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      <title>Padlet Eletrônica Analógica by ERICK KORT KAMP</title>
      <link>https://padlet.com/erick13kort/js29t7r7caex</link>
      <description>Automação industrial/ 2° Ano
Alunos: Erick kort kamp Cunha e Maycon Amaral Felippe</description>
      <language>en-us</language>
      <pubDate>2019-04-03 17:30:33 UTC</pubDate>
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         <title>o que é matéria?</title>
         <author>erick13kort</author>
         <link>https://padlet.com/erick13kort/js29t7r7caex/wish/348199126</link>
         <description><![CDATA[<div>matéria é tudo o que tem massa e ocupa lugar no espaço.<br><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-03 17:30:51 UTC</pubDate>
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         <title>o que é Átomo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div>o átomo é a unidade fundamental da matéria.</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-03 17:34:32 UTC</pubDate>
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         <title>Camada de valência</title>
         <author>erick13kort</author>
         <link>https://padlet.com/erick13kort/js29t7r7caex/wish/348202203</link>
         <description><![CDATA[<div>É a última camada de distribuição eletrônica de um átomo. Por ser a camada mais externa, também é a que fica mais distante do núcleo atômico.<br><br><br>Fonte: <a href="https://www.google.com/search?q=camada+de+valencia&amp;rlz=1C1GCEA_enBR835BR835&amp;oq=camada++de+valencia&amp;aqs=chrome..69i57j0l5.13198j0j7&amp;sourceid=chrome&amp;ie=UTF-8">https://www.google.com/search?q=camada+de+valencia&amp;rlz=1C1GCEA_enBR835BR835&amp;oq=camada++de+valencia&amp;aqs=chrome..69i57j0l5.13198j0j7&amp;sourceid=chrome&amp;ie=UTF-8</a></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-03 17:36:37 UTC</pubDate>
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         <title>Camada de Valencia</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[]]></description>
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         <pubDate>2019-04-03 17:40:07 UTC</pubDate>
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         <title>Bandas de Energia</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[]]></description>
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         <pubDate>2019-04-03 17:46:01 UTC</pubDate>
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      </item>
      <item>
         <title>Material condutor, isolantes e Semicondutores.</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div><strong>Condutores</strong>:  <br>Condutividade é a propriedade da matéria de permitir que as cargas elétricas fluam em seu interior. Bons condutores são materiais que permitem que os elétrons se desloquem facilmente.<br><br>Os metais, em geral, são ótimos condutores de eletricidade. Neles, os elétrons fluem com facilidade. Por isso, o cobre, o alumínio e o estanho costumam ser empregados na fabricação de fios elétricos.<br><br><strong>Material Isolante</strong>:<br>Eles são também chamados de dielétricos. Os elétrons que formam esses materiais não têm facilidade de movimentação, tendo em vista a forte ligação entre eles e o núcleo atômico. Isopor, borracha, madeira seca, vidro, entre outros, são exemplos de materiais isolantes elétricos.<br><br><strong>Materiais Semicondutores:</strong><br>Os materiais denominados de semicondutores possuem propriedades elétricas intermediárias entre condutores e isolantes. As condições físicas às quais o material é submetido determinam se ele se comportará como condutor ou como um isolante. <br><br>Fonte: <a href="https://mundoeducacao.bol.uol.com.br/fisica/condutores-1.htm">https://mundoeducacao.bol.uol.com.br/fisica/condutores-1.htm</a><br> Fonte: <a href="https://mundoeducacao.bol.uol.com.br/fisica/condutores-isolantes.htm">https://mundoeducacao.bol.uol.com.br/fisica/condutores-isolantes.htm</a></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-03 17:48:55 UTC</pubDate>
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         <title>Material condutor</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <title>Material Isolante</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <pubDate>2019-04-03 18:09:02 UTC</pubDate>
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         <title>Material Semicondutor</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <pubDate>2019-04-03 18:11:31 UTC</pubDate>
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         <title>Semicondutor Intrínseco</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<ul><li><strong>Germânio</strong></li><li><strong>silício</strong></li></ul><div><br>É aquele encontrado na natureza na sua forma mais pura, ou seja a concentração de portadores de carga positiva é igual à concentração de portadores de carga negativa.<br>Os semicondutores intrinsecos são poucos utilizados nas industrias pois possuem baixa condutividade elétrica e a condutividade elétrica depende muito da temperatura.<br><br>Fonte: <a href="http://www.lsi.usp.br/~eletroni/milton/matpn.htm">http://www.lsi.usp.br/~eletroni/milton/matpn.htm</a></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-03 18:13:33 UTC</pubDate>
