# data[].attributes.body
Conocida como memoria de acceso aleatorio o RAM, permitía acceder a los datos aleatoriamente, no solo en la secuencia en que se registraron.

# data[].attributes.headline
1969, Intel lanza la SRAM o memoria RAM estática

# data[].attributes.subject
1969, Intel lanza la SRAM o memoria RAM estática

# data[].attributes.body
Se trataba de un chip SRAM (Static Random Access Memory). La memoria SRAM requiere energía constante para contener información. El consumo de energía varía dependiendo de las veces que accedamos a la memoria.

Es más rápida que la DRAM, pero mucho más cara y contiene menos información por unidad de volumen. Sin embargo, Intel ya estaba desarrollando la que sería «la memoria RAM».

# data[].attributes.body
Las células que guardan la información son refrescadas con nueva electricidad cada «X» milisegundos para que la memoria RAM mantenga su información.

# data[].attributes.headline
1983, Wang Laboratories crea el módulo SIMM

# data[].attributes.subject
1983, Wang Laboratories crea el módulo SIMM

# data[].attributes.body
El motivo de la creación del módulo SIMM residía en la necesidad de proteger las placas base, ya que las memorias RAM iban soldadas. Por lo tanto, era muy difícil quitar una memoria RAM de la placa sin causar daños. De este modo, nacieron los módulos SIMM, los cuales permitían la extracción e instalación de manera sencilla.

# data[].attributes.headline
1992, Samsung introduce la SDRAM y el SDR

# data[].attributes.subject
1992, Samsung introduce la SDRAM y el SDR

# data[].attributes.body
DRAM que alcanzaban los 256 MB de capacidad, como el caso de Hitachi, Toshiba, NEC, Mitsubishi o Fujitsu. Sin embargo, este tipo tenía los días contados.

# data[].attributes.body
Su tamaño máximo sería de 1 GB y fueron famosas por usarse con procesadores AMD Athlon en 1999. Por otro lado, Intel apostaría por las memorias Rambus (RDRAM) para su Pentium 4, un fallo de estrategia porque no eran mucho más potentes y eran terriblemente caras. Intel decidió cambiar el rumbo y apostar por el DDR.

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1999, Rambus lanza la RDRAM y el módulo RIMM

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1999, Rambus lanza la RDRAM y el módulo RIMM

# data[].attributes.body
Básicamente, era una marca creada por Rambus que reensamblaba los módulos DIMM. Estos módulos fueron usados con los Pentium 4 de Intel. Concretamente, se utilizaron los módulos Direct RDRAM que incorporaban 72 MB.

# data[].attributes.body
La vimos en la PS2, Xbox 360, PSP, GameCube, Wii e, incluso, en el iPhone. También, fue usada en procesador Intel e IBM.

Su ciclo de vida parte del 2000 hasta el 2005. Inicialmente, se comercializaba en 32 MB, pero NEC llegó a fabricar eDRAM con 80 MB.

# data[].attributes.body
DDR2 ofrecía un voltaje de 1.8V, lo que era una gran mejora, como una latencia máxima de CL7 y las siguientes frecuencias:

400 Mhz.

533 MHz.

666 MHz.

800 MHz.

1066 MHz.

# data[].attributes.body
Conforme se iban sucediendo las distintas SDRAM, la latencia aumentaba al mismo ritmo que las frecuencias. La RAM DDR3 trajo una evolución importantísima: módulos de 4 GB, 8 GB y 16 GB por unidad. No sólo eso, se reducía el voltaje hasta 1.35V y se aumentaba la frecuencia hasta llegar a los 2113 MHz.

# data[].attributes.body
Samsung lanza un módulo de 2 GB DDR4 con una frecuencia de 2.133 MHz para testarlo. Los avances que trajo este tipo de memoria hablan por sí solos:

Desde 2133 MHz hasta 4.800 MHz de frecuencia.

Un voltaje desde 1.15V hasta 1.35V.

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2019-2021, Samsung y Micron empiezan a fabricar DDR5

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2019-2021, Samsung y Micron empiezan a fabricar DDR5

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Respecto a cuáles serán sus especificaciones técnicas, ciertas fuentes afirman que las frecuencias partirán desde los 3200 MHz. Según SK Hynix, la velocidad máxima de las memorias DDR5 serán 8400 MHz. Este fabricante anunció que la capacidad por módulo será de 8 GB como mínimo, hasta 64 GB. También, mejoró el voltaje: 1.1V.