# data[].attributes.headline
відповідальні:

# data[].attributes.subject
відповідальні:

# data[].attributes.body
Сілютін В.

# data[].attributes.headline
відповідальні:

# data[].attributes.subject
відповідальні:

# data[].attributes.body
Бикова О.
Чміленко С.,
.

# data[].attributes.headline
відповідальні:

# data[].attributes.subject
відповідальні:

# data[].attributes.body
Боброва А.
Нерощин Д.

# data[].attributes.headline
відповідальні:

# data[].attributes.subject
відповідальні:

# data[].attributes.body
Губко Р.
Шепіль  С.

# data[].attributes.headline
відповідальні:

# data[].attributes.subject
відповідальні:

# data[].attributes.body
Ушкалов Б.
Мисливченко Д

# data[].attributes.headline
відповідальні: 

# data[].attributes.subject
відповідальні: 

# data[].attributes.body
Буланов О.

# data[].attributes.headline
відповідальний 

# data[].attributes.subject
відповідальний 

# data[].attributes.body
Чемоданова Л.
Вовк К.

# data[].attributes.headline
відповідальний: 

# data[].attributes.subject
відповідальний: 

# data[].attributes.body
Шкурко К
Коцар Н.

# data[].attributes.headline
відповідальні:

# data[].attributes.subject
відповідальні:

# data[].attributes.body
Лисенко М.
Антоненко А.

# data[].attributes.headline
відповідальний:

# data[].attributes.subject
відповідальний:

# data[].attributes.body
Шаповал Б
Єфанов П

# data[].attributes.headline
відповідальний :

# data[].attributes.subject
відповідальний :

# data[].attributes.body
Клівенков М.
Коханий Б.

# data[].attributes.body
Сонячна панель — тип збірних панелей для поглинання енергії сонячних променів та її перетворення у електричну чи теплову.

Фотовольтичний модуль — загорнута і електрично з'єднана збірка фотоелектричних комірок (типово 6х10), які об'єднані у фотовольтичну систему для генерації та накопичення електроенергії. Вихідна потужність кожного модуля за стандартних умов використання знаходиться в межах від 100 до 365 ват.

Зазвичай до складу фотовольтичної системи входять панель або група панелей, сонячний перетворювач, а також деколи акумулятор і сонячний трекер

# data[].attributes.body
Переваги сонячної батареї:

невелика маса і габарити;

невисока вартість у порівнянні, наприклад, з паливними елементами;

простота конструкції;

тривалий термін експлуатації.

Вади:

неможливість видавати вночі таку ж вихідну потужність, як вдень, що вимагає використання акумулятора або іоністора, який заряджався б вдень ​​для підтримки роботи навантаження в темряві;

різка залежність вихідної потужності від кута падіння променів на світлочутливу поверхню, що змушує використовувати автоматичні системи орієнтування в просторі;

неможливість отримати потужність з квадратного метра сонячної батареї більше 0,1 кВт, використовуючи дешеві матеріали;

швидка деградація фотоелементів в умовах підвищеного радіаційного фону і проникаючої радіації.

# data[].attributes.headline
Напівпровідниковий д

# data[].attributes.body
Напівпровідниковий діод - це  напівпровідниковий прилад з одним електричним переходом і двома висновками, в якому використовуються властивості р-n-переходу.

Основні параметри напівпровідникового діода
• Is — струм насичення (тепловий струм);
• Rб — опір бази діода;
• Rа — активний опір;
• RД — диференційний опір;
• Cб — бар'єрна ємність;
• СД — дифузійна ємність
• Rтп к — тепловий опір перехід-корпус;
• Кв — коефіцієнт випростування;
• φк — контактна різниця потенціалів.

