Trabajo Colaborativo: Transistores by VENTOCILLA LAZARO JAIR ANGEL https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls Hecho con asombro en-us 2020-12-20 02:31:06 UTC 2025-10-18 13:29:14 UTC hello@padlet.com GRUPO H jventocillal https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033886807
  • Molina Trejo, Hilario Vijay
  • Orihuela Erazo, Jehyson Efrain
  • Ventocilla Lázaro, Jair Angel

    • ]]>     2020-12-20 02:34:06 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033886807     1.- Ventocilla Lázaro, Jair Angel jventocillal https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033894176 Fototransistores en fibras ópticas

    Los fototransistores son transductores electroópticos estrechamente relacionados que convierten la luz incidente en corriente eléctrica en aplicaciones tales como detección de posición/presencia, medición de intensidad de luz y detección de pulso óptico de alta velocidad.
    ]]>     2020-12-20 02:48:07 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033894176     Símbolo jventocillal https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033898409 El circuito equivalente de un fototransistor es un fotodiodo con su fotocorriente de salida que va a la base de un transistor de señal pequeña.]]> 2020-12-20 02:55:38 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033898409 Ventajas jventocillal https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033900935 Al dirigirse a enlaces de fibra óptica a velocidades de hasta 622 Mbits/s, la salida del TIA Maxim Integrated MAX3658 está diseñada para impulsar un par equilibrado de cables coaxiales de 75 ohm para mantener la integridad de la señal. ]]> 2020-12-20 03:00:11 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033900935 Circuito jventocillal https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033901493 2020-12-20 03:01:06 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033901493 Funcionamiento jventocillal https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033902354 Un fotodiodo para un enlace de fibra óptica de comunicaciones se preocupa por la velocidad, mientras que su respuesta espectral es menos crítica ya que el espectro de LED de fuente es conocido, y se puede adaptar al sensor con el emparejamiento de sensibilidad general incluido en el diseño.

    ]]>     2020-12-20 03:02:28 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1033902354     INTRODUCCION hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034903348  Durante los últimos años las comunicaciones en la banda de microondas han experimentado un gran crecimiento, motivado principalmente por el auge de las comunicaciones móviles (3G, Wifi, Wimax, etc) las comunicaciones por satélite, TV de alta definición, array de rádares y diversas aplicaciones militares



    ]]>     2020-12-21 00:38:49 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034903348     2.Molina Trejo ,hilario hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034905689 Transistores GaN para comunicaciones]]> 2020-12-21 00:40:14 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034905689 CARACTERISTICAS DE UN SEMICONDUCTOR GaN hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034911457  Las características que dan lugar a estas formidables capacidades como dispositivos de alta potencia son las siguientes. ]]> 2020-12-21 00:43:58 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034911457 hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034915517  1. Amplia banda prohibida (bandgap) de los semiconductores de la familia de GaN, dos o tres veces superiores a los semiconductores tradicionales de GaAs y Si [1]. Esto se traduce en la capacidad de alcanzar elevados campos eléctricos internos dando lugar a una tensión de ruptura mayor ]]> 2020-12-21 00:46:40 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034915517 hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034919474  2. Elevada conductividad térmica en contraposición a los semiconductores convencionales, lo que le permite operar a grandes temperaturas. Esto evita la necesidad de disponer de disipadores permitiendo así su uso en multitud de aplicaciones móviles. ]]> 2020-12-21 00:49:06 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034919474 hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034925195 2020-12-21 00:52:52 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034925195 hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034927573  3. Movilidad de electrones sustancialmente inferior a los semiconductores de GaAs lo que imposibilita su uso para muy altas frecuencias, aun así en heteroestructuras de AlGaN/GaN se han podido alcanzar frecuencias de 100 GHz [1]. ]]> 2020-12-21 00:54:04 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034927573 hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034933347 2020-12-21 00:57:51 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034933347 Dispositivos utilizados: hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034939362  Existe un amplio abanico de posibilidades para diseñar transistores de microondas como por ejemplo MESFET, HEMT, HBT, pero la gran mayoría de los transistores empleados para aplicaciones de potencia en el rango de las microondas en tecnología de GaN son los MESFET y HEMT. Esto es debido a la imposibilidad de realizar transistores bipolares, dada la dificultad del dopado p en el GaN, que sería el otro tipo de transistores capaces de alcanzar grandes valores de movilidad. El resto de transistores (MOSFET) no son idóneos para aplicaciones superiores a 1 Ghz debido a su reducida movilidad ]]> 2020-12-21 01:01:40 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034939362 Futuro de la tecnología GaN hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034944115 Ante los problemas que presentan los transistores AlGaN-GaN de colapso de corriente de drenador en RF, aparición de ruido no lorentciano y el efecto de 27 fotoconductividad persistente, todos ellos causados por la presencia de trampas de superficie, se han buscado nuevas tecnologías para la fabricación de estos dispositivos que no se vean afectados por la presencia de estas trampas de superficie. Una estructura que en principio parece no verse afectada por estos efectos [11] se consigue sustituyendo la capa AlGaN por una capa de InAlN. Las medidas tomadas para este nuevo dispositivo demuestran las excelentes propiedades para el diseño de HEMT de alta potencia y los presenta como una posible alternativa a los transistores AlGaN/GaN si bien aun no está implantada y los únicos transistores que se conocen han sido diseñados en laboratorios y carecen de un uso comercial. ]]> 2020-12-21 01:04:44 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034944115 Transistor GaN de potencia hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034956713  el transistor GaN de potencia RF, un dispositivo GaN con mayor rendimiento de banda ancha y de disipación térmica que incorpora con un transistor de onda continua (CW) de 125 W.

