# data[].attributes.body
Huili Grace Xing és una física especialitzada en enginyeria electrònica, física de semiconductors i ciència dels materials. Actualment és professora a la Cornell University, on també dirigeix el centre de recerca SUPREME, dedicat al desenvolupament de materials i dispositius electrònics avançats.

La seva recerca se centra en semiconductors de banda ampla i ultrabanda ampla, especialment els nitrurs III-V, els semiconductors d’òxid i els materials bidimensionals. Aquests materials són clau per fabricar dispositius electrònics i optoelectrònics d’alt rendiment, com transistors d’alta freqüència, dispositius d’electrònica de potència, emissors ultraviolats i memòries.

Una de les seves aportacions més destacades és el dopatge per polarització distribuïda, desenvolupat amb Debdeep Jena. Aquesta tècnica permet generar càrrega lliure en materials polars, com els nitrurs III-V, sense necessitat d’introduir impureses donadores o acceptores, com en el dopatge químic convencional, millorant així el rendiment dels dispositius electrònics, especialment en materials on el dopatge tradicional presenta limitacions.

També ha contribuït al desenvolupament de dispositius basats en GaN, un semiconductor capaç de treballar a altes tensions, temperatures i freqüències. El seu grup ha desenvolupat díodes de potència de GaN capaços de suportar fins a 2.000 volts i ha participat en el desenvolupament del concepte de dualtronics, que aprofita les dues cares d’un semiconductor polar com el GaN per integrar funcions electròniques i fotòniques en un mateix xip.

Per la seva trajectòria, ha rebut diversos premis, com el NSF CAREER Award i l’Intel Outstanding Researcher Award, i ha estat nomenada Fellow de l’IEEE, l’American Physical Society i l’AAAS. La seva contribució és rellevant perquè ha impulsat noves maneres de controlar la càrrega elèctrica en semiconductors avançats, afavorint dispositius més eficients, ràpids i potents.

Bibliografia:

https://www.duffield.cornell.edu/people/huili-grace-xing/

https://en.wikipedia.org/wiki/Huili_Grace_Xing

https://news.cornell.edu/stories/2025/11/xing-honored-excellence-semiconductor-research

https://news.cornell.edu/stories/2016/01/cornell-led-team-creates-gallium-nitride-power-diode

# data[].attributes.attachment_caption
Katharine Burr Blodgett demonstrating equipment in one of the General Electric Research Laboratories.

# data[].attributes.body
Nascuda el 10 de gener de 1898 a Schenectady (Nova York), Katharine Burr Blodgett és una investigadora científica nord-americana de gran rellevància. La seva contribució a la física més destacada és la pel·lícula de Langmuir-Blodgett.

Des de petita tenia talent per les matemàtiques, als 15 anys es gradua de l'institut i li donen una beca al Bryn Mawr College, on es gradua en Física al 1917. Irving Langmuir li ofereix un lloc a l'empresa General Electric (GE) un cop acabés la seva formació, de manera que al 1918 acaba el màster en Química a la Universitat de Chicago. Així doncs, als 20 anys entra a treballar com a investigadora a aquesta prestigiosa empresa, on el seu pare va dirigir el departament de patents abans de morir (1897).

Després d'estar sis anys treballant d'investigadora en GE, gràcies a l'ajuda de Langmuir, al 1924 comença un doctorat a la Universitat de Cambridge. Aquest tractava sobre el comportament dels electrons en vapor de mercuri ionitzat i va ser dirigit per Ernest Rutherford. Al 1926, es converteix en la primera dona en obtindre un doctorat en Física per la Universitat de Cambridge.

Segueix amb diverses investigacions fins el 1963, quan es retira de la GE després de 45 anys de carrera professional.

# data[].attributes.body
Montserrat Calleja Gómez és una física espanyola reconeguda internacionalment pel seu treball en el camp de la nanotecnologia i la física aplicada, especialment en el desenvolupament de dispositius nanoelectromecànics (NEMS). Nascuda a Espanya i formada com a doctora en física, va iniciar la seva carrera investigadora l’any 1997 com a doctoranda en el camp de la nanolitografia mitjançant microscòpia de força atòmica (AFM), a l’Institut de Microelectrònica de Madrid (IMM-CSIC). La seva tesi doctoral va rebre el premi extraordinari de doctorat de la Universitat de Santiago de Compostel·la, i ja anticipava la seva futura contribució al camp de la nanociència.

Després de la seva tesi, els seus interessos científics es van orientar cap al desenvolupament de sensors basats en nanomecànica. Com a investigadora postdoctoral amb una beca Marie Curie a la Universitat Tècnica de Dinamarca, va desenvolupar sensors nanomecànics fets de materials polimèrics. Des del 2005, la seva recerca s’ha centrat en aplicar la nanomecànica a la biologia i la biomedicina, obrint línies de treball innovadores en la detecció ultra-sensible de biomolècules i patògens. Ha estat pionera en el desenvolupament de sensors optonanomecànics capaços de detectar proteïnes molt poc abundants en sang, una eina clau per al diagnòstic precoç del càncer. Aquests sensors també han demostrat capacitat per detectar el VIH només una setmana després de la infecció i la detecció del virus SARS-CoV-2. El seu enfocament s’ha ampliat cap a la mecanobiologia, on explora nous biomarcadors físics del càncer i la identificació de patògens a través de les seves propietats mecàniques i físiques.

A més de la seva activitat científica, Montserrat Calleja ha impulsat la transferència tecnològica del coneixement acadèmic al sector empresarial. És cofundadora de dues empreses derivades, Mecwins SA i Nanodreams SL, que treballen en el desenvolupament i comercialització de tecnologies basades en la seva recerca. La seva tasca ha estat reconeguda amb diversos premis i distincions, entre els quals destaca el Premi Nacional de Recerca per a Joves atorgat pel Ministeri de Ciència i Innovació l’any 2021, com a reconeixement a les seves aportacions innovadores en nanotecnologia i biomedicina. També ha format part del Consell Assessor de Ciència i Tecnologia del Govern d’Espanya, contribuint a l’orientació de les polítiques públiques en recerca i innovació.

Amb una visió científica rigorosa i compromesa, Montserrat Calleja ha sabut portar la física de materials i l’electrònica cap a aplicacions mèdiques i socials d’enorme impacte. La seva trajectòria exemplifica com la investigació fonamental en física pot donar lloc a tecnologies revolucionàries, que no només milloren el nostre coneixement del món a escala nanomètrica, sinó que també poden salvar vides.

# data[].attributes.attachment_link.title
“Para dedicarse a la ciencia también hay que ser creativo”. Montserrat Calleja, física.

# data[].attributes.body
Erna Schneider Hoover és una matemàtica i informàtica nord-americana reconeguda per revolucionar les telecomunicacions gràcies a la seva invenció basada en la lògica simbòlica i la teoria del control. Nascuda en Irvington (1926, Nova Jersey) el seu interès per la ciència es va despertar des de petita inspirada per la biografia de Marie Curie.

Va iniciar la seva trajectòria acadèmica allunyada de les ciències, graduant-se en Història i Filosofia a la Universitat de Wellesley. Tot i això, Hoover va reorientar la seva carrera obtenint un doctorat en Filosofia i Matemàtiques a Yale. Després d’un breu període com a professora, va començar a treballar a Bell Telephone Laboratories, també coneguda com a Bell Labs, una de les principals companyies mundials dedicades a la investigació en telecomunicacions i electrònica.

L’empresa es trobava en un moment de transició entre els sistemes de commutació telefònica purament electromecànics cap als electrònics. En aquest context, Hoover va dissenyar un sistema de control informàtic per gestionar la sobrecàrrega de trucades a les centrals telefòniques, evitant el col·lapse del sistema. Amb l’ús d’un algoritme que donava prioritat a processos crítics, aquest sistema va fer possible una gestió dinàmica i eficient del trànsit telefònic, establint les bases del sistema de commutació electrònica.

Aquest invent rep el nom de “Number One Electronic Switching System”, 1ESS (figura d’avall), suposa una revolució en les comunicacions, en introduir-hi tècniques de computació, circuits de transistors i programes de control emmagatzemats en memòria. D’aquesta manera, estableix les bases perquè avui puguem enviar i rebre milions de correus electrònics cada dia.

La seva invenció va ser patentada el 1971 i es considera una de les primeres patents de la història relacionades amb software. En 1987, va ser la primera dona a liderar un departament tècnic a Bell Labs, aprofundint en mètodes d’intel·ligència artificial i desenvolupant bases de dades com a suport a les grans xarxes de telefonia.

A banda de la seva trajectòria laboral, Hoover també destaca pel seu activisme en defensa de l’educació pública i la igualtat de gènere en les carreres científiques, formant part dels òrgans directius d’universitats com la de Trenton i la de Nueva Jeresey.

Hem volgut explicar la historia de l’Erna Schneider Hoover no només per la rellevància del seu llegat, que encara avui té repercussions en la nostra vida quotidiana, sinó també per ser pionera en el món científic, trencant barreres de gènere en una època en què poques dones ocupaven llocs de lideratge tecnològic.

