Фотовольтичний модуль — загорнута і електрично з'єднана збірка фотоелектричних комірок (типово 6х10), які об'єднані у фотовольтичну систему для генерації та накопичення електроенергії. Вихідна потужність кожного модуля за стандартних умов використання знаходиться в межах від 100 до 365 ват.

Зазвичай до складу фотовольтичної системи входять панель або група панелей, сонячний перетворювач, а також деколи акумулятор і сонячний трекер

Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник.

Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших. Тому напівпровідникові діоди поділяють: на випрямні, високочастотні та надвисокочастотні, імпульсні, опірні (стабілітрони), чотиришарові перемикаючі PIN-діоди, фотодіоди, світлодіоди, тунельні діоди та інші.

Основні параметри напівпровідникового діода

Щоб з'ясувати характер провідності напівпровідників, розглянемо деякий об'єм ідеальних (з суворо впорядкованим розташуванням ато­мів у вузлах) кристалічних ґраток германію — елемента IV групи пе­ріодичної системи елементів Менделєєва.  На рис.  об'­ємні кристалічні ґратки германію, елементарною геометричною фігурою яких є тетраедр, зображені у вигляді площинних ґраток. У про­цесі формування кристала атоми германію розташовуються у вузлах кристалічних ґраток і зв'язані з іншими атомами за допомогою чоти­рьох валентних електронів. Подвійні лінії між вузлами ґраток умов­но зображують ковалентний зв'язок між кожною парою електронів, що належать двом різним атомам.

Зокрема, на шахтах використовується для контролю місцезнаходження вагонетки, в пристроях автоматизації процесу відкатки та навантаження вугілля в залізничні вагони, визначення рівня завантаження бункерів тощо.

Транзистори, є основними елементами сучасної електроніки. Зазвичай вони застосовуються в підсилювачах і логічних електронних схемах. У мікросхемах в єдиний функціональний блок об'єднані тисячі й мільйони окремих транзисторів.

На принципових електричних схемах, транзистори біля умовних графічних позначень за ГОСТ 2.730-73^[1] додатково позначають^[2] літерно-цифровими позначками, що складаються з дволітерного коду VT та числа-порядкового номеру елемента у схемі, наприклад: VT1, VT24 тощо.

За будовою та принципом дії, транзистори поділяють на два великі класи: біполярні транзистори (БТ) й польові транзистори (ПТ). До кожного з цих класів входять численні типи транзисторів, що відрізняються за будовою і характеристиками.

Щоб з'ясувати характер провідності напівпровідників, розглянемо деякий об'єм ідеальних (з суворо впорядкованим розташуванням ато­мів у вузлах) кристалічних ґраток германію — елемента IV групи пе­ріодичної системи елементів Менделєєва.  На рис.  об'­ємні кристалічні ґратки германію, елементарною геометричною фігурою яких є тетраедр, зображені у вигляді площинних ґраток. У про­цесі формування кристала атоми германію розташовуються у вузлах кристалічних ґраток і зв'язані з іншими атомами за допомогою чоти­рьох валентних електронів. Подвійні лінії між вузлами ґраток умов­но зображують ковалентний зв'язок між кожною парою електронів, що належать двом різним атомам.

Напівпровідниками є речовини, ширина забороненої зони яких становить близько кількох електронвольт (еВ). Наприклад, алмаз можна віднести до широкозонних напівпровідників, а арсенід індію — до вузькозонних. До числа напівпровідників належать багато простих речовин (германій, кремній), величезна кількість сплавів і хімічних сполук (арсенід галію, телурид цинку, фосфід галію та інші). Напівпровідникові властивості мають багато потрійних і складніших хімічних сполук, наприклад ZnSiAs₂. Напівпровідниковими є ціла низка органічних сполук: антрацен, нафтален, фталоціаніни тощо.

Залежно від того, чи віддає домішковий атом електрон, чи захоплює, його називають донорним або акцепторним. Характер домішки може змінюватися залежно від того, який атом ґратки вона заміщує, в яку кристалографічну площину вбудовується.

Тріодні тиристори діляться на запираємі і незапираємі. Незапираємі тиристори не можуть бути переведені в закритий стан (що відображено в їх назві) за допомогою сигналу, що подається на керуючий електрод. Такі тиристори закриваються лише тоді, коли протікаючий через них струм стає меншим від струму утримання. У випадку комутації змінного струму, це, зазвичай, відбувається в кінці напівхвилі.
https://youtu.be/RPj-3OMf48E