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Tenemos las siguientes graficas sinusoidales desfasadas entre si phi/2, o 90°, y la misma amplitud para ambos casos.

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1.3.-SIMULACION DEL CIRCUITO SOMETIDO A UNA TENSIÓN V1 DE 10mv Y 1Khz DE FRECUENCIA.

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1.3.-SIMULACION DEL CIRCUITO SOMETIDO A UNA TENSIÓN V1 DE 10mv Y 1Khz DE FRECUENCIA.

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Para este caso exitaremos la entraba de la base del transistor Q1, teniendo como respuesta de tensiones de salida las siguientes formas de onda.

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En esta segunda parte de las simulación notamos que existe valores los cuales son muy cercanos a los obtenidos teóricamente
Haremos un análisis de los 4 valores obtenidos tanto a nivel teórico como a nivel de simulación.
Partimos por la corriente de referencia, que es la corriente que pasa a través de la resistencia de referencia.
Iref(teórico) = 2.04 mA
Iref(simulado) = 2.02 mA
existe  una pequeña diferencia entre ambos valores, lo cual nos lleva a decir que son aproximadamente iguales.
- Corriente de Base, para QB.
Ib (teórico) = 20.20 uA
Ib (simulado) = 8.9 uA
para este segundo caso, los valores hallados son muy diferentes entre si con una diferencia de 11.3 uA.
- Para el caso del voltaje colector emisor de QA.
VceA (teórico) = 0.59 V
VceA (simulado) = 0.65 V
en este caso las tensiones halladas son próximas entre sí, con una diferencia de 0.06, lo cual nos es un indicador con un bajo nivel de error para fines prácticos y teóricos, nos dará una buena aproximación.
- Para el caso del voltaje colector emisor de QB.
VceB (teórico) = 10.2 V
VceB (simulado) = 10.3 V
En esta ultima comparación de valores obtenidos, se tiene que la diferencia entre el valor teórico y el obtenido es muy pequeña y por ende el error al cual está sujeto este dato es ínfimo, esto debido a que no existe interferencia que hagan que se pierda tensión colector emisor para el caso del transistor QB.

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Para fines prácticos, partiremos en 2 este análisis en la parte superior y otra inferior. en la parte superior obtenemos datos que son correctos a partir de una comparación con los datos obtenidos teóricamente, con respecto a las corrientes de Base (Ib1 ^ Ib2) y corriente de emisor para ambos casos de los 2 transistores.

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De este análisis, se puede calcular las diferentes corrientes (Ic, Ib, Ie) así como diferentes tensiones (Vce), para cada transistor Q1,Q2,QA,QB.

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Obtenemos una serie de datos que serán tabulados, para poder calcular el betta en zona de saturación

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1. Explicar cualquier discrepancia mayor entre los valores medidos en la experiencia con los valores en el análisis teórico, así como en la simulación.

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1. Explicar cualquier discrepancia mayor entre los valores medidos en la experiencia con los valores en el análisis teórico, así como en la simulación.

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- Para empezar el análisis, tomamos en cuenta las características propias de cada transistor, así como el cálculo del B de saturación a partir de un pequeño circuito mostrado.

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Con los datos expermientales se constuye el diagrama de Bode en MatLab:

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Al hacer un barrido de frecuencia se obtiene los siguientes datos:

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Del Circuito:
Vin1=20mV (pp)

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2.En función de sus datos experimentales construya los diagramas de bode de: Vout1/ Vin1, Vout2/ Vin1, y Vod/ Vin1.

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2.En función de sus datos experimentales construya los diagramas de bode de: Vout1/ Vin1, Vout2/ Vin1, y Vod/ Vin1.

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El amplificador demostró tener una gran ganancia cuando se aplica señales opuestas a las entradas, en comparación con la pequeña ganancia resultante a las entradas comunes.

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La implementación de la simulación es bastante sencilla, se recomienda tener cuidado con mover alguna conexión
o componente ya que provocará una mal medición generando errores.
Otro punto antes de la implementación es el reconocer el colector, emisor y la base del transistor para un mejor análisis del circuito.

# data[].attributes.body
Para este laboratorio usamos el software Orcad para las mediciones de voltajes, y el Proteus para las mediciones de frecuencias.
Siguiendo los métodos analíticos adecuados los resultados obtenidos en la simulación se acercan mucho a los obtenidos analíticamente.

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El amplificador diferencial está diseñado para generar ganancias, cuyo circuito tiene diferentes componentes
de los cuales los más importante son los transistores para nuestro caso  2N2222A es un transistor bipolar
NPN de baja potencia de uso general el que se encarga de amplificar la señal en un factor que proviene de la
diferencia de voltajes.

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3. Anote las conclusiones y observaciones correspondientes a lo siguiente:

# data[].attributes.subject
3. Anote las conclusiones y observaciones correspondientes a lo siguiente: