Esta es la parte de la memoria RAM que soporta a todos los demás componentes y pistas eléctricas que comunican cada parte. Cada una de esas placas de componentes son las que cuentan con diferentes tamaños de almacenamiento. Recuerda que mientras mayor sea la capacidad, el funcionamiento de la memoria RAM será más ágil. 

2. Bancos de memoria

   Los bancos de memoria están compuestos por los chips de circuitos integrados que se encuentran dentro y permiten formar celdas de almacenamiento. Básicamente, estos elementos de la memoria RAM permiten almacenar la información en forma de bits.

   Como bien mencionamos, la retención de la memoria RAM es provisional y, para que esto sea posible, es necesario una corriente eléctrica constante. Es por ello que, al apagar la computadora, los bancos de memoria dejan de almacenar y se pierde la información. 

   
   

3. Reloj

   Este es un componente muy importante para el funcionamiento de la memoria RAM, sobre todo, en las más nuevas. Este reloj interno permite sincronizar la memoria RAM con el procesador de la computadora. De esta manera, se logran mejorar los tiempos de acceso y la comunicación entre ambos complementos de la computadora.

   
   

4. Chip SPD

   Este chip es el encargado de almacenar todos los datos relacionados al módulo de la memoria RAM. Son pequeños y, usualmente, se ubican en la parte central de la memoria RAM. Su función principal es que el dispositivo, ya sea una computadora o laptop, reconozca si la memoria RAM instalada permite la ejecución de los programas. 

   
   

5. Bus de conexión

   El bus de conexión es la linea de color amarillo que suele estar ubicado en la parte posterior de la memoria RAM. Su función es asegurar que el funcionamiento de la memoria RAM y el de la placa base estén sincronizados. Gracias a esto, siempre será posible ampliar la capacidad de una memoria RAM, añadiendo un módulo nuevo a la placa base. 

    
   

• Memorias asincrónicas o DRAM. Este tipo de memorias RAM son aquellas que no cuentan con reloj interno, por lo que no existe la manera de sincronizar la frecuencia del procesador con la frecuencia de la misma memoria. En la actualidad, ya casi no se ven este tipo de memorias, ya que no permiten sacar un máximo funcionamiento de la memoria RAM. 

• Memorias sincrónicas o SDRAM. Por el contrario, las memorias SDRAM son aquellas que ya cuentan con un reloj implementado que permiten un mejor rendimiento de la memoria. Entre los tipos de memorias sincrónicas más famosas del momento tenemos la Rambus DRAM, DDR SDRAM, entre otras. 

• Tamaño: la capacidad influye mucho en un óptimo funcionamiento de la memoria RAM. Por ejemplo, según Carlos Montoya, experto en arquitectura y profesor de nuestro  curso online de Crea un espacio arquitectónico con 3D Max y Vray, los programas de diseño arquitectónico necesitan al menos 8 GB de memoria RAM para trabajar de forma decente. Por ejemplo, si quieres utilizar presets de Adobe 3D Max, se recomienda una memoria de al menos ese tamaño. Lo mismo sucede en el mundo del gaming. 

• Dual Channel en la placa: otra forma de poner a prueba la memoria RAM es determinar si la placa permite el Dual Channel. De esta manera, además de poder ampliar la capacidad de memoria, lograremos mejorar el rendimiento. Por ejemplo, esto es muy importante en las computadoras para diseño gráfico.

• Latencia: es importante tener en cuenta esto, ya que, mientras menor sea el tiempo de latencia, el rendimiento de la memoria RAM será más alto. Tarda menos tiempo en realizar la búsqueda y la escritura de datos. Sin embargo, deben ir de la mano de una buena capacidad de transferencia y de frecuencia.  

La memoria ROM sirve para almacenar programas firmware, es decir, almacenar programas de sistema operativo, intérpretes de lenguajes, programas de control (encender el equipo); programar tablas de información (tablas de uso numéricos); y otros programas que no necesitan ser modificados o actualizados constantemente.

Memoria PROM: La memoria programable de solo lectura o PROM es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez.

Memoria EPROM: EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory. Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil inventado por el ingeniero Dov Frohman de Intel.​ Está formada por celdas de FAMOS o "transistores de puerta flotante", ​ cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1.

Memoria Flash EPROM: La memoria flash es un medio de almacenamiento de memoria de computadora electrónico no volátil que se puede borrar y reprogramar eléctricamente. Los dos tipos principales de memoria flash, NOR flash y NAND flash, reciben su nombre de las puertas lógicas NOR y NAND.

Memoria NAND Flash: NAND es una memoria Flash no volátil que puede mantener datos incluso sin estar conectada a una fuente de alimentación. La capacidad de retención de datos sin alimentación convierte a NAND en una excelente opción para dispositivos internos, externos y portátiles.

