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Huanca Amao, Bryan Paul (20200209E) - Comunicador 1

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Medición de las tensiones de los terminales del transistor

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Medición de las tensiones de los terminales del transistor

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Circuito original

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Variando Rs=1K

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Variando Rs=5.6K

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Variando Rs=3.3K y Rd=5.6K

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Vo= 222.198 mV
Av=222.198mV/20mV=11.1099

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Torres Flores Lizbeth Alexandra
(20200602I)-Coordinadora

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Jancco Alarcon, Jose Daniel
Bruno Brahan Ramirez Ponce

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Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra su impedancia de entrada bastante baja. Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.

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Fundamento de transistores de efecto de campo:

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Fundamento de transistores de efecto de campo:

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Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta están polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN.
La zona n (en el FET canal n) es pequeña y la amplitud de la zona de deplexión afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexión y depende de la tensión inversa (tensión de puerta).

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Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

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Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

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* ZONA ÓHMICA: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
*ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS.
*ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

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Huamani Erazo, Angel Brandon
Encargado de Materiales