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Na aula 4, falamos sobre barreira de potencial ( consiste em consiste numa região contendo um máximo de potencial que impede uma partícula que se encontre num dos lados de atravessar para o outro lado, isto é, de atravessar para uma região cujas forças que predominam na interação entre as partículas são de carácter repulsivo) e que quando o diodo esta conduzindo a temperatura de junção é mais alta que a temperatura ambiente por causa do calor gerado pela recombinação.

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Ainda na aula 3 foi falado sobre o diodo e sua polarização, polarização reversa( é aquela que surge uma pequena corrente por causa do fluxo de portadores minoritários) e polarização direta( é aquela onde o polo positivo da fonte está conectado ao lado P do diodo)

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Na aula 3, foi falado sobre os materiais: tipo P e tipo N, o material tipo P é aquele que suas lacunas são representados pelo sinal + e seus elétrons livre pelo sinal - , já o material tipo N é aquele que suas lacunas são representados pelo sinal - e seus elétrons livre pelo sinal +, também foi falado sobre a formação da junção PN ( onde as lacunas nas bordas do material tipo P são preenchidas pelos elétrons livres do material tipo

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Na aula 2, continuou se falando sobre materiais semicondutores, seus tipos: extrínseco e intrínseco, falou-se também sobre a camada se valência e sobre e banda de condução, que de acordo com ela sabemos se um material é bom condutor ou não.

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Na aula 1, foi falado sobre os materiais condutores, são aqueles materiais onde há possibilidade de trânsito da corrente elétrica através dele como, por exemplo, o ferro. Semicondutores são sólidos geralmente cristalinos de condutividade elétrica intermediária entre condutores e isolantes(ex.Germânio e Silício), e temos também os materiais isolantes eles não possuem elétrons livres ou a quantidade é tão pequena que pode ser desprezada. Dessa maneira, não permitem passagem de corrente elétrica (ex.Plástico).

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