amb només 40 anys, Frances Hugle va deixar una empremta tècnica profunda en una indústria que en aquell moment tot just començava a transformar el món. Va ser una de les primeres dones — si no la primera — a tenir un paper directe i documentat en el desenvolupament de dispositius MOSFET. El seu treball va permetre la transició dels transistors discrets als circuits integrats i va ajudar a establir les bases tecnològiques dels microxips actuals (dispositius TAB, tape automated bonding). Avui, diversos esforços de recuperació històrica han començat a reivindicar la seva figura com a una pionera clau de l’electrònica del segle XX, en una disciplina on el seu nom ha estat massa temps silenciat. Cal esmentar que és la primera dona inclosa en l'arbre geneològic de semiconductors.

Halas no només és una científica rellevant, és investigadora pionera d’un camp sencer: la plasmònica.  La seva capacitat per ‘sintonitzar’ nanopartícules per a que interactuïn amb la llum a voluntat ha revolucionat des dels dispositius electrònics d’estat sòlid fins a la lluita contra el càncer.

La seva contribució més important és la invenció de les “nanoshells” d'or, nanopartícules que tenen un nucli de diòxid de silici (SiO₂) recobert d'una capa metàl·lica que interactua amb la llum a una longitud d'ona concreta. Halas va descobrir que, variant el gruix de la capa externa, podia configurar a voluntat les nanopartícules perquè absorbissin diferents longituds d’ona dels fotons. Fins el moment, es creia que l’absorció d’una nanopartícula depenia únicament de la mida i del material d’aquesta.

És un descobriment del qual han sorgit aplicacions molt diverses. Per exemple, s’han trobat mètodes amb una alta eficàcia per destruir cèl·lules canceroses, i s’ha desenvolupat una tecnologia per convertir energia solar directament en vapor d'aigua, amb aplicacions en purificació d'aigua i sostenibilitat. La seva carrera és un exemple de què el descobriment d’un fenomen físic, com l’interacció dels fotons amb una “nanoshell”, pot portar a projectes que milloren la vida de les persones, i ens fan avançar com a societat.

És una científica amb una trajectoria molt reconeguda: és una de les dotze dones que han estat elegides simultàniament per la National Academy of Sciences i la National Academy of Engineering, i el 2023 va ser nomenada University Professor a Rice, la segona dona a obtenir el rang acadèmic més alt en l'història de la universitat.

De la seva biografia, ens ha cridat especialment l’atenció que no és el tipus de persona que té una passió desmesurada per la física des de petita. De fet, va començar a la universitat amb la intenció de dedicar-se a la música, com a flautista professional. Això demostra que, fins i tot científiques que provoquen un canvi de paradigma en el seu camp, no tenen per que tenir un camí de vida lineal cap a l’èxit.

Bibliografia:

https://halas.rice.edu/halas-bio

https://profiles.rice.edu/faculty/naomi-j-halas

https://en.wikipedia.org/wiki/Naomi_Halas

https://news2.rice.edu/2014/02/06/rices-naomi-halas-elected-to-national-academy-of-engineering/

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsphotonics.5c01925

Des de petita va mostrar interès per la tecnologia i la computació. Va estudiar a la Universitat de Cambridge i va acabar treballant a Acorn Computers, una empresa britànica que va portar a moltes llars els coneguts com a ordinadors personals. Allà va participar en el desenvolupament del BBC Micro, un ordinador creat dins del projecte educatiu de la BBC per acostar la informàtica a les escoles. A més a més, també va escriure BBC BASIC, el llenguatge de programació utilitzat en aquest ordinador, que va ser important perquè permetia que estudiants i usuaris sense experiència aprenguessin a programar d’una manera més accessible.

La seva aportació més important al món de l’electrònica va arribar amb el disseny de l’arquitectura ARM (Acorn RISC Machine). Es tracta d’una arquitectura de processador que utilitza instruccions més simples i eficients; en lloc de fer que el xip tingui moltes instruccions complexes, l’arquitectura ARM aposta per instruccions més senzilles que el processador pot executar ràpidament i amb menys consum d’energia. El primer processador ARM, l’ARM1, va ser desenvolupat el 1985 per Sophie Wilson i Steve Furber a Acorn; aquell xip tenia només uns 25.000 transistors (un nombre molt reduït en comparació als 200.000 transistors que tenien els xips dels competidors) i destacava per ser ràpid, simple i molt eficient energèticament.

Avui dia, l’arquitectura ARM és present en una gran quantitat de dispositius electrònics: telèfons mòbils, tauletes, rellotges intel·ligents, sensors, i molts altres aparells de baix consum.