# data[].attributes.attachment_caption
Shirley Jackson a l'MITl'anys que va aconseguir el seu PhD en física, 1973. (Museu de l'MIT)

# data[].attributes.body
Shirley Ann Jackson va ser la primera dona afroamericana a obtenir un doctorat en física al MIT (1973), un assoliment excepcional tenint en compte el context de discriminació de gènere i racial que predominava en aquella època als Estats Units, i encara més en l'àmbit acadèmic i científic.

Encara que el context no li afavoria, els seus pares van donar-li suport i van incentivar la seva educació, així com el seu interès per la ciència.

En 1964 és admesa en el MIT, sent de les poques persones afroamericanes, i l’única estudiant de Física Teòrica. Es gradua en 1968 en Física i Ciència dels materials. En 1973, rep el seu doctorat en física nuclear, sent la segona dona afroamericana en aconseguir un doctorat en física en els Estats Units.

Shirley va treballar com a investigadora en física de partícules en centres com el CERN i el SLAC. Després, va ser contractada per Bell Labs, on s’orienta de nou en la física de la matèria condensada. Allà estudia les ones de densitat de càrrega i el comportament dels electrons en materials sòlids, coneixements fonamentals per al desenvolupament de semiconductors i posteriors invents com el fax portàtil, els cables de fibra òptica i la tecnologia darrere l'identificador de trucades.

A banda de la seva trajectòria acadèmica, Shirley ha tingut un impacte profund com a líder en institucions científiques i polítiques, sent presidenta de la Comissió Reguladora Nuclear dels Estats Units i, posteriorment, del Rensselaer Polytechnic Institute. En 2016, va rebre la Medalla Nacional de la Ciència.

En tots els àmbits on ha desenvolupat la seva feina, Shirley Ann Jackson ha trencat barreres i ha obert camí per a les dones i les persones racialitzades en la ciència i la tecnologia.

# data[].attributes.body
Michelle Yvonne Simmons és una física anglo-australiana que nasqué el 14 de juliol de 1967 al Regne Unit. És coneguda per haver contribuït notablement al desenvolupament de l'electrònica quàntica i atòmica.

Després de graduar-se en física i en química de materials al Trevelyan College, Universitat de Durham, es va doctorar en física a la mateixa universitat l'any 1992, amb tesi "The characterisation of CdTe-based epitaxial solar cell structures fabricated by MOVPE". Després d'una estada a la Universitat de Cambridge, es traslladà a Austràlia l'any 1999. Actualment és professora titular Scientia en Física Quàntica a la Facultat de Ciències de la Universitat de Nova Gal·les del Sud (UNSW), a Sydney, exercint també com a CEO i fundadora de Sillicon Quantum Computing, la primera companyia de computació quàntica d'Austràlia, des del 2017, i de Directora del Centre d'Excel·lència per la Computació Quàntica i la Tecnologia de la Comunicació des del 2010.

La seva trajectòria com a investigadora ha estat molt exitosa, essent pionera en el desenvolupament de tecnologies per construir dispositius electrònics en silici a escala atòmica, incloent

el transistor més petit del món, els fils conductors més prims mai fabricats, electrònica atòmica en 3D i la primera porta de dos qubits fent servir qubits basats en els àtoms en silici. En total, acumula 420 publicacions, un total de 10.000 citacions, 44 patents i ha participat com a convidada a 250 xerrades.

L'objectiu final de la seva recerca consisteix a desenvolupar un processador quàntic escalable basat en sofre sobre silici, col·locant dopants de sofre sobre un dispositiu de silici amb precisió atòmica,

amb el propòsit de desenvolupar tots els elements funcionals d'un ordinador quàntic escalable basat en l'spin amb capacitat de correcció d'errors.

Entre les distincions que ha rebut destaquen el premi Australiana de l'Any (2018), el premi L'Oréal-UNESCO en Física (2017), el Premi Feynman en Nanotecnologia Experimental (2015), a més d'haver rebut en dues ocasions l'Australian Research Council

Federation Fellowship. A més, és membre de la Royal Society de Londres, la American Academy of Arts and Science, la American Association of the Advancement of Science, el UK Institute of Physics (IOP), la Australian Academy of Technology and Engineering i la

Australian Academy of Science.

Michelle Y. Simmons és un exemple no només d'excel·lència científica, sinó també de lideratge en l'àmbit empresarial i docent/investigador.

# data[].attributes.attachment_caption
Srabanti Chowdhury a l'entrega de premis Young Scientist Award de l'ISCS l'any 2016.

# data[].attributes.body
La Dra. Srabanti Chowdhury és una enginyera elèctrica indoamericana i professora associada a la Universitat de Stanford, on lidera el laboratori de semiconductors d’ample de banda gran (WBG). La seva recerca se centra en materials com el nitrur de gal·li (GaN) i el diamant, amb l’objectiu de desenvolupar dispositius electrònics més eficients energèticament i capaços de funcionar en condicions extremes.

Després d’obtenir el seu doctorat a la Universitat de Califòrnia, Santa Bàrbara, on va treballar en transistors verticals de GaN per a aplicacions de conversió de potència, va passar un temps a l’empresa Transphorm abans d’incorporar-se a la Universitat de Stanford. Allà, el seu equip investiga la integració de materials com el diamant i el carbur de silici (SiC) per millorar la gestió tèrmica i el rendiment dels dispositius electrònics de potència.

Ha estat reconeguda per les seves contribucions amb diversos premis i distincions, incloent-hi el títol de IEEE Fellow. Té una extensa producció científica, amb més de 120 articles publicats i 26 patents, i també exerceix com a directora científica en projectes federals per a la creació de xarxes elèctriques més intel·ligents i resilients.

La seva pàgina web és: https://profiles.stanford.edu/srabanti-chowdhury

# data[].attributes.attachment_caption
Quantum computation | Michelle Simmons | TEDxSydney

# data[].attributes.attachment_link.title
Quantum computation | Michelle Simmons | TEDxSydney

# data[].attributes.attachment_link.title
The 2018 Physics Nobel Prize, Part 2: What IS Laser Chirped Pulse Amplification?

# data[].attributes.body
Elvira Fortunato és una de les pioneres del panorama de l’electrònica física actual. Amb l’objectiu de contribuir a una industria tecnològica més sostenible, inspirada pels diaris animats de Harry Potter i amb el suport del seu grup d’investigació, al 2008 aquesta enginyera portuguesa va convertir en realitat un invent que, fins al moment, només s’havia vist a les pel·lícules de ciència ficció: el transistor de paper.
Aquest tipus de transistors són barats de fabricar, flexibles, biodegradables i han donat pas a l’estudi de les cèl·lules solars fetes amb paper, les quals generen corrent fins i tot quan són il·luminades amb llum artificial. Tot i que aquest invent no podrà substituir el 100% dels transistors actualment fabricats amb silici, sí que obre un món de possibilitats fascinants en les que el paper podria convertir-se en un element utilitzat com a una espècie de pantalla.
Aquesta investigadora de la ciència dels materials, també s’ha endinsat en el món de l’electrònica transparent i ha estat, de nou, una de les pioneres en aquest camp.
Elvira Fortunato ha rebut una gran quantitat de premis amb reconeixement internacional i actualment és la Ministra de Ciència, Tecnologia i Educació Superior de Portugal.
Tot i haver contribuït de manera tan significativa a l’electrònica biodegradable, tan debò les seves aportacions no s’aturin aquí i els seus invents segueixin demostrant-nos que un futur tecnològic més sostenible és possible.

# data[].attributes.attachment_link.title
Elvira Fortunato, Rodrigo Martins - Paper transistors

# data[].attributes.body
Hedy Lamarr és probablement recordada millor com la glamurosa estrella de cinema de l'època daurada de Hollywood. Menys conegut és, potser, que va ser una enginyera excepcionalment dotada i una pionera en el camp de la comunicació sense fil, que va co-inventar un dispositiu que va ajudar a facilitar el desenvolupament de la tecnologia GPS, Bluetooth i Wi-Fi.
Després de l'esclat de la Segona Guerra Mundial, Lamarr tenia ganes d'utilitzar les seves habilitats per ajudar a la lluita contra els nazis. És possible que la seva determinació s'hagés alimentat en escoltar sobre la destrucció a gran escala de submarins nord-americans per part dels submarins alemanys. Els torpedes radiocontrolats eren un aspecte important de l'estratègia naval nord-americana, però les forces alemanyes van poder interceptar el senyal de ràdio que s'utilitzava i interceptar els torpedes. Lamarr es va adonar que els senyals de ràdio serien impossibles de rastrejar si es poguessin enviar a freqüències diferents i canviants constantment i es va embarcar en una manera de fer-ho possible. A petició seva, es va unir en el seu esforç el seu amic, el compositor musical, George Antheil.
Durant l'estiu de 1940 la parella va començar a desenvolupar el que es coneix com a "salt de freqüència", un procés que permet tant als receptors de ràdio com als transmissors canviar de freqüència aleatòriament. Van dissenyar un mecanisme, molt semblant als rotllos que s'utilitzen dins d'una pianola, que era capaç de sincronitzar els canvis entre 88 freqüències separades. En manipular les radiofreqüències a intervals irregulars entre la transmissió i la recepció, la invenció va formar un codi irrompible que evitava que un senyal fos interceptat o interferit per l'enemic.
Lamarr i Antheil van presentar la seva invenció al National Inventors Council el juny de 1941 i se'ls va concedir una patent. Tanmateix, l'exèrcit nord-americà no va reconèixer immediatament l'enorme potencial del dispositiu i mai es va utilitzar per al propòsit previst. No obstant això, anys més 🤬 es va implementar als vaixells de la marina nord-americana durant la crisi dels míssils de Cuba i posteriorment va aparèixer en diverses aplicacions militars. No obstant això, el que és més significatiu, la "tecnologia d'espectre estès" que Lamarr va ajudar a desenvolupar va tenir una enorme influència en el boom de les comunicacions digitals i va proporcionar les bases tècniques per a les màquines de fax, els telèfons mòbils i altres tecnologies sense fil.