за фізичними процессами діоди бувають:

тунельні (діоди Лео Есакі) — напівпровідникові елементи електричного кола з нелінійною вольт-амперною характеристикою, на якій існує ділянка з від'ємною диференційною провідністю, наявність якої базується на кванотово-механічних ефектах. Застосовуються як підсилювачі, генератори тощо;
лавинно-пролітні напівпровідникові діоди, що працюють в режимі лавинного розмноження носіїв заряду при зворотному зміщенні електричного переходу та призначені для генерування надвисокочастотних коливань;

фотодіоди — це приймачі оптичного випромінювання, які перетворюють світло, що падає на його фоточутливу область в електричний заряд за рахунок процесів в p-n переході. Його можна класифікувати як напівпровідниковий діод, в якому використовується залежність його вольт-амперної характеристики від освітленості;

світлодіоди (англ. LED — light-emitting diode) — напівпровідникові пристрої, що випромінюють некогерентне світло, при пропусканні через них електричного струму (ефект, відомий як електролюмінесценція). Випромінюване світло традиційних світлодіодів лежить у вузькій ділянці спектру, а його колір залежить від хімічного складу використаного у світлодіоді напівпровідника. Сучасні світлодіоди можуть випромінювати світло від інфрачервоної ділянки спектру до близької до ультрафіолету

діоди Ганна — тип напівпровідникових діодів, що використовується для генерації та перетворення коливань у діапазоні НВЧ. На відміну від інших типів діодів, принцип дії діода Ганна заснований не на властивостях p-n переходів, а на власних об'ємних властивостях напівпровідника.

# data[].attributes.attachment_link.title
Лабораторний стенд для дослідження напівпровідникових діодів

# data[].attributes.body
Напівпровіднико́вий діо́д (англ. semiconductor (crystal) diode) — напівпровідниковий прилад з одним випрямним електричним переходом і двома зовнішніми виводами. На відміну від інших типів діодів, принцип дії напівпровідникового діода ґрунтується на явищі p-n переходу.

Випрямним електричним переходом в напівпровідникових діодах може бути електронно-дірковий перехід, гіперперехід або контакт метал-напівпровідник.

Випрямний перехід, окрім ефекту випрямлення, має й інші властивості, що використовуються для створення різних видів напівпровідникових діодів: випрямних діодів, стабілітронів, лавинно-пролітних діодів, тунельних діодів, варикапів та інших. Тому напівпровідникові діоди поділяють: на випрямні, високочастотні та надвисокочастотні, імпульсні, опірні (стабілітрони), чотиришарові перемикаючі PIN-діоди, фотодіоди, світлодіоди, тунельні діоди та інші.

Основні параметри напівпровідникового діода

Редагувати

Is — струм насичення (тепловий струм);

Rб — опір бази діода;

Rа — активний опір;

RД — диференційний опір;

Cб — бар'єрна ємність;

СД — дифузійна ємність

Rтп к — тепловий опір перехід — корпус;

Кв — коефіцієнт випростування;

φк — контактна різниця потенціалів.

# data[].attributes.headline
Теристор - напівпров

# data[].attributes.body
Теристор - напівпровідниковий прилад вентильного типу, який відкривається для пропускання електричного струму при досягненні порогового значення напруги між анодом і катодом або за умови подачі невеликої напруги на керуючий електрод. Також цей електронний  компонент часто називають напівпровідниковим керованим вентилем. За кількістю зовнішніх виводів розрізняють: діодні тиристори (диністори, мають два зовнішні виводи), тріодні тиристори (триністори, мають три зовнішні виводи) та тетродні тиристори (мають чотири зовнішні виводи).За напрямком протікання струму у відкритому стані тиристори поділяються на симетричні (пропускають струм в одному напрямку — від анода до катода) і несиметричні (пропускають струм в обидвох напрямках). Симетричні тиристори виготовляються з п'яти шарів напівпровідників.
Симетричний діодний тиристор називають також діаком. Симетричний тріодний тиристор (симістор) називають . Слід зауважити, що замість симетричних діодних тиристорів (діаків) часто застосовуються їхні схемотехнічні аналоги, у тому числі й інтегральні, що мають, зазвичай, кращі параметри.