Més endavant, Sophie Wilson va continuar treballant en arquitectures de processador avançades. Va participar en el desenvolupament del processador FirePath, una arquitectura VLIW/SIMD pensada per aplicacions com l’ADSL i el processament eficient de dades.

Si us ha interessat aquest petit tastet de la seva carrera professional, us deixem una píndola perquè, d’una manera força amena, pugueu retrocedir uns anys i veure la competició entre empreses britàniques durant el naixement dels ordinadors domèstics, especialment Acorn i Sinclair. El documental “Micro Men” ajuda a entendre el context en què van aparèixer el BBC Micro i, posteriorment, ARM. https://www.youtube.com/watch?v=XH5L-iTIbP8

Tot i això, el volum de taules a completar era inassumible per la quantitat de dones capacitades per fer-ho. Per aquest motiu, l’exèrcit va invertir en el disseny d’un ordinador capaç de resoldre aquests càlculs automàticament: l’ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer).

L’ENIAC era un sistema format per cables, forats i interruptors, i perquè funcionés calia una preparació molt complexa. Per programar-lo, primer s’havien de transformar les equacions diferencials en equacions de diferències i, després, connectar físicament els cables per executar les operacions equivalents als if/else actuals.

Les encarregades de programar l’ENIAC van ser sis matemàtiques conegudes com les ENIAC 6: Kathleen McNulty, Jean Bartik, Betty Holberton, Marlyn Meltzer, Frances Spence i Ruth Teitelbaum. 

La seva feina tenia dificultats afegides: no podien veure la màquina ni disposaven de manuals d’ús. Rebien la informació a través de reunions amb els enginyers i van haver d’aprendre a deduir el funcionament de l’ordinador gairebé des de zero. Malgrat això, van desenvolupar tècniques pioneres de programació com el debugging i el parallel programming. 

Tot i les seves aportacions, van ser completament invisibilitzades. El mèrit se l’emportava el disseny del hardware, no la programació en si. No van aparèixer als articles de presentació de l’ENIAC i, encara que van ser convidades a l’acte oficial, no al sopar posterior. 

Després de la guerra, els polítics van decidir substituir-les per homes perquè creien que elles malgastaven la formació rebuda en casar-se i passar a ocupar-se de les feines de casa. Malgrat això, es van trobar un problema: els nois la consideraven una feina “poc masculina” o estaven menys qualificats (a Anglaterra va provocar una implosió de la indústria del computing). A partir dels anys 60, amb la professionalització de la programació, la presència femenina en aquest sector va caure en picat.

Deixem l'enllaç del documental per si algú hi està interessat:

Top Secret Rosies: The Female Computers of WWII
https://www.youtube.com/watch?v=UlKo680PYDs

1. https://ethw.org/Ruth_Teitelbaum 

2. https://ethw.org/Frances_Spence

3. https://lamujereninformatica.unican.es/betty-snyder-holberton/

4. https://fr.wikipedia.org/wiki/Marlyn_Meltzer 

5. https://mujeresconciencia.com/2017/10/12/kathleen-r-mcnulty-1921-2006-la-primera-computer-quedo-obsoleta/ 

6. https://global-factiva-com.sire.ub.edu/ha/default.aspx#./!?&_suid=177764225976909208668951655519 

7. https://www.proquest.com/docview/3192383652?parentSessionId=eTJlfMe0ipDe5su6qjEv9YXbtAT61QczTZRduGp%2FwMA%3D&pq-origsite=primo&accountid=15293&sourcetype=Trade%20Journals 

8. https://global-factiva-com.sire.ub.edu/ga/default.aspx?page_driver=

La seva recerca se centra en els materials semiconductors, especialment en els nanofils semiconductors (semiconductor nanowires), l’epitàxia, les heteroestructures i les aplicacions en cèl·lules solars, fotònica i tecnologies quàntiques. El seu laboratori treballa amb tècniques com la Molecular Beam Epitaxy i la Chemical Vapor Deposition, que permeten créixer semiconductors capa a capa amb un control molt precís de la composició i l’estructura.

Els nanofils semiconductors són estructures molt petites, gairebé unidimensionals, que poden tenir propietats òptiques i electròniques diferents de les del mateix material en forma massiva. Això permet dissenyar dispositius on la llum i els portadors de càrrega es poden controlar millor. Per exemple, es poden fabricar nanofils amb unions p-n radials, heteroestructures o punts quàntics integrats, amb aplicacions en cèl·lules solars més eficients, LEDs, fotodetectors i dispositius de fotònica quàntica.

