Laboratorio N°3: Amplificador con FET by LIZBETH ALEXANDRA TORRES FLORES https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs GRUPO 7 - Informe Previo 3 de Laboratorio de Electrónica I en-us 2022-06-14 00:22:45 UTC 2022-06-16 04:14:08 UTC hello@padlet.com Mapa Conceptual lizbethtorresf https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2220305004 2022-06-14 04:10:40 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2220305004 angelhuamanie https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2221255872 2022-06-14 23:25:22 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2221255872 Alumno angelhuamanie https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222349772 Huamani Erazo, Angel Brandon
Encargado de Materiales]]> 2022-06-15 21:34:23 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222349772 Solución teórica angelhuamanie https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222364019 2022-06-15 21:57:12 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222364019 Ganancia resultante angelhuamanie https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222365355 2022-06-15 21:59:25 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222365355 https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222437896 2022-06-16 00:19:35 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222437896 Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET): https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222441922 * ZONA ÓHMICA: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
*ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS.
*ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0). ]]> 2022-06-16 00:24:00 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222441922 Fundamento de transistores de efecto de campo: https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222446762  Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN. 
 La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de puerta). ]]> 2022-06-16 00:28:47 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222446762 https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222449005 2022-06-16 00:31:07 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222449005 https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222450885 2022-06-16 00:32:58 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222450885 Transistor FET https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222451656  Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo. ]]> 2022-06-16 00:33:53 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222451656 Alumno https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222451994 Jancco Alarcon, Jose Daniel
Bruno Brahan Ramirez Ponce]]> 2022-06-16 00:34:15 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222451994 Alumna lizbethtorresf https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222531399 Torres Flores Lizbeth Alexandra
(20200602I)-Coordinadora]]> 2022-06-16 01:56:11 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222531399 bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222608779 Vo= 222.198 mV
Av=222.198mV/20mV=11.1099]]> 2022-06-16 03:12:53 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222608779 bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222609012 2022-06-16 03:13:09 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222609012 Medición de la ganancia bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222609652 2022-06-16 03:13:53 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222609652 bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222610556 Variando Rs=3.3K y Rd=5.6K]]> 2022-06-16 03:14:57 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222610556 bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222610965 Variando Rs=5.6K]]> 2022-06-16 03:15:24 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222610965 bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222611905 Variando Rs=1K ]]> 2022-06-16 03:16:24 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222611905 Medición de las tensiones de los terminales del transistor bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222612172 Circuito original]]> 2022-06-16 03:16:42 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222612172 CIRCUITO 1 bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222613907 2022-06-16 03:18:31 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222613907 Alumno bryanhuancaa https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222625057 Huanca Amao, Bryan Paul (20200209E) - Comunicador 1]]> 2022-06-16 03:32:55 UTC https://padlet.com/lizbethtorresf/p77qsbgjahxj91zs/wish/2222625057