Тріодні тиристори діляться на запираємі і незапираємі. Незапираємі тиристори не можуть бути переведені в закритий стан (що відображено в їх назві) за допомогою сигналу, що подається на керуючий електрод. Такі тиристори закриваються лише тоді, коли протікаючий через них струм стає меншим від струму утримання. У випадку комутації змінного струму, це, зазвичай, відбувається в кінці напівхвилі.
https://youtu.be/RPj-3OMf48E

# data[].attributes.headline
Характерною особливі

# data[].attributes.body
Характерною особливістю напівпровідників є сильна зміна їхнього питомого опору під дією електричного поля, опромінення світлом або іонізованими частинками, а також при внесенні в напівпровідник домішки або внаслідок його нагрівання. При нагріванні питомий опір провідників збільшується, а напівпровідників і діелектриків — зменшується. Це свідчить про різний характер провідності названих матеріалів.

Щоб з'ясувати характер провідності напівпровідників, розглянемо деякий об'єм ідеальних (з суворо впорядкованим розташуванням атомів у вузлах) кристалічних ґраток германію — елемента IV групи періодичної системи елементів Менделєєва.  На рис.  об'ємні кристалічні ґратки германію, елементарною геометричною фігурою яких є тетраедр, зображені у вигляді площинних ґраток. У процесі формування кристала атоми германію розташовуються у вузлах кристалічних ґраток і зв'язані з іншими атомами за допомогою чотирьох валентних електронів. Подвійні лінії між вузлами ґраток умовно зображують ковалентний зв'язок між кожною парою електронів, що належать двом різним атомам.

# data[].attributes.body
Фотореле — прилад автоматичного управління різними установками, який використовує безінерційність фотоефекту, тобто практично миттєво реагує на світловий вплив чи його зміну.
Застосування фотореле надзвичайно різноманітні. Воно вмикає і вимикає в потрібний час освітлення вулиць, сортує різні деталі за формою і розміром, вмить зупиняє верстат, якщо рука людини опиниться у небезпечній зоні перекривши хід світла.

Зокрема, на шахтах використовується для контролю місцезнаходження вагонетки, в пристроях автоматизації процесу відкатки та навантаження вугілля в залізничні вагони, визначення рівня завантаження бункерів тощо.

# data[].attributes.body
Транзи́стор (англ. transfer — «переносити» і англ. resistor — «опір») — напівпровідниковий елемент електронної техніки, який дозволяє керувати струмом, що протікає крізь нього, за допомогою зміни вхідної напруги або струму, поданих на базу, або інший електрод. Невелика зміна вхідних величин, може призводити до суттєво більшої зміни вихідної напруги та струму.

Транзистори, є основними елементами сучасної електроніки. Зазвичай вони застосовуються в підсилювачах і логічних електронних схемах. У мікросхемах в єдиний функціональний блок об'єднані тисячі й мільйони окремих транзисторів.

На принципових електричних схемах, транзистори біля умовних графічних позначень за ГОСТ 2.730-73[1] додатково позначають[2] літерно-цифровими позначками, що складаються з дволітерного коду VT та числа-порядкового номеру елемента у схемі, наприклад: VT1, VT24 тощо.

За будовою та принципом дії, транзистори поділяють на два великі класи: біполярні транзистори (БТ) й польові транзистори (ПТ). До кожного з цих класів входять численні типи транзисторів, що відрізняються за будовою і характеристиками.

# data[].attributes.headline
Характерною особливі

# data[].attributes.body
Характерною особливістю напівпровідників є сильна зміна їхнього питомого опору під дією електричного поля, опромінення світлом або іонізованими частинками, а також при внесенні в напівпровідник домішки або внаслідок його нагрівання. При нагріванні питомий опір провідників збільшується, а напівпровідників і діелектриків — зменшується. Це свідчить про різний характер провідності названих матеріалів.