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         <title>Semicondutor Intrínseco</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <title>Germânio</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <pubDate>2019-04-03 18:24:36 UTC</pubDate>
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         <title>Silício</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <pubDate>2019-04-03 18:25:58 UTC</pubDate>
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         <title>Semicondutor extrínseco</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div> <br>Semicondutores extrínsecos ou dopados são<strong> </strong>semicondutores intrínsecos onde introduzimos uma impureza para controlarmos as características elétricas do semicondutor. No caso do silício, como material semicondutor estas impurezas são elementos da coluna III (trivalentes) ou da coluna V (pentavalente) da tabela periódica. <br><br><br>Fonte: <a href="https://www.google.com/search?q=material+do+tipo+p+e+n&amp;rlz=1C1GCEA_enBR829BR829&amp;oq=material+do+tipo+p+e+n&amp;aqs=chrome..69i57j0l3.6742j0j7&amp;sourceid=chrome&amp;ie=UTF-8">https://www.google.com/search?q=material+do+tipo+p+e+n&amp;rlz=1C1GCEA_enBR829BR829&amp;oq=material+do+tipo+p+e+n&amp;aqs=chrome..69i57j0l3.6742j0j7&amp;sourceid=chrome&amp;ie=UTF-8</a> </div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 17:00:26 UTC</pubDate>
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      <item>
         <title>Barreira de potencial e temperatura</title>
         <author>mayconaamaral</author>
         <link>https://padlet.com/erick13kort/js29t7r7caex/wish/348630229</link>
         <description><![CDATA[<ul><li>Barreira de potencial</li></ul><div>Um aumento na temperatura de junção gera mais elétrons livres e lacunas nas regiões dopadas.<br><br></div><ul><li>Quando o diodo está conduzindo a temperatura de junção é mais alta que a temperatura ambiente por causa do calor gerado pela recombinação</li></ul><div><br></div><ul><li>Polarização direta</li></ul><div> A parte negativa N possui excesso de elétrons. A condução de corrente elétrica dependerá da forma como o diodo está polarizado, podendo ser de duas formas:Polarização<strong> </strong>direta: Nesse tipo de polarização o polo positivo da fonte de tensão está conectado ao lado P do diodo. <br><br></div><ul><li>A barreira de potencial de um diodo de silício diminui a uma taxa de 2mV por aumento de grau centígrado na temperatura</li></ul><div><br></div><div><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 17:06:07 UTC</pubDate>
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      </item>
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         <title>Material tipo P</title>
         <author>erick13kort</author>
         <link>https://padlet.com/erick13kort/js29t7r7caex/wish/348630768</link>
         <description><![CDATA[<ul><li>Lacunas: Representadas pelo sinal+</li><li>Elétrons livres: representados pelo sinal-</li></ul>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 17:07:04 UTC</pubDate>
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         <title>Material tipo N</title>
         <author>erick13kort</author>
         <link>https://padlet.com/erick13kort/js29t7r7caex/wish/348633457</link>
         <description><![CDATA[<ul><li>Elétrons livres: representados pelo sinal-</li><li>Lacunas: Representados pelo sinal+</li></ul>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 17:11:05 UTC</pubDate>
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         <title>Junção do material P+N(PN)</title>
         <author>erick13kort</author>
         <link>https://padlet.com/erick13kort/js29t7r7caex/wish/348635425</link>
         <description><![CDATA[]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 17:14:53 UTC</pubDate>
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         <title>Corrente reversa e temperatura</title>
         <author>mayconaamaral</author>
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         <description><![CDATA[<div>Polarização reversa</div><ul><li>Quanto maior a temperatura da junção, maior a corrente de saturação reversa.</li><li>Se a variação de temperatura for menor do que 10°C, a variação na corrente de saturação é de 7% para cada graus Celsius de aumento.</li></ul><div><strong>Corrente de fuga da superfície</strong></div><ul><li>Corrente causadas pelas impurezas da superfície e imperfeições na estrutura do cristal</li></ul><div><strong>Aproximação do diodo</strong></div><ul><li>Aproximação ideal -&gt; analise de defeito</li><li>2° aproximação -&gt; soluções rápidas e fáceis na maioria dos casos</li><li>3° aproximação -&gt; melhor precisão ou soluções por computador</li></ul><div><strong>Resistência do diodo</strong></div><ul><li>Uma vez vencida a barreira de potencial, tudo o que impede a passagem de corrente é a resistência ôhmica das regiões P e N</li></ul><div><br></div><ul><li> A resistência de corpo de um diodo pode ser medido analisando a relação entre a corrente e a tensão sobre o diodo no momento em que o diodo começa a conduzir, momento este também conhecido como tensão de joelho, ponto em que a tensão ultrapassa a barreira de potencial nominal do diodo. Para um diodo de silício com baixa dopagem, a barreira de potencial ou tensão de joelho está em torno de 0,7V, e para um diodo de germânio a tensão de joelho está em torno de 0,3V. </li></ul>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-04 17:23:37 UTC</pubDate>