# data[].attributes.attachment_link.title
La idea de Hedy Lamarr que ayudó a inventar el Wi-Fi

# data[].attributes.headline
Pels següents grups...us dono una pista bastant relacionada: Neus Sabaté, ex-alumna de la Universitat de Barcelona

# data[].attributes.subject
Pels següents grups...us dono una pista bastant relacionada: Neus Sabaté, ex-alumna de la Universitat de Barcelona

# data[].attributes.body
Maria de les Neus Sabaté va estudiar Física a la mateixa facultat que trepitgem nosaltres. Va realitzar un doctorat al Institut de Microelectrónica de Barcelona al qual tornaria després d'un postdoc a Alemanya.

A partir un test d'embaràs se n'adona que les piles que aquests contenen són de dificil reutilització i li sorgeix la idea de cercar una alternativa més sostenible. En 2014 va rebre la beca de la Fundació Bill & MElinda Gates amb la que va desenvolupar la primera pila biodegradable del món. Seguint amb aquesta línia, volia implementar aquestes piles d'un sol ús en dispositius de diagnòstic. Un exemple és el diagnòstic de la fibrosi quísitca mitjançant un pegat, la pila està feta de materials porosos, com ara el paper, i la pròpia mostra de diagnòstic l'activa, en aquest cas la suor, de manera que aquest tipus de pila disminueix l'impacte mediambiental al no fer servir substàncies tòxiques. En 2015 va cofundar Fuelium, una empresa que continúa amb la implementació de piles de paper en dispositius de diagnòstic.

En 2020 va rebre el Premi Física, Innovació i Tecnologia de la RSEF pel seu treball en el camp de les bateries biodegradables.

# data[].attributes.body
Hertha Marks Ayrton nascuda el 28 d'abril de 1854 a Hampshire (Anglaterra) fou una enginyera, matemàtica, física i inventora. Estudià matemàtiques al Girton College de Cambridge, però no va rebre el títol, ja que en aquella època Cambridge no certificava l'educació de les dones.

Hertha va començar les seves investigacions envers l'arc elèctric, en aquell temps un aparell molt utilitzat en l'enllumenat públic. A finals del segle dinou, va descobrir que el contacte de l'oxigen amb les varetes de carboni era el causant d'aquest fenomen. El 1895 va publicar les seves conclusions a The Electrician i anys més endavant a una conferència en la Institution of Electrical Enginees (IEE), essent la primera dona a fer una ponència en aquesta institució. Així mateix, poc temps després, va començar a formar part de la IEE.

El seu prestigi internacional li va ser donat, sobretot, pels seus estudis envers l'enginyeria elèctrica. Per aquesta raó, el 1899 va ser nomenada presidenta de la secció de Física en el Congrés Internacional de Dones a Londres. Poc després va participar en el Congrés Elèctric Internacional de París, raó per la qual l'Associació Britànica per l'Avenç de la Ciència va acceptar una dona com a membre en comitès. Uns anys més endavant, va presentar una candidatura per tal d'ingressar en la Royal Society, però aquesta va ser desestimada a causa de tractar-se d'una dona casada.

Més enllà dels seus treballs en l'arc elèctric, el 1906 va rebre la medalla Hughes, la qual reconeixia les seves investigacions envers la formació d'ones en les dunes i les onades del mar. En aquella època, només quatre persones havien estat guardonades i, fins avui dia, és una de les dues úniques dones a qui se li ha atorgat.

Hertha va registrar al llarg de la seva vida 26 patents, 5 de les quals sobre divisors matemàtics, 13 sobre làmpades d'arc i elèctrodes i la resta relacionats amb la propulsió d'aire.

Gràcies als estudis d'Hertha en l'arc elèctric es va poder entendre molt millor aquesta tecnologia, que va ser precursora de la física dels plasmes. Va estudiar tots els problemes i errors que pogués haver-hi en aquesta tecnologia per entendre-la i millorar-la. Aquestes contribucions es van poder aplicar en millorar la mida, la forma i la posició dels elèctrodes de carboni. Va trobar altres aplicacions com per exemple en làmpades de projectors de cinema.

Hertha va ser una dona de pensament obert i independent. A més, va tenir molt bons amics que li van donar suport al llarg de tota la seva carrera; com per exemple, Marie Curie.

Finalment, una dada curiosa és que quan Hertha va defallir va donar una important quantitat de diners a la IEE, l'única organització que la va acollir sense els prejudicis de l'època a causa del seu gran agraïment.

# data[].attributes.attachment_link.readable_text
0:00 / 4:43•Watch full video

# data[].attributes.attachment_link.title
The woman who tamed lightning | Hertha Marks Ayrton | BBC Ideas

# data[].attributes.body
Edith Clarke (1883 - 1959) és coneguda per haver estat una pionera en molts aspectes. Va ser la primera dona que va treballar professionalment com a enginyera elèctrica a Estats Units, així com la primera professora de la mateixa disciplina, entre d’altres. Concretament es va especialitzar en l’anàlisi de sistemes d’energia elèctrics.

Va començar la seva carrera com a “computadora”, com tantes altres dones en aquella època, ajudant als enginyers a construïr la primera línea telefònica transcontinental. La seva contribució més famosa és la Calculadora Clarke l’any 1921. Es tractava d’un dispositiu gràfic que resolia equacions mitjançant corrent elèctrica, voltatge i impedància en línies de transmissió d’energia. Aquest aparell resolia equacions lineals amb funcions hiperbòliques deu cops més ràpid que els dispositius del moment. L’any 1925 se li va concedir una patent per aquesta calculadora.

D’altre banda, va ajudar a construïr el “Hoover Dam”, tot aportant la seva expertesa elèctrica en desenvolupar i instal·lar les turbines que generen energia elèctrica encara avui. A més, és qui va escriure un llibre de referència en el camp de l’enginyeria de l’energia, “Circuit Analysis of A-C Power Systems”.

A banda de les seves contribucions, destaca per haver sigut una dona que va trencar moltes barreres en aquella época: va ser la primera dona en entrar a la societat d’enginyers més antiga dels Estats Units, Tau Beta Pi. L’any 1948 va passar a ser la primera Socia de l’Institut Americà d’Enginyers Electrònics, i el 1954 va rebre el Premi de la Societat de Dones Enginyeres. De manera pòstuma se la va incloure, l’any 2015, al saló de la Fama Nacional dels Inventors.

# data[].attributes.headline
La nostra aportació es basa en un documental disponible a les plataformes i molt recomanable: "Sisters with transistors"

# data[].attributes.subject
La nostra aportació es basa en un documental disponible a les plataformes i molt recomanable: "Sisters with transistors"

# data[].attributes.body
El documental explica la història invisibilitzada de les pioneres en la música electrònica. Aquestes dones van inventar un gènere musical nou, que avui, per cert, mou molts milions d'euros.

# data[].attributes.attachment_link.title
Sisters with Transistors [Official Trailer]

# data[].attributes.body
Les històries d'aquestes dones també s'expliquen a la pàgina web dedicada al documental (https://sisterswithtransistors.com/the-pioneers). Aquí, ens centrarem en la història d'una d'elles.

# data[].attributes.attachment_link.readable_text
︎

Though electronic music was uncommon in formal music settings at the time, Clara Rockmore (9 March 1911 - 10 May 1998), the classically trained Lithuanian virtuoso with perfect pitch, performed as a soloist with the New York Philharmonic, the Philadelphia Orchestra, and the Toronto Symphony with her theremin, one of the very first electronic instruments. She mastered the instrument and participated in its design, helping its inventor Professor Theremin fine-tune earlier models to improve range and precision. Wowing audiences around the world, she ushered electronic music to concert hall prestige. "I had to make - and then meet - my own standards; I had to win the public over into thinking of the theremin as a real, artistic medium," Rockmore said.

DAPHNE ORAM // 1949

British composer and inventor Daphne Oram (Born 31 December 1925) was aged 18 and armed with a passion for sound, music and electronics when she started work at the BBC as a sound engineer. With many of her country's men serving in the second World War, she began her career in radio broadcasting in the early '40s. Galvanized by the ongoing developments in audio technology, she devoted much of her free time to exploring new ways to make sounds with electronics. One of the founding figures of the BBC's Radiophonic Workshop, she was one of the earliest British composers to produce electronic sounds and compose from field recordings - Musique Concrete, the ancestry of today's electronic music. In 1959 she opened her own Oramics Studios for Electronic Composition dedicated to the drawn sound technique she would spend her life developing.

