Experimento 3 Grupo 3 by Asto Perez Mario Arquimides

EL TRANSISTOR BIPOLAR POLARIZACIÓN Y GANANCIA

marioastop — 2024-05-16 00:13:07 UTC

EXPERIENCIA Nº 2

Pregunta 1

marioastop — 2024-05-16 00:13:22 UTC

Cuáles consideras que son los factores que deben tomarse en cuenta para diseñar circuitos de polarización de transistores BJT?

Pregunta 2

marioastop — 2024-05-16 00:39:51 UTC

¿Cuáles consideras que son los principales métodos de polarización de transistores indicando sus ventajas, desventajas y usos?

Pregunta 3

marioastop — 2024-05-16 00:40:28 UTC

De los manuales obtener los datos de un transistor, para el diseño de la etapa propuesta por el profesor.

Pregunta 4

marioastop — 2024-05-16 00:40:48 UTC

Diseñar completamente el circuito de la fig.1 para un punto de operación ICQ = 2mA, VCEQ = 5 Volt. con un transistor BC548B y también para Máxima Excursión Simétrica Posible.

Pregunta 5

marioastop — 2024-05-16 00:41:09 UTC

Dibujar en una hoja completa cada uno de los circuitos con valores comerciales de los elementos y los valores de tensión y corriente esperados.

Pregunta 6

yazmingarciac — 2024-05-16 00:47:53 UTC

Simule en computadora cada uno de los circuitos.

yazmingarciac — 2024-05-16 02:21:01 UTC

1. Arme el circuito de la figura 1, con los valores sugeridos o con los valores obtenidos en su diseño.

yazmingarciac — 2024-05-16 02:23:38 UTC

2. Mida las tensiones de los terminales del transistor respecto a tierra, Así se determinará el punto Q.

yazmingarciac — 2024-05-16 02:25:52 UTC

VB = 3.47V , VE = 2.821V , VC = 8.625V , Ic = 2.823mA

yazmingarciac — 2024-05-16 02:28:59 UTC

3. Llene la tabla anterior, para obtener las rectas de carga por variación de R2 y Rc, refiriéndose siempre al circuito original, retorne los elementos cambiados.

yazmingarciac — 2024-05-16 02:29:55 UTC

yazmingarciac — 2024-05-16 02:30:46 UTC

4. En el circuito original, aplique una señal de 20 mV pico a una frecuencia de 1 KHz sinusoidal y mida Vo para determinar la ganancia Av = ....

yazmingarciac — 2024-05-16 02:31:31 UTC

yazmingarciac — 2024-05-16 02:32:05 UTC

Av = Vo / Vi =3.69 V / 39.9 mV = 92.48

yazmingarciac — 2024-05-16 02:34:49 UTC

5. Aumente el nivel de V1 hasta que se observe una distorsión apreciable en la salida: Vomax = ……….

yazmingarciac — 2024-05-16 02:36:47 UTC

yazmingarciac — 2024-05-16 02:37:23 UTC

Vo max = 1.354 V.

yazmingarciac — 2024-05-16 02:38:57 UTC

6. Retire Ce y mida la ganancia Avo = ..... Anote las observaciones y probar con el valor de V1 y Vo

rudyrodriguezc — 2024-05-16 02:39:49 UTC

En nuestro caso analizaremos es el transistor BC548B pues es con el cual vamos a trabajar.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 02:41:06 UTC

GANANCIA DE CORRIENTE

rudyrodriguezc — 2024-05-16 02:42:26 UTC

VOLTAJE DE SATURACIÓN

rudyrodriguezc — 2024-05-16 02:43:02 UTC

VALORES MÁXIMOS

rudyrodriguezc — 2024-05-16 02:45:40 UTC

Dos parámetros importantes son la ganancia de corriente en CD (beta) y alfa CD, pues estos se utilizan para analizar un circuito BJT.

Están ligados a la relación de las corrientes de emisor, base y colector del transistor. Además de las curvas de cambio de la Ganancia de corriente (beta) vs Voltaje de colector.

2024-05-16 02:48:45 UTC

rudyrodriguezc — 2024-05-16 02:49:16 UTC

La ganancia de corriente (beta o hfe) es un parámetro importante de un transistor BJT, se debe ser minucioso con él debido a que no se mantiene constante, nosotros a temperatura ambiente consideramos un valor, pero, varía tanto con la corriente del colector como la temperatura.

2024-05-16 02:49:33 UTC

Avo = 21.0 mV / 19.9 mV= 1.055

2024-05-16 02:51:33 UTC

7. Arme el circuito de la Fig.2 variando la entrada a través del condensador Ce y coloque Ci a tierra.

Coloque la resistencia adicional de 1K en serie con el generador, pues en base común el transistor tiene una impedancia muy baja que afecta al generador. El punto Q permanece constante.

2024-05-16 02:52:09 UTC

2024-05-16 02:53:54 UTC

8. Repita los pasos 4. , 5. y 6. , pero retirando Ci.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 02:54:06 UTC

Es necesario saber los voltajes de saturación del transistor (Vbe), pues cuando el voltaje colector - emisor (Vce), el transistor entra en la zona activa y la corriente se vuelve aproximadamente constante.

2024-05-16 02:54:53 UTC

Paso 4: Aplique una señal de 20 mVpico a una frecuencia de 1KHz sinusoidal y mida Vo para determinar la ganancia Av = .....

2024-05-16 02:55:46 UTC

2024-05-16 02:56:30 UTC

rudyrodriguezc — 2024-05-16 02:57:29 UTC

2024-05-16 02:57:38 UTC

Paso 5: Aumente el nivel de V1 hasta que se observe una distorsión apreciable en la salida: Vomax = ……….