Un dels aspectes més interessants de la seva recerca és la connexió entre física fonamental i sostenibilitat. El seu grup investiga com utilitzar estructures nanomètriques per reduir la quantitat de material necessari i també com desenvolupar semiconductors formats per elements més abundants a la Terra. Aquesta línia és important perquè la tecnologia electrònica i fotovoltaica del futur haurà de ser no només eficient, sinó també més sostenible.

A més de la seva contribució científica, Anna Fontcuberta i Morral és una figura rellevant des del punt de vista de gènere. Ha arribat a la presidència d’una de les institucions tecnològiques més importants d’Europa en un camp on les dones encara estan infrarepresentades, i també ha impulsat iniciatives de suport a joves dones en ciència i enginyeria, com la seva participació a la EPFL WISH Foundation.

Hem escollit l’Anna perquè és una científica propera al nostre context, formada inicialment a la Universitat de Barcelona, i perquè la seva trajectòria connecta directament amb molts conceptes de l’assignatura: semiconductors, heteroestructures, epitàxia, cèl·lules solars i dispositius optoelectrònics. La seva carrera mostra com la física de materials pot transformar-se en tecnologia real i, alhora, com les dones poden ocupar espais de lideratge en l’electrònica i la recerca científica internacional.

Fonts utilitzades: perfil oficial d’Anna Fontcuberta i Morral a l’EPFL, biografia oficial de l’EPFL, notícia de l’ICFO sobre el seu nomenament com a presidenta de l’EPFL.

La seva recerca se centra en semiconductors de banda ampla i ultrabanda ampla, especialment els nitrurs III-V, els semiconductors d’òxid i els materials bidimensionals. Aquests materials són clau per fabricar dispositius electrònics i optoelectrònics d’alt rendiment, com transistors d’alta freqüència, dispositius d’electrònica de potència, emissors ultraviolats i memòries. 

Una de les seves aportacions més destacades és el dopatge per polarització distribuïda, desenvolupat amb Debdeep Jena. Aquesta tècnica permet generar càrrega lliure en materials polars, com els nitrurs III-V, sense necessitat d’introduir impureses donadores o acceptores, com en el dopatge químic convencional, millorant així el rendiment dels dispositius electrònics, especialment en materials on el dopatge tradicional presenta limitacions.

També ha contribuït al desenvolupament de dispositius basats en GaN, un semiconductor capaç de treballar a altes tensions, temperatures i freqüències. El seu grup ha desenvolupat díodes de potència de GaN capaços de suportar fins a 2.000 volts i ha participat en el desenvolupament del concepte de dualtronics, que aprofita les dues cares d’un semiconductor polar com el GaN per integrar funcions electròniques i fotòniques en un mateix xip.

Per la seva trajectòria, ha rebut diversos premis, com el NSF CAREER Award i l’Intel Outstanding Researcher Award, i ha estat nomenada Fellow de l’IEEE, l’American Physical Society i l’AAAS. La seva contribució és rellevant perquè ha impulsat noves maneres de controlar la càrrega elèctrica en semiconductors avançats, afavorint dispositius més eficients, ràpids i potents. 

Bibliografia:

• https://www.duffield.cornell.edu/people/huili-grace-xing/

• https://en.wikipedia.org/wiki/Huili_Grace_Xing

• https://news.cornell.edu/stories/2025/11/xing-honored-excellence-semiconductor-research 

• https://news.cornell.edu/stories/2016/01/cornell-led-team-creates-gallium-nitride-power-diode 

Article:

https://www.researchgate.net/publication/40821801_Polarization-Induced_Hole_Doping_in_Wide-Band-Gap_Uniaxial_Semiconductor_Heterostructures

La trajectòria de Cynthia McIntyre és un exemple perfecte: una dona afroamericana, filla de dos mestres d’escola, que va créixer a San Antonio (Texas), va arribar al cim de la física de semiconductors obrint moltes portes per a les dones que van venir després d'ella, i esdevenint una referent per a dones negres científiques.

Cynthia Roberta McIntyre (nascuda el 1960) és una física teòrica nord-americana, especialitzada en física de la matèria condensada, i ex-vicepresidenta del Council on Competitiveness. Va créixer a San Antonio, Texas, com a filla única de dos mestres d’escola. Va obtenir el doctorat en Física al MIT l’any 1990, convertint-se en la segona dona negra a aconseguir un PhD en Física en aquesta institució.

