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      <title>My supercalifragilisticexpialidocious wall by </title>
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      <description>Made with an open mind</description>
      <language>en-us</language>
      <pubDate>2019-04-04 22:09:43 UTC</pubDate>
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         <title>Átomo</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div>É a  unidadeunidade fundamental da matéria</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 22:12:54 UTC</pubDate>
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         <title>Matéria</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div>É tudo aquilo que ocupa lugar no espaço</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 22:13:50 UTC</pubDate>
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         <title>Camada de valência</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div> É a camada que fica mais distante do núcleo</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 22:40:48 UTC</pubDate>
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         <title>Material condutor</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div>É qualquer material que sustenta um fluxo de carga quando uma fonte de tensão com amplitude limitada é aplicada através de seus terminais</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 22:45:17 UTC</pubDate>
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         <title>Material isolante</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div> É o material que oferece  nível muito baixo de condutividade sob pressão de uma fonte de tensão<br><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 22:46:47 UTC</pubDate>
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         <title>Material semicondutor</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div>É o material que possui um nível de condutividade intermediário entre os extremos de um isolante e condutor</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 22:49:14 UTC</pubDate>
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         <title>Bandas de energia</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
         <link>https://padlet.com/patrickserraotr_2017/qc2hkz7c2v1i/wish/348746933</link>
         <description><![CDATA[<div>Dentro de um sólido as energias possíveis dos elétrons estão agrupadas em bandas permitidas separadas por bandas proibidas devido à periodicidade do potencial criado por íons em sólidos.<br><br>As bandas de energia mais profundas completamente ocupadas por elétrons são chamadas de bandas de valência, essas são inertes do ponto de vista elétrico e térmico. Correspondem aos níveis atômicos de energia mais baixa apenas levemente afetados pela presença de outros átomos no cristal. A banda parcialmente preenchida é chamada de banda de condução.<br><br>Quanto maior a banda proibida diferente será o tipo de sólido. Quando a banda é grande o sólido é isolante, quando a banda proibida não existe o sólido é condutor e quando a banda proibida é intermediária o sólido é semicondutor.<br><br>Quanto maior a banda proibida mais energia é necessária para passar o elétron livre para a próxima camada.<br><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 22:52:45 UTC</pubDate>
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         <title>Semicondutor intrínseco</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
         <link>https://padlet.com/patrickserraotr_2017/qc2hkz7c2v1i/wish/348747995</link>
         <description><![CDATA[<div>Semicondutor intrínseco é aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa. Esse tipo de semicondutor reage mais a temperatura podendo variar sua condutividade mais facilmente<br><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 23:01:00 UTC</pubDate>
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         <title>Semicondutor extrínseco</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div>Semicondutores extrínsecos ou dopados são semicondutores intrínsecos onde introduzimos uma impureza para controlarmos as características elétricas do semicondutor. Ao ser realizado esse processo de dopagem o nível de variação de sua condutividade é diminuído para que a temperatura não tenha um impacto tão forte no mesmo</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 23:01:52 UTC</pubDate>
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         <title>Função da junção PN</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div>● Materiais tipo P:<br>  ● Lacunas: representadas pelo sinal +<br>  ● Elétrons livres: representados pelo sinal -<br><br>● Materiais do tipo N:<br>  ● Elétrons livres: representados pelo sinal -<br>  ● Lacunas: representadas pelo sinal +</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 17:53:48 UTC</pubDate>
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         <title>Formação da junção PN</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[]]></description>
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         <title>Formação da junção PN</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 18:12:03 UTC</pubDate>
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         <title>Polarização reversa</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div>● Polarização reversa<br>  ● Além da corrente de portadores minoritários existe, no diodo polarizado reversamente, uma corrente de fuga da superfície que é causada pelas impurezas da superfície e imperfeições na estrutura do cristal.</div>]]></description>
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         <title>Polarização reversa</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div>● Polarização reversa<br>  ● Tensão de ruptura: Máximo valor de tensão que pode ser aplicado ao diodo perversamente polarizado sem que ele se danifique</div>]]></description>
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         <title>Polarização direta</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 21:19:02 UTC</pubDate>
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         <title>Barreira de potencial</title>
         <author>patrickserraotr_2017</author>
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         <description><![CDATA[<div> • Um aumento na temperatura da junção gera mais elétrons livres e lacunas nas regiões dopadas. <br> Quando o diodo está conduzindo a temperatura de junção é mais alta que a temperatura ambiente por causa do calor gerado pela recombinação. <br><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-06 00:27:27 UTC</pubDate>
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