Bebe Barron (June 16, 1925 - April 20, 2008) was an American composer of electronic music. Her work (with her husband Louis) defines one of the most idiosyncratic tape music movements in history. For a wedding present, they were given one of the earliest tape recorders using magnetised plastic tape. They founded one of the first private electro acoustic studios in 1949 in Greenwich Village, where they recorded artists like Tennessee Williams to John Cage reading their work. By 1956, this pioneering duo had created the world's first electronic film score for Forbidden Planet, made entirely from treated "bleeps blurps, whirs, whines, throbs, hums, and screeches" generated by their own home made electronic circuits. The Barron's practice of layering manipulated sounds from several different tape machines can be seen today in the multi-tracking practices so fundamental to modern recording studios.

PAULINE OLIVEROS // 1959

Composer and accordionist Pauline Oliveros (30 May 1932 - November 24, 2016) began exploring tape and electronic music techniques in the late 50s. A founding member and central figure of the influential San Francisco Tape Music Centre with Ramon Sender and Morton Subotnick, her compositions introduced meditative and ritualistic practices while exploring deep, existential ideas. Gender inequality would be a theme that she addressed tenaciously. An essay she wrote for the NY Times in 1970 started with a provocative question - "Why have there been no 'great' women composers?" Lifting the veil on gender bias and societal expectations of domestic compliance, she worked as she says "To create an atmosphere of opening for all to be heard, with the understanding that listening is healing."

The British composer and mathematician Delia Derbyshire (5 May 1937 - 3 July 2001) worked at the BBC Radiophonic Workshop and reached true cult-hero status with her electronic arrangement of the Dr Who Theme in 1963, one of the first entirely electronic music pieces used on television. Derbyshire brought the early electronic techniques of musique concrete and tape manipulation to a wider audience. The air raid sirens she heard as a child during the bombings of Coventry where she was born served as her inspiration, her own voice as an instrument, and she would often use a green lampshade to make music with.

MARYANNE AMACHER // 1967

Maryanne Amacher (February 25, 1938 - October 22, 2009) was an American electronic composer and sound artist with a reputation for overwhelming volume and a love for science. A student of Karlheinz Stockhausen and a collaborator of John Cage and Merce Cunningham her work anticipates some of the most important developments in media, sound and installation arts. She is best known for working extensively with psychoacoustic phenomena in which the ears themselves produce audible sound.

ELIANE RADIGUE // 1970

French composer Eliane Radigue (born January 24, 1932) first discovered electronic music on a radio show in the 50s. Shortly thereafter, thanks to a chance encounter she began an apprenticeship with Pierre Schaeffer and Pierre Henry, founders of musique concrète. When she started to make her own work, she developed a particular interest in tape feedback technique. Using feedback, tape loops, and beginning in the 70s, the ARP 2500 modular synthesizer, Radigue's haunting long duration compositions are expressions of her deep reflections on sound and listening.

Radigue currently lives in France.

SUZANNE CIANI // 1976

Suzanne Ciani (born June 4, 1946) is a five-time Grammy award-nominated composer, electronic music pioneer, and new age recording artist. While in grad school in Berkeley, Suzanne became entranced with the ability to produce music with a machine, and devoted herself to the Buchla synthesizers for the next two decades, pioneering live electronic performances in quadrophic sound. Alongside a successful artistic career, she was also responsible for scoring TV spots and crafting iconic sound bites for some of America's largest corporations throughout the '70s and '80s. The sound effect of a Coca-Cola bottle being opened and poured is one of her most famed achievements. Ciani was also the first woman to score a major Hollywood film (Lily Tomlin's 'The Incredible Shrinking Woman' in 1981).

Ciani currently lives in California.

LAURIE SPIEGEL // 1986

Laurie Spiegel (born September 20, 1945) is an American composer. She grew up playing guitar and lute. As a music student and fledgling composer in New York at the end of the 60s, Spiegel fell in love with analog synthesizers at first sight, or rather, first sound. In 1973, she starts working at Bell Labs, learning to program that era's giant computers. One of Spiegel's composition is the opening cut on the Golden Record, a disc that accompanied both Voyager probes on their journey across the solar system and out into the great interstellar beyond in 1977. In 1985 she buys herself a Mac 512k and immediately wants to push sounds around with the mouse. She develops Music Mouse, a groundbreaking computer program that turns the Mac itself into a musical instrument, combining programming and composing into a single process. Music Mouse quickly turns into an in-demand application, among the earliest Music Software available to consumers.

Spiegel currently lives in New York.

# data[].attributes.attachment_link.description
︎ CLARA ROCKMORE // 1928 Though electronic music was uncommon in formal music settings at the time, Clara Rockmore (9 March 1911 - 10 May...

# data[].attributes.body
"Sisters with transistors" explica la història de les pioneres de la música electrònica, compositores que van utilitzar les eines de l'electrònica física per a crear una nova forma de produir música. Algunes d'aquestes dones, que gràcies als seus experiments amb diferents aparells electrònics van contribuir a redefinir els límits de la música, van ser: Clara Rockmore, Daphne Oram, Delia Derbyshire...

Ens centrarem a explicar breument la història de Daphne Oram. Fou una compositora i inventora britànica (nascuda el 31 de desembre del 1925). Als 18 anys ja va començar a treballar a la BBC com a enginyera de so, i ja demostrava una gran passió pel so, la música i l'electrònica. Començà la seva carrera en la radiodifusió a principis dels anys 40, fou una de les figures fundadores del Taller Radiofònic de la BBC i una de les primeres compositores britàniques en produir sons electrònics i compondre a partir de gravacions de camp. Dedicava gran part del seu temps lliure a explorar noves formes de produir sons amb diferents aparells electrònics, principalment a partir dels transistors. Al 1959 va obrir els seus propis "Estudis Oramics de Composició Electrònica", dedicats a la tècnica de so dibuixat, que implica dibuixar directament sobre pel·lícula de 35mm. Les formes i dissenys resultants són llegits per cèl·lules fotoelèctriques i transformats en so. Tant la tècnica Oramics com la flexibilitat del control sobre els matisos de so eren una aproximació totalment nova i innovadora a la producció musical.

# data[].attributes.body
Isabelle Stone (1868-1966) va ser una física estatunidenca, la primera dona que es va doctorar en física als Estats Units.

Va nèixer a Chicago, Illinois. Potseriorment a graduar-se en música al Wesley College, es va incriure a la Universitat de Chicago i va obtenir el seu master i doctorat en física.

El tutor de la seva tesi doctoral va ser en Michelson, la qual va consistir en estudiar la resistivitat de les làmines fines de metall, trobant que la seva resitivitat era superior a la dels metalls guixuts.

Va dedicar-se a ensenyar astronomia, àlgebra i geometria a diversos centres científics i universitats. Va pertanyer a la societat American Men of Science i, posteriorment, va ser una de les dues creadores de la American Physical Society. També va fundar, juntament amb la seva germana, la primera escola internacional per a noies Americanes.

# data[].attributes.body
En aquest enllaç hi podeu trobar la seva tesi doctoral.

Va ser la primera en observar aquest fenomen, que també va observar Patterson l'any 1901. Una teoria proximada de l'explicació d'aquest efecte va ser donada per Thomson aquell mateix any.

# data[].attributes.attachment_link.readable_text
About this Item

Stone, Isabelle, b. 1868.

26 page scans

Catalog Record

Text-Only View

Rights

Public Domain, Google-digitized.

Download

Please choose another view to download individual pages.

Format

Ebook (PDF)

Text (.txt)

Image (JPEG)

Image (TIFF)

Image Resolution

High / 300 ppi

Full / ~400 dpi

Range

Current page scan #22

Left page scan #22

Right page scan #22

Download Help

Partner institution members: Log in to download this item.

If you are not a member of a partner institution, whole book download is not available. (why not?)

Search in This Text

Search for

Open results in a new window

Jump to Section

Front Cover

Title Page

Section 1 - 1

Index - 12

Get This Item

Find in a library

Find at Google Books

Collections

Log in to make your personal collections permanent.

Add this item to a collection:

In your collections:

Share

Permanent link to this item

Link to this page

Embed this item

Version

2020-08-25 13:08 UTC
About the version

# data[].attributes.attachment_link.title
On the electrical resistance of thin films ... By Isabelle Stone ...

# data[].attributes.attachment_link.description
On the electrical resistance of thin films ... By Isabelle Stone ...

# data[].attributes.body
Lynn Ann Conway nascuda el 2 de gener de 1938, és una informàtica, enginyera electrònica i activista transgènere nord-americana. Va accedir al MIT amb bones notes, però ho va acabar deixant al sotmetre's a una operació de reasignació sexual, que va resultar com a fallida deguda al clima mèdic d'aquell temps. La seva carrera professional comença a IBM a la dècada de 1960. Va estar treballant a l'equip de disseny d'arquitectura de computadores i supercomuputadores avançades. Va inventar el generalised dynamic instruction handling, que va ser de vital importància per al paradigma d'execució de les computadores. Va assabentar-se de la investigació de Harry Benjamin respecte al tractament de transsexuals. Va portar el seu canvi de gènere sota el cuidat de Benjamin. Ella tenia l'esperança de fer la transició sense perdre la feina, però IBM la va acomiadar el 1968 després que confessés que era transsexual i que s'estava planejant canviar de sexe. La seva carrera professional va quedar interrompuda per aquesta injustícia. Després de perdre la seva ocupació a IBM va recomençar la seva carrera com a dona i va treballar com a programadora. El 1973 va treballar per Xerox PARC en el disseny de VLSI—que va interrompre per exercir de professora convidada zl Massachusetts Institute of Technology, –juntament amb Carver Mead. Tots dos serien els desencadenants de la Revolució Circuit integrat a molt gran escala (VLSI). Aquest és un circuit que conté més de 20.000 transistors. Aquests sistemes d'integració a gran escala es van convertir en la base del desenvolupament de l'electrònica a Silicon Valley als anys 80 i van permetre la construcció de màquines de computació molt més petites i lleugeres fins arribar a dispositius com els que veiem avui en dia. Més endavant, a principis de la dècada del 1980 va treballar per DARPA en computació estratègica i el 1989 va ser professora a la Universitat de Michigan. En aquest mateix any va ser acceptada membre de la National Academy of Engineering pels seus mèrits en el disseny del circuits integrats a molt gran escala (VLSI). Així, als anys 90 els seus treballs eren la base comuna de molts dels projectes que es desenvolupaven en importants empreses tecnològiques.

Després de retirar-se de la seva plaça de professora al desembre de 1998 ha estat una prominent activista pels drets dels transsexuals. El 2002 Conway es va casar amb l'home amb qui vivia des de 1988 i amb qui resideix a Ann Arbor, Michigan. Avui en dia, Lynn Conway és professora de la Universitat de Michigan y és membre de la acadèmia nacional d'enginyeria dels Estats Units.

Hem escollit parlar de l'obra d'aquesta dona no només per la rellevància de la seva feina en el món de l'electrònica, sinó també pel context personal i social amb què es va trobar a l'hora de desenvolupar la seva carrera com a científica.

# data[].attributes.attachment_caption
Foto de la Leah Buechley, extreta del seu Twitter

# data[].attributes.body
Leah Buechley és una enginyera i divulgadora nord-americana que actualment dirigeix un grup de recerca a la Universitat de Nou Mèxic, on també hi treballa com a professora associada.

Volem destacar el seu paper com a divulgadora i com a inventora de LilyPad, un sistema Arduino que es pot implementar a tèxtils.

Quan era petita, es va interessar en les matemàtiques i en la "computer science", però també en la dansa, el teatre i l'art. De fet, va entrar a l'Skidmore College amb la idea de convertir-se en ballarina professional, però finalment s'hi va graduar en física i posteriorment es va doctorar en "computer science" a la Universitat de Colorado. No obstant, no va perdre la seva vocació artística i va tractar de juntar les seves dues vocacions, donant origen a Lilypad.

Fins avui ha publicat diversos papers i ha escrit dos llibres. La majoria de les seves publicacions i els dos llibres estan més aviat enfocats en la divulgació. Un d'ells, per exemple, és una compilació de manualitats DIY amb LilyPad.

Deixem un enllaç a la seva web personal, on es poden trobar encara més detalls de la seva trajectòria:  http://leahbuechley.com/

# data[].attributes.body
Lisa Su, revolucionària del sector tecnològic i CEO d’Advanced Micro Devices (AMD), ha tingut un paper essencial en el desenvolupament de components electrònics optimitzats.

Nascuda a finals de 1969 a Taiwan, Lisa Su va emigrar als Estats Units amb tan sols 3 anys de la mà dels seus pares i del seu germà. Des d'una edat primerenca, Lisa despertà una inquietud envers el funcionament dels mecanismes del seu entorn. Per una banda, el seu pare, que havia estat estadista, va encoratjar-la a estudiar matemàtiques i ciència des de ben petita. Per altra banda, va mamar des de ben petita conceptes empresarials ja que la seva mare era comptable i, posteriorment, emprenedora. En aquest context, Lisa Su va anar creixent, va estudiar a Nova York i va començar a encaminant-se cap al món de l'enginyeria.

Tal era la seva vocació que va estudiar enginyeria elèctrica al Massachussetts Institute of Technology (MIT). Allà, va aflorar el seu interès pels semiconductors. Tant és així que va destinar la major part dels seus estudis universitaris als laboratoris de la seva facultat dissenyant i ajustant dispositius. Més endavant va seguir estudiant amb un màster al MIT. El seu interès la va dur a realitzar posteriorment un doctorat en enginyeria elèctrica entre 1990 i 1994. Va titular la seva tesi com "Extreme submicrometer Silicon-On-Insulator (SOI) MOSFETs". Va ser de les primeres investigadores en estudiar la tecnologia del silici sobre aïllant, una tècnica per a augmentar l'eficiència de transistors però que fins aleshores no s'havia provat.
Els transistors MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor) són un tipus de transistor unipolar, és a dir que, a diferència dels coneguts BJT, funcionen amb un únic tipus de portador. En concret, la seva tesi doctoral es va basar en els SOI MOSFET (Silicon-On-Insulator MOSFET), una combinació de transistor amb dielèctric que permet reduir considerablement les capacitats paràsites, que són aquelles capacitats no desitjades que apareixen als contactes entre diferents materials.
Més endavant, Lisa Su va despuntar cap al món empresarial i ha esdevingut presidenta i directora d'empreses de dispositius electrònics de gran renom.

Finalment, la història de la Lisa Su ens pot donar una idea de la problemàtica relacionada amb gènere, ciència i tecnologia. I és que potser Lisa Su no hagués arribat a on és si no hagués estat per la seva mare comptable o el seu pare matemàtic. Malauradament la nostra societat encara no dona prou suport ni impulsa les dones a dedicar-se a recerca, sinó que més aviat les frena i les fa dubtar. Ella mateixa reconeix, referint-se a la seva època universitària: “no necessitava ser la persona més intel·ligent de l’aula, sinó que si realment m’aplicava a resoldre problemes pràctics, ja podia marcar una gran diferència”, la qual cosa ens mostra com la societat força les dones a perseguir carreres més pràctiques que tinguin efectes “útils”, en el sentit de tenir impacte directe i tangible al món, i les allunya del món més acadèmic amb un impacte més discret, i que podria explicar el seu moviment cap a l’àmbit empresarial.

# data[].attributes.body
Evelyn Hu, nascuda a Nova York l'any 1945, és física nord-americana, actualment professora de física aplicada i enginyeria elèctrica a la Universitat de Harvard.

Ha estat pionera en la fabricació de dispositius electrònics i fotònics a nanoescala que algun dia podrien facilitar la computació quàntica. Ha realitzat importants contribucions en la nanotecnologia al disenyar i crear nanoestructures complexes.
El seu treball s'ha centrat en dispositius a nanoescala fets de semiconductors compostos, així com dispositius novedosos fets mitjançant la integració de diferents materials.

Està explorant l'ús del nitrur de gal·li en la formació i posterior utilització de punts quàntics en nanofotònica, unes nanoestructures semiconductores que confinen el moviment dels electrons de la banda de conducció i els forats de la banda de valència en les tres direccions espaials.

Per acabar, cal destacar que va cofundar una empresa que desenvolupa materials nous i rendibles per a l'aplicació de dispositius electrònics, Cambrios Technology, amb seu a Cambridge. A més, ha dirigit diferents instituts i centres d'investigació com ara l'Institut d'Enginyeria Quàntica o el Centre d'Estructures Electròniques Quantitzades.
És editora i revisora de la prestigiosa revista Science.

# data[].attributes.body
María José Calderón és una científica espanyola rellevant en el món de l’electrònica física. La seva recerca es centra des de correlacions electròniques en nous superconductors, com el grafè de bicapa retorçada, fins a l'estudi de nanoestructures (punts quàntics, dopants en Si) per a la computació quàntica. També ha treballat en les propietats a granel de materials de magnetoresistència colossals, heteroestructures d'òxid, superconductors basats en Fe i semiconductors magnètics diluïts. Podeu trobar una llista de les seves publicacions aquí: https://wp.icmm.csic.es/tqe/people/maria-jose-calderon/maria-jose-calderon-publications/

Ha treballat des de l’any 2007 a l'ICMM-CSIC (l’institut de Ciència de materials de Madrid). També va estar estar més de 3 anys al grup de Teoria de la Matèria Condensada al Laboratori Cavendish de la Universitat de Cambridge, com a investigadora junior del Churchill College, i dos anys com a investigadora associada al Centre de Teoria de la Matèria Condensada, Universitat de Maryland.

