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Datos del informe previo:
- Resistencias: R1 = 47K, R2 = 22K; R c = 1.2K; 2RE = 1K, RL = 10K.
- Condensadores: 10uF, 50uF, 100uF.
- 01 Transistor BJT (BC548B u otro similar, ya sea NPN o PNP).
- Aplicamos una señal sinusoidal Vp = 20mV.

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Datos del informe previo:
- Resistencias: R1 = 47K, R2 = 22K; R c = 1.2K; 2RE = 1K, RL = 10K.
- Condensadores: 10uF, 50uF, 100uF.
- 01 Transistor BJT (BC548B u otro similar, ya sea NPN o PNP).
- Aplicamos una señal sinusoidal Vp = 20mV.

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CIRCUITO 2 SIMULADO EN NI-MULTISIM 14.0:

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CIRCUITO 2 SIMULADO EN NI-MULTISIM 14.0:

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CIRCUITO 2 SIMULADO EN NI-MULTISIM 14.0:

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CIRCUITO 2 SIMULADO EN NI-MULTISIM 14.0:

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ALDAVE TRINIDAD, RODRIGO ALVARO (SUPERVISOR DE TIEMPO)

CHAVEZ JULCA, SERGIO LUIS (ENCARGADO DE MATERIALES)

SOLEIR RIVEROS GEANFRANCO AGUSTIN (COMUNICADOR)

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NOTAS:
1) Estas clasificaciones se basan en una temperatura máxima de unión de 150 grados C.
2) Estos son límites de estado estacionario. Se debe consultar a la fábrica sobre aplicaciones que involucren operaciones de ciclo de trabajo bajo o pulsado.
3) El parámetro β es la relación entre la corriente de colector (Ic) y la corriente de base (Ib), pero realmente este valor se encuentra entre un intervalo, un intervalo igual a la ganancia de corriente DC (hFE -> [ 200 - 450 ] ), donde aquí tendremos que suponer un valor para que el transistor no salga del modo activo
4) Este dispositivo está diseñado para usarse como amplificadores de propósito general
e interruptores que requieren corrientes de colector de hasta 300 mA.

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- Estas clasificaciones son índices absolutos máximos (valores límite) , por encima de los cuales la capacidad de servicio de cualquier dispositivo semiconductor puede verse afectada.
- Se trabaja a temperatura ambiente Ta = 25 °C.
- Transistor activo

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Condiciones para obtener una alta ganancia y alternancia de voltaje, y para que el voltaje de base sea independiente de la ganancia 

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Condiciones para obtener una alta ganancia y alternancia de voltaje, y para que el voltaje de base sea independiente de la ganancia 

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- En nuestra siguiente experiencia usaremos el transistor BJT (BC548B , amplificador de propósito general NPN ),  para ello necesitamos los datos de este transistor que serán recopilados de algún fabricante, en nuestra experiencia usaremos los datos del fabricante FAIRCHILD SEMICONDUCTOR (figura 1), que serán detallados a continuación gracias a su hoja de datos en la web: ALLDATASHET.COM.

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R₁=46.61k

R₂=23.39k

RE=1.16k

RC=2.33k

# data[].attributes.body
VBB=12R₂/(R₁+R₂)

VBB=4V

VCE=6V

1.71RC=4

IC = 1.71

70.17=R₁+R₂

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Análisis del circuito 1 en dc para máxima excursión simétrica :

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Análisis del circuito 1 en dc para máxima excursión simétrica :

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para VCE=6V  y  IC = 1.71 mA

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R₁=40k

R₂=20k

RE=1.5k

RC=2k

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                                                                  PREGUNTA 1

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                                                                  PREGUNTA 1

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1. De los manuales obtener los datos de un transistor, para el diseño de la etapa propuesta por el profesor.

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VBB=12R₂/(R₁+R₂)

VBB=4V

VCE=5V

2RC=4

IC = 2

60=R₁+R₂

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4. Simule en computadora cada uno de los circuitos

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para VCE=5V y IC = 2 mA

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         EL TRANSITOR BIPOLAR POLARIZACIÓN Y GANANCIA

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         EL TRANSITOR BIPOLAR POLARIZACIÓN Y GANANCIA

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Objetivo: Estudiar en forma experimental el bipolar (BJT), las diferentes polarizaciones, operación en alterna, configuraciones y limitaciones.

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VBB=1/3 VCC

VCE=1/3 VCC

IC RC= 1/3 VCC

VCC/0.1IE =R₁+R₂

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                                                    PREGUNTA 3

# data[].attributes.subject
                                                    PREGUNTA 3

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3. Dibujar en una hoja completa cada uno de los circuitos con valores comerciales de los elementos y los valores de tensión y corriente esperados

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2. Diseñar completamente el circuito de la fig. 1 para un punto de operación IcQ = 2mA, VcEQ = 5V, con un transistor BC548B y también para máxima excursión simétrica posible.

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                             LABORATORIO 3 

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                             LABORATORIO 3 