2. Velocidad de escritura

Para los tipos de ROM que puedan ser modificados eléctricamente, la velocidad de escritura siempre es mucho más lenta que la velocidad de lectura, pudiendo requerir voltaje excepcionalmente alto, movimiento de jumpers para habilitar el modo de escritura, y comandos especiales de desbloqueo. Las memorias Flash NAND logran la más alta velocidad de escritura entre todos los tipos de memoria ROM reprogramable, escribiendo grandes bloques de celdas de memoria simultáneamente, y llegando a 15 MB/s.

En las ROM con máscara los datos están físicamente codificados en el mismo circuito, así que solo se pueden programar durante la fabricación. Esto acarrea serias desventajas:

1. Solo es económico comprarlas en grandes cantidades, ya que el usuario contrata fundiciones para producirlas según sus necesidades.

2. El tiempo transcurrido entre completar el diseño de la máscara y recibir el resultado final es muy largo.

3. No son prácticas para I+D por el hecho de que los desarrolladores necesitan cambiar el contenido de la memoria mientras refinan un diseño.

4. Si un producto tiene un error en la máscara, la única manera de arreglarlo es reemplazando físicamente la ROM por otra.

Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias, así pues se creó la memoria de solo lectura programable (PROM). Inventada en 1956, permitía a los usuarios modificarla solo una vez, alterando físicamente su estructura con la aplicación de pulsos de alto voltaje. Esto eliminó los problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que una compañía podía pedir un gran lote de PROMs vacías y programarlas con el contenido necesario elegido por los diseñadores. En 1971 se desarrolló la memoria de solo lectura programable y borrable (EPROM) que permitía reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el punto 3 de la anterior lista. Más tarde, en 1983, se inventó la EEPROM,³​ resolviendo el conflicto número 4 de la lista ya que se podía reprogramar el contenido mientras proveyese un mecanismo para recibir contenido externo (por ejemplo, a través de un cable serial). En medio de la década de 1980 Toshiba inventó la memoria flash, una forma de EEPROM que permitía eliminar y reprogramar contenido en una misma operación mediante pulsos eléctricos miles de veces sin sufrir ningún daño.

Todas estas tecnologías mejoraron la versatilidad y flexibilidad de la ROM, pero lo hicieron a expensas de un alto incremento del costo por chip. Por eso las ROM de máscara se mantuvieron como la solución económica durante bastante tiempo. Esto fue así aproximadamente hasta el año 2000, cuando el precio de las memorias reprogramables hubo descendido lo suficiente como para comenzar a desplazar a las ROM no reprogramables del mercado.

El producto más reciente es la memoria NAND, otra vez desarrollada por Toshiba.⁴​ Los diseñadores rompieron explícitamente con las prácticas del pasado, afirmando que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros", más que tener el tradicional uso de la ROM como una forma de almacenamiento primario no volátil. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los shocks físicos, una miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoria MicroSD), y un consumo de potencia mucho más bajo.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits de memoria y para el siguiente año se presentó una memoria DRAM de 1024 bits, referencia 1103 que se constituyó en un hito, ya que fue la primera en ser comercializada con éxito, lo que significó el principio del fin para las memorias de núcleo magnético. En comparación con los integrados de memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tenía un desempeño mayor que la memoria de núcleos.

En 1973 se presentó una innovación que permitió otra miniaturización y se convirtió en estándar para las memorias DRAM: la multiplexación en tiempo de la direcciones de memoria. MOSTEK lanzó la referencia MK4096 de 4096 bytes en un empaque de 16 pines,²​ mientras sus competidores las fabricaban en el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento​ se convirtió en un estándar de facto debido a la gran popularidad que logró esta referencia de DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayoría de computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se instalaban en zócalos, de modo que ocupaban un área extensa de circuito impreso. Luego se hizo obvio que instalar la RAM en el impreso principal impedía miniaturizar, entonces se idearon los primeros módulos de memoria como el SIPP, usando las ventajas de la construcción modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior. Eliminó los pines metálicos y dejó áreas de cobre en uno de los bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansión, de hecho los módulos SIPP y los primeros SIMM tienen igual distribución de pines.

La ROM es la memoria no volátil lo que significa que la información se almacena de forma permanente en el chip. La memoria no depende de la corriente eléctrica para guardar los datos. Al contrario, los datos se escriben en celdas individuales usando el código binario. La memoria no volátil se utiliza en las partes de la computadora que no cambian, como la porción de arranque inicial del software o las instrucciones del firmware que hacen funcionar a la impresora. Apagar la computadora no tiene ningún efecto sobre la ROM. Los usuarios no pueden cambiar la memoria no volátil.

En conclusión, podemos entonces decir que la memoria ROM se invento con el objetivo de guardar en ella todos los programas necesarios para el arranque del computador y datos importantes temporales que el ordenador necesitara, ya que en un principio esta memoria no se podía ni reescribir ni borrar.

  Podemos observar que mientras nuestras necesidades como usuarios crecen, aparecen nuevas tecnologías los desarrolladores han hecho evolucionar a la antigua mascara ROM para  así añadirle más propiedades (borrar información, reescribir en la memoria, etc.) para minimizar y extinguir las desventajas que esta poseía.