Actualment és la directora del nou màster en Tecnologies Quàntiques creat per la plataforma Quantum Technologies CSIC en col·laboració amb la Universidad Internacional Menéndez Pelayo i altres 9 institucions de referència a Espanya. Des d'octubre de 2018 és membre del Consell
Editorial de Physical Review B. Va ser la presidenta president de la Divisió de Física de la Matèria Condensada-GEFES de la Reial Societat Espanyola de Física des de gener de 2016 fins a octubre de 2020 i vicepresidenta els dos anys anteriors. També va ser copresidenta de CMD2020GEFES online, la fusió de les reunions científiques de les divisions de la matèria condensada europea i espanyola, que es va celebrar en línia del 31 d'agost al 4 de setembre. El gener de 2021 vaig ser escollida membre de la junta de l'EPS-CMD.

# data[].attributes.body
Mildred Dresselhaus es una nanotecnóloga americana conocida como la reina de la ciencia del carbono debido a sus granes aportaciones en este área. Además cabe destacar que fue la primera catedrática en Física e ingeniería Física en la universidad de Massachusetts.
En 2012 recibe el premio Kavli por su aportación en la investigación de fonones, interacción de fonones con electrones y el transporte térmico en nanoestructuras. Destacó además por el estudio del grafito, intercalación de grafitos, efecto termoeléctrico y de los nanotubos de carbono. Los nanotubos tienen importantes y únicas propiedades que dependen del grado de enrollamiento y de la composición de la lámina original. Pueden comprtarse tanto como semiconductores como superconductores regidos por leyes cuánticas.
Mildred Dresselhaus se ha convertido en una de las mayores referentes femeninas en la ciencia debido a sus grandes aportaciones, gracias a las cuales ha sido reconocida con numerosos premios.

# data[].attributes.attachment_link.title
Queen of Carbon Science: The Mildred Dresselhaus Story

# data[].attributes.body
Nai Chang Yeh, nascuda el 1961, és una física taiwanesa-americana, actualment professora a l’Institut de Tecnologia de California (Caltech) i codirectora de la Fundació Fletcher Jones de l’Institut Kavli de Nanociència de Caltech. Es va criar i graduar a Taiwan, per a posteriorment doctorar-se en l’Institut de Tecnologia de Massachusetts (MIT) amb Mildred Dresselhaus com a tutora.

La doctora Nai-Chang Yeh ha realitzat contribucions importants a l'estudi de la física de la matèria condensada, especialment en l'àrea dels materials i dispositius a escala nanomètrica. La seva recerca es centra en explorar les propietats i el comportament fonamentals dels materials a nivell nanomètric, així com les seves possibles aplicacions en diversos camps tecnològics.

Ha realitzat una recerca extensa sobre la superconductivitat, que és el fenomen de resistència elèctrica nul·la en certs materials a baixes temperatures. Ha treballat en la investigació de les propietats dels superconductors d'alta temperatura i en la comprensió dels mecanismes que els permeten exhibir superconductivitat a temperatures més altes que els superconductors tradicionals.

A més de la seva recerca sobre superconductors, també ha estat involucrada en l'estudi de sistemes com punts quàntics i nanotubs, estructures amb propietats úniques que els converteixen en candidats prometedors per a futurs dispositius electrònics i optoelectrònics.

La doctora Yeh ha publicat nombrosos articles científics en revistes de prestigi i ha rebut reconeixement per les seves contribucions a la recerca; entre d’altres, és membre de la Societat Americana de Física i de l’Institut de Física del Regne Unit. També ha estat activament implicada en la docència i en la tutoria de joves científics, contribuint a l'avanç de la comunitat científica.

# data[].attributes.attachment_link.title
Lynn Conway "An Invisible Woman" @ GVPL Nov. 10th, 2016

# data[].attributes.attachment_caption
Els processos desenvolupats per Gertrude Neumark Rothschild van millorar molts dispositius de consum.

# data[].attributes.body
Gertrude Neumark Rothschild va ser una física americana que va treballar en el camp de l'electrònica física, fent avenços tan importants com el desenvolupament de LEDs i díodes làser que emeten llum blava, verda, violeta i UV. En general, fou una dona pionera en la ciència, que va superar molts reptes i barreres durant la seva carrera.

Neumark, filla d’una família jueva, va néixer a Alemanya l’any 1927. Va haver de fugir d’Alemanya durant l’època nazi, establint-se als Estats Units, on es va llicenciar al Barnard College. Posteriorment, es va doctorar en química a la Universitat de Columbia. Al 1999 es va convertir en la primera dona en ocupar una càtedra a l’Escola d’Enginyeria i Ciències Aplicades de Columbia.

La investigació de Neumark es va centrar en les propietats òptiques i elèctriques dels semiconductors de gap ample, que poden emetre llum en longituds d’ona més curtes que els convencionals. Va inventar un procés de dopatge que va permetre fabricar LEDs i làsers díode d’alt rendiment en aquest espectre, amb nombroses aplicacions en camps com ara la comunicació, la medicina i la biotecnologia.

Neumark va registrar nombroses patents i va haver de demandar a diverses empreses per defensar-les. Va rebre molts honors i premis per les seves contribucions a la ciència i ha estat inclosa en el lloc web de la UCLA “Contribuitions of 20th Century Women to Physics”.

En definitiva,  Neumark fou una científica extraordinària, font d’inspiració per a moltes científiques posteriors, i per a tots nosaltres.

# data[].attributes.body
Esther M.Conwell va ser física i química.Va néixer l'any 1922 i va morir el 2014. Durnat la seva carrera va estudiar les propietats dels semiconductors i conductors orgànics, especialitzant-se en el transport d'electrons i forats.

Juntament amb Victor Weisskopf van desenvolupar la teoria que porta el nom dels dos científics, Conwell-Weisskopf, que descriu com les impureses ionitzades impedeixen el flux d'electrons. Aquesta teoria es considera essencial per entendre com els diferents materials afecten el flux d'electrons dins els transistors i va portar a una millor comprensió de la fabricació dels circuits integrats.

Volem afegir que també va dedicar part de la seva recerca a l'estudi del moviment de càrregues elèctriques a través de l'ADN i com aquest moviment pot provocar mutacions cancerígenes.

Durant el seu recorregut professional, va publicar més de 270 articles i 4 patents. Cal destacar que l'any 2010 va rebre la medalla nacional de ciència dels EEUU com a reconeixement a les seves aportacions a la ciència.

# data[].attributes.body
Nakita Noel és una científica nascuda i criada en Trinitat i Tobago, un país ubicat en el mar Carib. Va realitzar una doble titulació de física i química en la Universitat de les Indies Occidentals ("The University of the West Indies") on va despertar un gran interès en la química dels materials i en les ciències ambientals.

Un cop graduada va decidir cursar un doctorat, en 2011, en Física de la Matèria Condensada a Oxford, on la seva fascinació pels nanocristalls semiconductors i les tecnologies d'energia renovable va fer que es centrés en l'estudi de les plaques solars híbrides.

Després del doctorat va fer una beca postdoctoral, en 2017, de Ciència de Materials en el Centre de Materials Complexos en Princeton ("The Princeton Center for Complex Materials (PCCM)").

A principis del 2021, va rebre la beca EPSRC i va regresar a Oxford per establir un grup d'investigació centrat en la formació de defectes en semiconductors particulars i estudiar els processos de cristalització en una pel·lícula prima, concretament en perovskitas d'halur formades a partir de tintes precursores, per aconseguir un millor rendiment dels dispositius optoelectrònics, com són les plaques solars i els díodes emisors de llum.

# data[].attributes.body
Kristina M. Johnson (nascuda el 7 de maig de 1957) és una executiva empresarial i administradora acadèmica nord-americana. Va ser la 13a rectora de la Universitat Estatal de Nova York (2017-2020) i la 16a presidenta de la Universitat Estatal d'Ohio (2020-2023).

Kristina M. Johnson és reconeguda per les seves contribucions a l'enginyeria, especialment en sistemes de processament optoelectrònic, imatges 3D i sistemes de gestió del color. Després de completar la seva beca postdoctoral, va unir-se a la Universitat de Colorado Boulder el 1985 com a professora assistent d'enginyeria elèctrica i informàtica. Allà, va cofundar el Centre d'Investigació en Enginyeria de la NSF per a Sistemes de Computació Optoelectrònics.

El seu treball va conduir a la creació de diverses empreses, incloent ColorLink, Inc., que més endavant va ser venuda a RealD, un actor clau en el ressorgiment de la indústria del cinema 3D. A més, va cofundar el Centre d'Excel·lència en Optoelectrònica de l'Institut de Tecnologia Avançada de Colorado.

El 1999, Johnson es va convertir en la degana de l'Escola d'Enginyeria de la Universitat de Duke. Les seves contribucions acadèmiques van continuar amb la seva elecció a l'Acadèmia Nacional d'Enginyeria el 2016, reconeixent el seu desenvolupament i desplegament de tecnologies de pantalla de cristall líquid en silici, fonamentals per a la imatge 3D optoelectrònica d'alta velocitat.

