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INFORME PREVIO 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR, POLARIZACIÓN Y GANANCIA

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INFORME PREVIO 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR, POLARIZACIÓN Y GANANCIA

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Datos del transistor BJT tipo npn - BC548

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Datos del transistor BJT tipo npn - BC548

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Voltaje colector-base: VCB = 30 v

Voltaje colector-emisor: VCE = 30 v

Voltaje emisor-base: VEB = 5 v

Corriente del colector en DC: IC= 100 mA

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En las condiciones de prueba VCE=5v, IC=2mA

El beta:  β = 110

Condiciones de saturación: IC=100mA, IB=5mA

VCE(sat)= 200 mV
VBE(sat)= 900 mV

Condiciones de prueba: VCB=30 v, IE= 0

Corriente de corte en el colector: ICBo=15 nA

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2.1.Diseño del circuito de la figura 1 para el punto de operación Q ICQ=2mA, VCEQ=5 Volts con un transistor BC548B (JEAN LEONARDO ESTRADA ROQUE-20172160K)

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2.1.Diseño del circuito de la figura 1 para el punto de operación Q ICQ=2mA, VCEQ=5 Volts con un transistor BC548B (JEAN LEONARDO ESTRADA ROQUE-20172160K)

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1.De los manuales obtener los datos de un transistor, para el diseño de la etapa propuesta por el profesor (José Hamet García Guere)

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1.De los manuales obtener los datos de un transistor, para el diseño de la etapa propuesta por el profesor (José Hamet García Guere)

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Diseño del circuito para el punto de operación Q ICQ=2mA, VCEQ=5 Volts

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Diseño del circuito para el punto de operación Q ICQ=2mA, VCEQ=5 Volts

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Con todas las especificaciones de diseño obtenidas de la teoría arriba mencionadas, obtendremos el valor de los componentes del circuito.

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3 Dibujar en una hoja completa cada uno de los circuitos con valores comerciales de los elementos y los valores de tensión y corriente esperados. (Vega Vásquez, Alejandro Manuel)

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3 Dibujar en una hoja completa cada uno de los circuitos con valores comerciales de los elementos y los valores de tensión y corriente esperados. (Vega Vásquez, Alejandro Manuel)

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2.2. Diseño del circuito de la figura 1 para máxima excursión (Vega Vásquez, Alejandro Manuel)

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2.2. Diseño del circuito de la figura 1 para máxima excursión (Vega Vásquez, Alejandro Manuel)

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Cambiando las resistencias a valores comerciales:
R1 = 108955 Ω = > R1 = 100k Ω
R2 = 14406.9 Ω => R2 = 2.2K Ω
Re = 318.11 Ω => Re = 330 Ω
Rc = 3181.1 Ω => Rc = 3.3K Ω
Hallando Ic:
Ic = (Vcc-Vce)/(Re + Rc) = (12-5)/(2.7k+1k)
Ic = 1.92mA
Hallando Vc:
Vc = 12 - Rc*Ic = 12 - 2.7kΩ*1.92mA
Vc = 5.664V
Hallando Ve:
Ve = Ic*Re = 1.92mA*330Ω
Ve = 0.6336V
Hallando I1 = i2:
I1 = I2 = (12)/(115kΩ)
I1= I2 = 0.104mA

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Hallando Vce:
Vce=Vcc/2= 12/2
Vec = 6V
Hallando Ic:

Ic=(12-6)/(Re+Rc)
Re = Rc=1.5K Ω
Ic = 6/3K = 2mA
Hallando V12:
V12 = Vcc*(R2)/(R1+R2)
Ic=(V12-Vbe)/(Re)=2mA ;  Siendo: 30*R12=Hfe*Re
V12=3.7=12*(R2)/(R1+R2) => R1=2.24*R2
De la condición  30*R12=Hfe*Re:
R1 = 48.6K Ω
R2 = 21.6K Ω

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Cambiando por valores comerciales:
R1 = 48.6K => R1 = 47K
R2 = 21.6K => R2 = 22K
Re = Rc = 1.5K
Hallando Ic:
Ic = (Vcc-Vce)/(Re + Rc) = (12-6)/(1.5k+1.5k)
Ic = 2mA
Hallando Vc:
Vc = 12-Rc*Ic=12-1.5K*2mA
Vc = 9V
Hallando Ve:
Ve = Ic*Re = 2mA*1.5K
Ve = 3V
Hallando I1 = I2:
I1 = I2 = Vcc/(R1+R2) = 12/(47K+22K)
I1 = I2 = 0.17mA

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MORALES TENORIO BRYAN

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ALUMNOS PARTICIPANTES DEL INFORME PREVIO 3

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ALUMNOS PARTICIPANTES DEL INFORME PREVIO 3

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GARCIA GUERE JOSE GARCIA
ESTRADA ROQUE JEAN LEONARDO
VEGA VASQUEZ ALEJANDRO MANUEL