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Clasificación de los transistores efecto-campo

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Clasificación de los transistores efecto-campo

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1. Unión

Canal N (JFET-N)

Canal P (JFET-P)

2. Meta-oxido-semiconductor

Canal N (MOSFET-N)

Canal P (MOSFET-P)

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Son múltiples los usos del triac, pero por citar algunos:
- Para reguladores de luz.
- Para controles de velocidad de un ventilador eléctrico.
- Para el controles de motor pequeños.
- Para el control de pequeños electrodomésticos.
- Para el control de temperatura, control de iluminación, control de nivel de líquido, los circuitos de control de fase, interruptores de potencia, etc.

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El FET más comúnmente utilizado es el MOSFET. La tecnología CMOS es la base de los modernos circuitos integrados digitales. Esta usa una disposición donde el MOSFET de canal-p (generalmente "modo de enriquecimiento") y el de canal-n están conectados en serie de manera que cuando uno está encendido, el otro está apagado.

En los FET, los electrones pueden fluir en cualquier dirección a través del canal cuando se operan en el modo lineal. La convención de nomenclatura del terminal de drenaje y el terminal de fuente es algo arbitraria, ya que los dispositivos están típicamente (pero no siempre) construidos simétricamente desde la fuente al desagüe. Esto hace que los FET sean adecuados para conmutar señales analógicas entre trayectos (multiplexación). En este concepto se basan los tablero de mezcla de estado sólido usados en la producción musical.

Un uso común de los FET es como amplificadores. Debido a su gran resistencia de entrada y baja resistencia de salida

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1. Control de iluminación con intensidad variable.

2. Calefacción eléctrica con regulación de temperatura.

3. Controles de velocidad de motores.

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Un Rectificador controlado de silicio:

Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido, trabajando en corriente alterna el SCR se desexcita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.

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Los elementos de potencia de estudio son:

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Los elementos de potencia de estudio son:

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1. Triac

2. Diac

3. Transistor efecto-campo

4. Scr

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Los elementos de potencia de estudio son:

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Los elementos de potencia de estudio son:

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1. Triac

2. Diac

3. Transistor efecto-campo

4. Scr