Aquí us deixem un link a una entrevista seva molt interesant!!! Esperem que us agradi molt: https://www.wosu.org/show/all-sides-with-ann-fisher/2023-05-11/kristina-johnson-reflects-on-her-tenure-as-ohio-states-president

🤬

# data[].attributes.body
Frances Ross és una física estatunidenca nascuda el 1960. Va obtenir el seu doctorat en física a la Universitat de Cambridge, on va iniciar les seves investigacions en nanotecnologia i física de materials. Després de completar els seus estudis, va començar a treballar en llocs de renom com ara el Laboratori Nacional Brookhaven o el Laboratori Nacional Lawrence Berkeley.

Ross és coneguda al mon de la electrònica física per les seves contribucions al desenvolupament de tècniques avançades per a la fabricació i caracterització de nanoestructures, com ara nanotubs de carboni i nanohilos. La seva recerca ha estat fonamental per a la comprensió del comportament de materials a escala nanomètrica i per al desenvolupament de tecnologies emergents en àrees com la nanoelectrònica i la nanotecnologia.

A més de la seva excel·lència en la recerca, Ross també ha estat una líder reconeguda en el seu camp, mentorant i sobretot inspirant dones per iniciar-se a la física. Ha rebut nombrosos reconeixements i premis per la seva contribució a la ciència, i el seu treball continua influenciant i inspirant la pròxima generació de investigadors en el camp de la física de materials i la nanotecnologia.

# data[].attributes.attachment_caption
𝐍𝐮́𝐫𝐢𝐚 𝐀𝐥𝐢𝐚𝐠𝐚 𝐀𝐥𝐜𝐚𝐥𝐝𝐞, 𝐧𝐚𝐬𝐜𝐮𝐝𝐚 𝐚 𝐁𝐚𝐫𝐜𝐞𝐥𝐨𝐧𝐚 𝐞𝐥 𝟏𝟗𝟕𝟕, 𝐞́𝐬 𝐮𝐧𝐚 𝐝𝐞𝐬𝐭𝐚𝐜𝐚𝐝𝐚 𝐜𝐢𝐞𝐧𝐭𝐢́𝐟𝐢𝐜𝐚 𝐢 𝐞𝐧𝐠𝐢𝐧𝐲𝐞𝐫𝐚 𝐝𝐞 𝐦𝐚𝐭𝐞𝐫𝐢𝐚𝐥𝐬 𝐞𝐧 𝐥'𝐚̀𝐦𝐛𝐢𝐭 𝐝𝐞 𝐥'𝐞𝐥𝐞𝐜𝐭𝐫𝐨̀𝐧𝐢𝐜𝐚 𝐝𝐞 𝐬𝐨̀𝐥𝐢𝐝𝐬. 𝐕𝐚 𝐜𝐨𝐦𝐩𝐥𝐞𝐭𝐚𝐫 𝐞𝐥𝐬 𝐬𝐞𝐮𝐬 𝐞𝐬𝐭𝐮𝐝𝐢𝐬 𝐮𝐧𝐢𝐯𝐞𝐫𝐬𝐢𝐭𝐚𝐫𝐢𝐬 𝐞𝐧 𝐅𝐢́𝐬𝐢𝐜𝐚 𝐚 𝐥𝐚 𝐔𝐧𝐢𝐯𝐞𝐫𝐬𝐢𝐭𝐚𝐭 𝐀𝐮𝐭𝐨̀𝐧𝐨𝐦𝐚 𝐝𝐞 𝐁𝐚𝐫𝐜𝐞𝐥𝐨𝐧𝐚 (𝐔𝐀𝐁), 𝐨𝐧 𝐯𝐚 𝐝𝐞𝐬𝐞𝐧𝐯𝐨𝐥𝐮𝐩𝐚𝐫 𝐮𝐧 𝐩𝐫𝐨𝐟𝐮𝐧𝐝 𝐢𝐧𝐭𝐞𝐫𝐞̀𝐬 𝐩𝐞𝐫 𝐥𝐚 𝐧𝐚𝐧𝐨𝐭𝐞𝐜𝐧𝐨𝐥𝐨𝐠𝐢𝐚 𝐢 𝐞𝐥𝐬 𝐦𝐚𝐭𝐞𝐫𝐢𝐚𝐥𝐬 𝐧𝐚𝐧𝐨𝐞𝐬𝐭𝐫𝐮𝐜𝐭𝐮𝐫𝐚𝐭𝐬. 𝐌𝐞́𝐬 𝐭𝐚𝐫𝐝, 𝐯𝐚 𝐨𝐛𝐭𝐞𝐧𝐢𝐫 𝐞𝐥 𝐬𝐞𝐮 𝐝𝐨𝐜𝐭𝐨𝐫𝐚𝐭 𝐞𝐧 𝐂𝐢𝐞̀𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐝𝐞 𝐌𝐚𝐭𝐞𝐫𝐢𝐚𝐥𝐬 𝐚 𝐥𝐚 𝐦𝐚𝐭𝐞𝐢𝐱𝐚 𝐮𝐧𝐢𝐯𝐞𝐫𝐬𝐢𝐭𝐚𝐭, 𝐜𝐞𝐧𝐭𝐫𝐚𝐧𝐭 𝐥𝐚 𝐬𝐞𝐯𝐚 𝐫𝐞𝐜𝐞𝐫𝐜𝐚 𝐞𝐧 𝐥'𝐞𝐬𝐭𝐮𝐝𝐢 𝐝𝐞 𝐦𝐚𝐭𝐞𝐫𝐢𝐚𝐥𝐬 𝐩𝐞𝐫 𝐚 𝐚𝐩𝐥𝐢𝐜𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐬 𝐞𝐧 𝐝𝐢𝐬𝐩𝐨𝐬𝐢𝐭𝐢𝐮𝐬 𝐞𝐥𝐞𝐜𝐭𝐫𝐨̀𝐧𝐢𝐜𝐬 𝐢 𝐨𝐩𝐭𝐨𝐞𝐥𝐞𝐜𝐭𝐫𝐨̀𝐧𝐢𝐜𝐬.                                                                                 𝐃𝐮𝐫𝐚𝐧𝐭 𝐞𝐥 𝐬𝐞𝐮 𝐝𝐨𝐜𝐭𝐨𝐫𝐚𝐭, 𝐀𝐥𝐢𝐚𝐠𝐚 𝐀𝐥𝐜𝐚𝐥𝐝𝐞 𝐞𝐬 𝐯𝐚 𝐝𝐞𝐬𝐭𝐚𝐜𝐚𝐫 𝐩𝐞𝐫 𝐥𝐚 𝐬𝐞𝐯𝐚 𝐫𝐞𝐜𝐞𝐫𝐜𝐚 𝐩𝐢𝐨𝐧𝐞𝐫𝐚 𝐞𝐧 𝐞𝐥 𝐝𝐢𝐬𝐬𝐞𝐧𝐲 𝐢 𝐟𝐚𝐛𝐫𝐢𝐜𝐚𝐜𝐢𝐨́ 𝐝𝐞 𝐧𝐚𝐧𝐨𝐚𝐥𝐚𝐦𝐬 𝐢 𝐧𝐚𝐧𝐨𝐞𝐬𝐭𝐫𝐮𝐜𝐭𝐮𝐫𝐞𝐬 𝐩𝐞𝐫 𝐦𝐢𝐥𝐥𝐨𝐫𝐚𝐫 𝐞𝐥 𝐫𝐞𝐧𝐝𝐢𝐦𝐞𝐧𝐭 𝐢 𝐥'𝐞𝐟𝐢𝐜𝐢𝐞̀𝐧𝐜𝐢𝐚 𝐝𝐞𝐥𝐬 𝐝𝐢𝐬𝐩𝐨𝐬𝐢𝐭𝐢𝐮𝐬 𝐞𝐥𝐞𝐜𝐭𝐫𝐨̀𝐧𝐢𝐜𝐬. 𝐃𝐞𝐬𝐩𝐫𝐞́𝐬 𝐝𝐞 𝐜𝐨𝐦𝐩𝐥𝐞𝐭𝐚𝐫 𝐞𝐥 𝐬𝐞𝐮 𝐝𝐨𝐜𝐭𝐨𝐫𝐚𝐭, 𝐯𝐚 𝐜𝐨𝐧𝐭𝐢𝐧𝐮𝐚𝐫 𝐥𝐚 𝐬𝐞𝐯𝐚 𝐜𝐚𝐫𝐫𝐞𝐫𝐚 𝐢𝐧𝐯𝐞𝐬𝐭𝐢𝐠𝐚𝐝𝐨𝐫𝐚 𝐞𝐧 𝐢𝐧𝐬𝐭𝐢𝐭𝐮𝐜𝐢𝐨𝐧𝐬 𝐝𝐞 𝐫𝐞𝐧𝐨𝐦 𝐢𝐧𝐭𝐞𝐫𝐧𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐚𝐥, 𝐥𝐢𝐝𝐞𝐫𝐚𝐧𝐭 𝐩𝐫𝐨𝐣𝐞𝐜𝐭𝐞𝐬 𝐬𝐨𝐛𝐫𝐞 𝐞𝐥 𝐝𝐞𝐬𝐞𝐧𝐯𝐨𝐥𝐮𝐩𝐚𝐦𝐞𝐧𝐭 𝐢 𝐥𝐚 𝐜𝐚𝐫𝐚𝐜𝐭𝐞𝐫𝐢𝐭𝐳𝐚𝐜𝐢𝐨́ 𝐝𝐞 𝐦𝐚𝐭𝐞𝐫𝐢𝐚𝐥𝐬 𝐧𝐚𝐧𝐨𝐞𝐬𝐭𝐫𝐮𝐜𝐭𝐮𝐫𝐚𝐭𝐬 𝐩𝐞𝐫 𝐚 𝐚𝐩𝐥𝐢𝐜𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐬 𝐞𝐧 𝐞𝐥𝐞𝐜𝐭𝐫𝐨̀𝐧𝐢𝐜𝐚 𝐝𝐞 𝐬𝐨̀𝐥𝐢𝐝𝐬.                𝐄𝐥 𝐬𝐞𝐮 𝐭𝐫𝐞𝐛𝐚𝐥𝐥 𝐡𝐚 𝐜𝐨𝐧𝐭𝐫𝐢𝐛𝐮𝐢̈𝐭 𝐬𝐢𝐠𝐧𝐢𝐟𝐢𝐜𝐚𝐭𝐢𝐯𝐚𝐦𝐞𝐧𝐭 𝐚 𝐥'𝐚𝐯𝐚𝐧𝐜̧ 𝐝𝐞 𝐥𝐚 𝐧𝐚𝐧𝐨𝐭𝐞𝐜𝐧𝐨𝐥𝐨𝐠𝐢𝐚 𝐚𝐩𝐥𝐢𝐜𝐚𝐝𝐚 𝐚 𝐝𝐢𝐬𝐩𝐨𝐬𝐢𝐭𝐢𝐮𝐬 𝐞𝐥𝐞𝐜𝐭𝐫𝐨̀𝐧𝐢𝐜𝐬, 𝐞𝐬𝐩𝐞𝐜𝐢𝐚𝐥𝐦𝐞𝐧𝐭 𝐞𝐧 𝐞𝐥 𝐝𝐢𝐬𝐬𝐞𝐧𝐲 𝐝𝐞 𝐜𝐨𝐦𝐩𝐨𝐧𝐞𝐧𝐭𝐬 𝐦𝐞́𝐬 𝐞𝐟𝐢𝐜𝐢𝐞𝐧𝐭𝐬 𝐢 𝐝𝐞 𝐦𝐞𝐧𝐨𝐫 𝐦𝐢𝐝𝐚. 𝐍𝐮́𝐫𝐢𝐚 𝐀𝐥𝐢𝐚𝐠𝐚 𝐀𝐥𝐜𝐚𝐥𝐝𝐞 𝐞́𝐬 𝐫𝐞𝐜𝐨𝐧𝐞𝐠𝐮𝐝𝐚 𝐩𝐞𝐫 𝐥𝐚 𝐬𝐞𝐯𝐚 𝐜𝐚𝐩𝐚𝐜𝐢𝐭𝐚𝐭 𝐩𝐞𝐫 𝐜𝐨𝐦𝐛𝐢𝐧𝐚𝐫 𝐥𝐚 𝐫𝐞𝐜𝐞𝐫𝐜𝐚 𝐟𝐨𝐧𝐚𝐦𝐞𝐧𝐭𝐚𝐥 𝐚𝐦𝐛 𝐚𝐩𝐥𝐢𝐜𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐬 𝐩𝐫𝐚̀𝐜𝐭𝐢𝐪𝐮𝐞𝐬 𝐞𝐧 𝐥'𝐚̀𝐦𝐛𝐢𝐭 𝐝𝐞 𝐥'𝐞𝐥𝐞𝐜𝐭𝐫𝐨̀𝐧𝐢𝐜𝐚 𝐝𝐞 𝐬𝐨̀𝐥𝐢𝐝𝐬, 𝐜𝐨𝐧𝐯𝐞𝐫𝐭𝐢𝐧𝐭-𝐥𝐚 𝐞𝐧 𝐮𝐧𝐚 𝐟𝐢𝐠𝐮𝐫𝐚 𝐝𝐞𝐬𝐭𝐚𝐜𝐚𝐝𝐚 𝐞𝐧 𝐥𝐚 𝐜𝐨𝐦𝐮𝐧𝐢𝐭𝐚𝐭 𝐜𝐢𝐞𝐧𝐭𝐢́𝐟𝐢𝐜𝐚 𝐢𝐧𝐭𝐞𝐫𝐧𝐚𝐜𝐢𝐨𝐧𝐚𝐥.               