La seva directora de tesi va ser Shirley Ann Jackson, la primera dona afroamericana que va obtenir un doctorat al MIT, i va completar una dissertació titulada "New models of magnetic interactions for bound magnetic polarons in dilute magnetic semiconductors".

La recerca de McIntyre se centra en les propietats electròniques i òptiques de les heteroestructures de semiconductors. En particular, ha estudiat les interaccions electró-fonó en semiconductors de baixa dimensionalitat. Va dur a terme recerca postdoctoral a la Universitat de Califòrnia a San Diego i posteriorment va investigar sistemes semiconductors de baixa dimensionalitat al Naval Research Laboratory de Washington, D.C..

El 2013 va ser nomenada una de les "People to Watch" per HPCWire per les seves contribucions a la computació d’alt rendiment (HPC) i el seu paper en el desenvolupament de polítiques per impulsar l’ús del HPC en el sector privat per obtenir guanys econòmics i competitius.

Introduim la trajectòria de McIntyre per a fer un anàlisi colateral de la importància de la diversitat en els equips de disseny de dispositius electrònics. Un exemple de la manca de diversitat actual destaca en el cas dels pulsioxímetres: un dispositiu electrònic que mesura la saturació d'oxigen en sang fent passar llum a través d'un dit. El principi físic de funcionament es basa en els dispositius semiconductors que hem estudiat al curs: 2 LEDs (en el vermell i l'infraroig), que són heterojuncions (AlGaAs, InGaAsP) optimitzades per a l'emissió de longituds d'ona concretes; i un fotodíode (junció PN polaritzada en invers) que recull la llum transmesa i genera un corrent proporcional a aquesta.

Es fa una espectrofotometria diferencial entre hemoglobina oxigenada i desoxigenada. Hi ha, però, un problema important en el disseny dels pulsioxímetres: la melanina de la pell també absorbeix llum, especialment en la regió del vermell. Els algorismes de calibratge es van desenvolupar històricament amb mostres de persones de pell clara. Com a resultat, el dispositiu pot arribar a sobreestimar la saturació d'oxigen en persones amb pell fosca, amagant hipòxies perilloses. S'ha mostrat que la probabilitat d'error és tres vegades més gran en pacients negres que en pacients blancs.

És clar que el problema del pulsioxímetre no és una casualitat, sinò que neix d’equips de disseny poc diversos. Però, per què no són diversos els equips?

Perquè dones com Cynthia McIntyre, s’enfronten a barreres específiques per accedir i mantenir-se en l’àmbit de l’electrònica i la física de semiconductors, barreres com la manca de referents (ella mateixa va explicar que la seva vocació va néixer en veure una fotografia de Shirley Ann Jackson a la revista Ebony). Sense referents visibles, moltes noies ni tan sols es plantegen estudiar física o enginyeria electrònica. Barreres també com les dificultats econòmiques i de classe, la soledat acadèmica de ser "l'única", "la primera" o "una de les poques".

Així doncs, si en el futur volem dispositius electrònics que funcionin de la mateixa manera per a tothom, cal que els equips que els dissenyen reflecteixin la diversitat de la societat, i això només s'aconsegueix eliminant aquestes barreres invisibles.

És autora de varis papers sobre l'electrònica física; l'estudi de transistors d'efecte de camp formats per un contacte de Schottky asimètric, l'ús d'estructures nanomètriques de MoS2 coma generadors d'emissió de camp, o com els nanocristalls de InP poden augmentar l'emissió de camp del grafè, i l'estudi de l'efecte de la llum i la temperatura sobre un fotodíode de de grafè/silici incorporat en un condensador MOS.

És important remarcar la importància del seu àmbit d'estudi, la investigació en materials que permeten fer dispositius cada cop més petits i compactes, per a així poder augmentar la capacitat i l'eficiència de tots els dispositius que sostenen la nostra vida quotidiana.

Bibliografia:

• Di Bartolomeo, A., Grillo, A., Urban, F., Iemmo, L., Giubileo, F., Luongo, G., Amato, G., Croin, L., Sun, L., Liang, S.-J., & Ang, L. K. (2018). Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS₂ Field Effect Transistors. Advanced Functional Materials, 28(28), 1800657. https://doi.org/10.1002/adfm.201800657

• International Physicists Network. (n.d.). Laura Iemmo. Retrieved May 26, 2026, from https://www.iphysnet.com/wp/staff-view/laura-iemmo/

• ResearchGate. (n.d.). Laura Iemmo — Research profile. Retrieved May 26, 2026, from https://www.researchgate.net/profile/Laura-Iemmo