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O transístor ou transistor é um dispositivo semicondutor usado para amplificar ou trocar sinais eletrônicos e potência elétrica, considera-se inventado em 1947 pelos físicos estadunidenses John Bardeen, Walter Brattain e William Shockley.

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Os transistores têm duas funções básicas: amplificar a corrente elétrica ou barrar a sua passagem. Quando na função de amplificador, os transistores são alimentados por uma baixa corrente elétrica de entrada, amplificando-a e, assim, produzindo uma corrente elétrica de saída com maior intensidade.

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Os transístores bipolares são componentes semicondutores constituídos pela união de três cristais de silício (algumas vezes germânio) contaminados por determinada impureza. A ordem de colocação dos cristais, NPN ou PNP, dá o nome aos tipos de transístores

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Os transistores podem atuar como amplificadores ou interruptores em circuitos eletrônicos. Seu uso mais comum está nos processadores de computador, nos quais são requeridos graças à sua capacidade de emular os bits por meio do aumento ou queda de tensão, de forma rápida e precisa.

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A tensão de coletor emissor máxima (Vce Máxima) é o valor máximo de tensão que pode ser aplicada entre o coletor e o emissor de um transistor bipolar de junção (BJT), sem que ocorra a destruição ou falha do dispositivo. Essa especificação é fornecida no datasheet do transistor, variando de acordo com o tipo e as características do componente.

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A corrente de coletor máxima (Ic Máxima) é o valor máximo de corrente que pode passar pelo coletor de um transistor bipolar de junção (BJT) sem danificá-lo. Assim como a tensão coletor-emissor máxima (Vce), esse valor é fornecido no datasheet do transistor, e sua ultrapassagem pode resultar na queima ou mal funcionamento do componente.

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A tensão base-emissor máxima (Vbe Máxima) é o valor máximo de tensão que pode ser aplicado entre a base e o emissor de um transistor bipolar de junção (BJT) sem que ele seja danificado. Normalmente, essa tensão é bem menor em comparação com a tensão coletor-emissor (Vce).

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A tensão de operação (Tj) de um transistor refere-se à temperatura de junção máxima na qual o dispositivo pode operar de forma segura, sem comprometer seu desempenho ou sofrer danos. Essa temperatura, expressa em graus Celsius (°C), é uma especificação importante para garantir que o transistor funcione corretamente sob diferentes condições térmicas.

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A corrente de base máxima (Ib Máxima) é o valor máximo de corrente que pode ser aplicado na base de um transistor bipolar de junção (BJT) sem danificá-lo. Assim como a corrente de coletor (Ic), essa especificação é importante para garantir que o transistor opere dentro de seus limites seguros.

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A tensão base-emissor máxima (Vbe Máxima), também conhecida como tensão Vbe reversa máxima, é o valor máximo de tensão que pode ser aplicado entre a base e o emissor de um transistor bipolar de junção (BJT) sem danificá-lo.

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Zona segura de operação (SOA- Safe Operating Area)

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Zona segura de operação (SOA- Safe Operating Area)

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A Zona Segura de Operação (SOA - Safe Operating Area) de um transistor bipolar de junção (BJT) ou de um transistor de efeito de campo (FET) refere-se à faixa de condições de corrente, tensão e potência dentro das quais o transistor pode operar com segurança sem risco de danos. O SOA é representado graficamente no datasheet do transistor e ajuda a determinar as combinações seguras de tensão e corrente para evitar falhas, como superaquecimento, avalanche ou ruptura do componente.

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As Curvas Características de um transistor são gráficos que descrevem como as variáveis principais de um transistor (corrente e tensão) se relacionam entre si. Elas são fundamentais para entender o comportamento do transistor em diferentes condições de operação e são amplamente utilizadas para analisar o funcionamento do dispositivo em circuitos eletrônicos.

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A curva característica da base de um transistor bipolar de junção (BJT), também conhecida como curva característica de entrada ou curva VBE_{BE}BE​ x IB_BB​, descreve a relação entre a corrente de base (IB_BB​) e a tensão base-emissor (VBE_{BE}BE​) para um transistor, geralmente em uma configuração de polarização comum. Esta curva é fundamental para entender como a tensão aplicada entre a base e o emissor afeta a corrente que flui pela base.

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A Curva Característica do Coletor de um transistor bipolar de junção (BJT) é uma das principais curvas que descrevem o comportamento de um transistor. Ela mostra a relação entre a corrente de coletor (IC_CC​) e a tensão coletor-emissor (VCE_{CE}CE​) para diferentes valores da corrente de base (IB_BB​).