2024-05-16 02:58:07 UTC

2024-05-16 02:58:41 UTC

Avo = 7.11 V / 8.02 V = 0.88

2024-05-16 02:59:16 UTC

Paso 6: Retire Ce y mida la ganancia Avo = .... Anote las observaciones y probar con el valor de V1 y Vo

2024-05-16 03:00:06 UTC

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:00:13 UTC

El Vce máximo (Voltaje de corte) para saber el punto en que el transistor entra en la región de ruptura, pues manejar el transistor en esta región no es recomendable.

2024-05-16 03:00:50 UTC

Avo = 19.1 mV / 19.9 mV = 1.042

2024-05-16 03:02:44 UTC

9. Mida los valores de las resistencias utilizadas.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:03:29 UTC

El voltaje de corte va de la mano con la corriente de corte del colector, pues como dijimos en el inciso de la ganancia de corriente, ambos varían de manera directa.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:05:44 UTC

Polarización Fija

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:10:13 UTC

VENTAJAS

Estabilidad del punto de operación.
Simplicidad de diseño.
Bajo consumo de potencia.
Es fácil de implementar.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:11:29 UTC

DESVENTAJAS

Sensibilidad a la variación de temperatura y parámetros.
Necesidad de fuentes de alimentación estables.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:13:53 UTC

USOS

Solo se usa en la configuración emisor común, debido a que en la configuración base común cortocircuita la entrada y en el colector común cortocircuita la salida.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:17:05 UTC

Polarización Estabilizado en Emisor

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:20:02 UTC

VENTAJAS

Estabilidad térmica mejorada.
Simplicidad de diseño.
Menor sensibilidad a variaciones de parámetros del transistor.

2024-05-16 03:21:32 UTC

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:21:53 UTC

DESVENTAJAS

Menor estabilidad de temperatura a largo plazo.
Sensibilidad a variaciones de parámetros internos.
Dependencia de características específicas del transistor.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:23:56 UTC

USOS

Se puede usar en todas las configuraciones del transistor BJT, emisor común, base común y colector común

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:27:16 UTC

Polarización por divisor de Voltaje

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:29:55 UTC

VENTAJAS

Simplicidad y bajo costo.
Flexibilidad en la elección de voltajes de polarización.
Estabilidad ante variaciones de temperatura.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:32:13 UTC

DESVENTAJAS

Sensibilidad a variaciones de parámetros del transistor.
Sensibilidad a cambios en la fuente de alimentación.
Mayor consumo de potencia.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:34:42 UTC

USOS

Se puede usar en todas las configuraciones del transistor BJT.
Amplificadores de acoplamiento directo.

CIRCUITO 1:

marioastop — 2024-05-16 03:35:53 UTC

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:37:08 UTC

Polarización por realimentación de colector

CIRCUITO 2

marioastop — 2024-05-16 03:39:13 UTC

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:40:08 UTC

VENTAJAS

Garantiza una operación más estable en diferentes entornos térmicos.
Ayuda a mantener un punto de operación estable y predecible para el transistor.
Este método puede compensar las variaciones de ganancia de corriente del transistor.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:42:06 UTC

DESVENTAJAS

Requiere más componentes porque se hace más complejo.
Mayor consumo de energía en comparación con los otros métodos.
Mayor susceptibilidad a ruido y perturbaciones.

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:43:44 UTC

USOS

Amplificadores de señales y potencias.
Circuitos de radiofrecuencia.
Circuitos de amplificación en comunicaciones.

Analizando el circuito en DC

marioastop — 2024-05-16 03:44:32 UTC

De esta manera, los capacitores se abren.

Realizamos un circuito de thevenin para simplificar el circuito.

marioastop — 2024-05-16 03:46:06 UTC

Las ecuaciones de corriente del transistor son:

marioastop — 2024-05-16 03:47:30 UTC

Aplicamos la 2da Ley de Kirchoff en el circuito de thevenin.

marioastop — 2024-05-16 03:48:16 UTC

marioastop — 2024-05-16 03:49:20 UTC

Vth: Voltaje de Thevenin

Rth: Resistencia de Thevenin

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:49:25 UTC

Obtenemos el Data Sheet para el transistor BC548B

marioastop — 2024-05-16 03:53:34 UTC

marioastop — 2024-05-16 03:54:30 UTC

rudyrodriguezc — 2024-05-16 03:59:34 UTC

rudyrodriguezc — 2024-05-16 04:00:20 UTC

Finalmente los valores de las resistencias para ICQ = 2mA , VCEQ = 5 V con un transistor BC548B son:

marioastop — 2024-05-16 04:04:07 UTC

Para hallar la maxima excursion simetrica se procede de manera similar obteniendo los siguientes valores:

marioastop — 2024-05-16 04:04:42 UTC

Se debe tomar en cuenta que para VCEQ max, ICQ = 0 y para ICQ max , VCEQ = 0 .

INTEGRANTES:

marioastop — 2024-05-16 04:14:44 UTC

Asto Perez Mario Arquimides 20211161I

Soplin Barbaran Rudwan Rashid 2021108J

Garcia Chumpitaz Yazmin Odalis 20237017B

Rodriguez Casas Rudy Franco 20210220A

UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA

marioastop — 2024-05-16 04:16:01 UTC

FACULTAD DE INGENIERIA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA

EE428 LABORATORIO DE ELECTRÓNICA I

2024-05-16 04:22:18 UTC