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         <title>Polarização do Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
         <link>https://padlet.com/erick13kort/js29t7r7caex/wish/348884407</link>
         <description><![CDATA[<div>Polarização reversa:<br><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 12:04:15 UTC</pubDate>
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         <title>Polarização do Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div>Polarização reversa;<br><br></div>]]></description>
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         <title>Polarização do Diodo </title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div>Polarização reversa:<br><br></div>]]></description>
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         <title>Polarização do Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div>Polarização Direta:<br><br></div>]]></description>
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         <title>polarização do Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div>Polarização Direta:<br><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 12:14:38 UTC</pubDate>
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      </item>
      <item>
         <title>Polarização do Diodop</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div>Polarização Direta:</div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 12:15:55 UTC</pubDate>
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      <item>
         <title>1° aproximação do diodo ( diodo ideal</title>
         <author>mayconaamaral</author>
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         <pubDate>2019-04-05 12:17:14 UTC</pubDate>
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         <title>Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <pubDate>2019-04-05 12:17:43 UTC</pubDate>
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      <item>
         <title>2° aproximação </title>
         <author>mayconaamaral</author>
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         <pubDate>2019-04-05 12:19:22 UTC</pubDate>
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      <item>
         <title>Simbologia do Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <pubDate>2019-04-05 12:20:12 UTC</pubDate>
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      <item>
         <title>3° aproximação</title>
         <author>mayconaamaral</author>
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         <pubDate>2019-04-05 12:21:10 UTC</pubDate>
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         <title>Curva do Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div>polarização direta:<br><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 12:21:29 UTC</pubDate>
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      <item>
         <title>Curva do Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div>Polarização reversa:<br><br></div>]]></description>
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         <title></title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<div><strong>Aula 1 e 2</strong></div>]]></description>
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      </item>
      <item>
         <title>Aula 3</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <pubDate>2019-04-05 12:27:37 UTC</pubDate>
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      </item>
      <item>
         <title>Polarização direta ( tensão de joelho) e reversa ( tensão de ruptura)</title>
         <author>mayconaamaral</author>
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         <description><![CDATA[]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 12:28:37 UTC</pubDate>
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      </item>
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         <title>Polarização do Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<ul><li>Reversa</li></ul><div><br></div>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 12:28:42 UTC</pubDate>
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         <title>Polarização do Diodo </title>
         <author>erick13kort</author>
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         <description><![CDATA[<ul><li>Direta</li></ul>]]></description>
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         <pubDate>2019-04-05 12:30:18 UTC</pubDate>
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         <title>Diodo</title>
         <author>erick13kort</author>
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         <pubDate>2019-04-05 12:32:35 UTC</pubDate>
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         <title>Aula 4</title>
         <author>erick13kort</author>
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