Щоб з'ясувати характер провідності напівпровідників, розглянемо деякий об'єм ідеальних (з суворо впорядкованим розташуванням атомів у вузлах) кристалічних ґраток германію — елемента IV групи періодичної системи елементів Менделєєва.  На рис.  об'ємні кристалічні ґратки германію, елементарною геометричною фігурою яких є тетраедр, зображені у вигляді площинних ґраток. У процесі формування кристала атоми германію розташовуються у вузлах кристалічних ґраток і зв'язані з іншими атомами за допомогою чотирьох валентних електронів. Подвійні лінії між вузлами ґраток умовно зображують ковалентний зв'язок між кожною парою електронів, що належать двом різним атомам.

# data[].attributes.headline
Напівпровідникові фо

# data[].attributes.body
Напівпровідникові фотоелементи мають велику чутливість до освітленості. На рис. 12 б представлена принципова схема фотоелектричного датчика з фотосопротівленіем ФС. Опір ФС при затемненому стані становить від десятків кіло до десятків мегом. При освітленості опір різко зменшується: відносна зміна опору може становити 99% і струм, що проходить через ФС, збільшується. величина струму достатня для спрацьовування електромагнітного реле Р без додаткового його посилення.

Напівпровідникові фотоелементи можна поділити ще на дві групи: фотодіоди та фототріоди, в яких електрони набувають енергії, достатньої для подолання р-п-переходу, і фоторезистори, в яких електрони після звільнення переходять в зону провідності і можуть бути зареєстровані як звичайний електричний струм при додатку до напівпровідника деякої різниці потенціалів.

# data[].attributes.headline
Загальни видимости про напивпровидники

# data[].attributes.subject
Загальни видимости про напивпровидники

# data[].attributes.body
Напівпровідники́ (англ. semiconductors) — матеріали, електропровідність яких має проміжне значення між провідностями провідника та діелектрика[1]. Відрізняються від провідників сильною залежністю питомої провідності від концентрації домішок, температури та різних видів випромінювання. Основною вирізняльною властивістю цих матеріалів є збільшення електричної провідності з ростом температури.

Напівпровідниками є речовини, ширина забороненої зони яких становить близько кількох електронвольт (еВ). Наприклад, алмаз можна віднести до широкозонних напівпровідників, а арсенід індію — до вузькозонних. До числа напівпровідників належать багато простих речовин (германій, кремній), величезна кількість сплавів і хімічних сполук (арсенід галію, телурид цинку, фосфід галію та інші). Напівпровідникові властивості мають багато потрійних і складніших хімічних сполук, наприклад ZnSiAs₂. Напівпровідниковими є ціла низка органічних сполук: антрацен, нафтален, фталоціаніни тощо.

Залежно від того, чи віддає домішковий атом електрон, чи захоплює, його називають донорним або акцепторним. Характер домішки може змінюватися залежно від того, який атом ґратки вона заміщує, в яку кристалографічну площину вбудовується.

# data[].attributes.headline
Фоторези́стор — фото

# data[].attributes.body
Фоторези́стор — фотоелектричний напівпровідниковий приймач +- випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на ефекті фотопровідності — явищі зменшення опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом. Характеризується однаковою провідністю незалежно від напрямку протікання струму.

# data[].attributes.headline
Фоторези́стор — фото

# data[].attributes.body
Фоторези́стор — фотоелектричний напівпровідниковий приймач +- випромінювання, принцип дії якого ґрунтується на ефекті фотопровідності — явищі зменшення опору напівпровідника у разі збудження носіїв заряду світлом. Характеризується однаковою провідністю незалежно від напрямку протікання струму.
Фоторезистори застосовуються у фотореле, які автоматично вмикають вуличне освітлення в сутінках, на турнікетах метро тощо.

# data[].attributes.attachment_link.authors[].name
Цікава наука

# data[].attributes.attachment_link.title
Як працюють транзистори [TED-Ed]

# data[].attributes.attachment_link.title
Новая презентация

# data[].attributes.attachment_link.authors[].name
Олена Горбатко

# data[].attributes.attachment_link.title
напівпровідники

# data[].attributes.headline
відповідальні:

# data[].attributes.subject
відповідальні:

# data[].attributes.body
Глуходід  А.