    ]]>     2020-12-21 01:12:31 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034956713     Usos del transistor GaN de potencia hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034962641 Al ampliar el ancho de banda operativo, el nuevo MMRF5014H es ideal en amplificadores de banda ancha en equipos científicos y comunicaciones militares, incluyendo jammers, radares y sistemas de guerra electrónica.

    ]]>     2020-12-21 01:16:20 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034962641     Transistores GaN para comunicaciones hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034973499 transistores GaN para comunicaciones por radio y radares por radiofrecuencia (RF) de nitruro de galio (GaN) QPD de Qorvo.


    Basados en la tecnología de GaN en carburo de silicio (GaN on SiC), estos transistores GaN para comunicaciones de alta movilidad de electrones (HEMT) con un transistor de amplificador de potencia compartida monofase ofrecen un amplio rango de frecuencia, potencia de salida y tensiones operativas para aplicaciones de elevada eficiencia.

    ]]>     2020-12-21 01:22:32 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034973499     hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034978880 2020-12-21 01:25:39 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034978880 Ventajas hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034984333 Gran ancho de banda prohibida (3.4EV), alta conductividad térmica (1.3W / cm-K), alta temperatura de funcionamiento, alto voltaje de ruptura, fuerte resistencia a la radiación;]]> 2020-12-21 01:29:05 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034984333 hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034986938 2020-12-21 01:30:43 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034986938 Defiiencias y problemas (desventajas) hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034988096 Por un lado, teóricamente debido a la relación entre su estructura de banda de energía, el portador tiene una gran masa efectiva y una propiedad de transporte pobre, por lo que la movilidad del campo eléctrico es baja y el rendimiento de alta frecuencia bajo.]]> 2020-12-21 01:31:32 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034988096 hilariomolinat https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034989606 La concentración de portadores (electrones) a temperatura ambiente de GaN no dopado es tan alta como 1017 cm-3 (posiblemente relacionada con la vacante de N, sustitución de Si, sustitución de O, etc.) y presenta conductividad de tipo N]]> 2020-12-21 01:32:28 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1034989606 3. Orihuela Erazo, Jehyson Efrain jorihuelae https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035196397 El transistor bipolar de heterounión (HBT)
    Los transistores bipolares de hetorounion (HBT) son utilizados hoy dia en la realizacion de osciladores y amplificadores en el rango de frecuencias de microondas, debido a que la presencia de una heterounion en su constitucion permite realizar un mayor dopaje de la base, lo que conduce a una reduccion de la resistencia de esta sin degradar la ganancia. 
    ]]>     2020-12-21 03:58:00 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035196397     jorihuelae https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035203925 2020-12-21 04:04:37 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035203925 jorihuelae https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035208699 2020-12-21 04:08:37 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035208699 jorihuelae https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035212937  La inyección de portadores mejorada en la base permite que esta pueda tener un mayor nivel de dopaje, lo que resulta en una menor resistencia. ]]> 2020-12-21 04:12:03 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035212937 jorihuelae https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035216048 2020-12-21 04:14:58 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035216048 jorihuelae https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035219113 2020-12-21 04:17:45 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035219113 En resumen: jorihuelae https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035224991  El transistor bipolar de heterounión (TBH) es una mejora del TBJ que puede manejar señales de muy altas frecuencias, de hasta varios cientos de GHz. Es un dispositivo muy común hoy en día en circuitos ultrarrápidos, generalmente en sistemas de radiofrecuencia. ]]> 2020-12-21 04:23:01 UTC https://padlet.com/jventocillal/aiapytxgzfib51ls/wish/1035224991