# data[].attributes.headline
𝐍𝐮́𝐫𝐢𝐚 𝐀𝐥𝐢𝐚𝐠𝐚 𝐀𝐥𝐜𝐚𝐥𝐝𝐞

# data[].attributes.subject
𝐍𝐮́𝐫𝐢𝐚 𝐀𝐥𝐢𝐚𝐠𝐚 𝐀𝐥𝐜𝐚𝐥𝐝𝐞

# data[].attributes.attachment_caption
(a) i (b) il·lustren dues varietats de CAVET: en (a), el canal lateral està definit per una unió homòloga pn de GaN, i per tant és semblant a un JFET; mentre que en (b), el canal lateral està definit per una heterounió AlGaN/GaN, i per tant és semblant a un HEMT. Tots dos presenten una obertura de corrent que connecta el canal amb la regió vertical de deriva, característica d’un CAVET. (c) il·lustra un MOSFET vertical en trinxera fet amb GaN. CBL = capa de bloqueig de corrent; UID = no dopat intencionadament, S = font.

# data[].attributes.attachment_link.authors[].name
Stanford University School of Engineering

# data[].attributes.attachment_link.title
Srabanti Chowdhury: New forms of semiconductors are key to the future

# data[].attributes.body
Tsu-Jae King Liu (4 de juny de 1963) és una enginyera electrònica estatunidenca. Actualment és professora i degana de la facultat d’enginyeria de la Universitat de Califòrnia (UC Berkeley College of Engineering).

Va estudiar enginyeria elèctrica a la Universitat d’Stanford i es va unir a l’equip de recerca de Palo Alto Research Center (PARC). Allí va ser distingida pel seu treball en la investigació en transistors de pel·lícula fina cristal·lina. Posteriorment, al 1996 es va unir a Berkeley com a membre de la facultat del departament d’enginyeria elèctrica i informàtica. Les seves contribucions abasten moltes àrees de recerca, però d’entre els seus nombrosos mèrits podem destacar el desenvolupament de tecnologies de pel·lícula fina policristal·lina silici-germani (degut a les seves aplicacions als circuits integrats i microsistemes) i també la co-invenció del transistor FinFET de tres dimensions (que és el disseny emprat en els xips microprocessadors actuals).

Liu va ser elegida per a la National Academy of Engineering al 2017 per les seves aportacions del transistor FinFET i les seves aplicacions a la tecnologia del CMOS.

Abans d’assumir el seu rol com a degana va adquirir posicions com la de directora del Marvell Nanofabriacation Laboratory de la facultat (2008-2012) i va participar en l’Electrical Engineering Division (2012-2014). Prèviament també havia sigut directora sènior d’enginyeria a l’Advanced Technology Group of Synopsys. A més a més, té participació al consell d’administració d’Intel (2026-actualitat).

És molt important destacar que Liu ha sigut la primera dona degana de l’escola d’enginyeria de Berkeley. Dins el seu rol de degana, la científica ha parlat obertament del compromís d’incrementar la diversitat i inclusió i sobretot el respecte per les dones i les minories menys representades dins l’enginyeria.

L’any passat va rebre el IEEE Founders Medal i també el mateix any va ser nominada com a presidenta de la National Academy of Engineering de la qual ja era membre. És autora de més de 500 articles i té més de 90 patents.

Podem resumir les seves contribucions més importants en l’àmbit de l’electrònica en les següents:

· Inventora del transistor FinFET: és un tipus de transistor tridimensional que redueix les fuites de corrent i millora el rendiment. Ha permès substituir transistors plans tradicionals en la fabricació de microxips més avançats usats en processadors coneguts.

· En l’àmbit de la nanotecnologia de semiconductors és pionera en la investigació de dispositius a aquesta escala, millorant així l’eficiència energètica i la velocitat de resposta dels circuits integrats.

· A més a més, ha treballat en dispositius electrònics per aplicacions biomèdiques i en materials per fer l’electrònica més lleugera i adaptable.

# data[].attributes.body
El transistor FinFET (fin field-effect transistor) és un dipositiu MOSFET amb múltiples portes, construït sobre un substrat on la porta està situada a dos, tres o quatres costats del canal o envoltant-lo, formant una estructura multi-porta. El seu nom prové de que la regió font/embornal forma aletes sobre una superfície de silici. El FinFET mostra una gran rapidesa i una densitat de corrent més alta que un CMOS pla (complementary MOS) fent-lo molt més eficient energèticament.

# data[].attributes.body
Manijeh Razeghi és una científica irano-americana l'estudi de la qual se centra en els camps dels semiconductors, dispositius optoelectrònics i nanociència quàntica.

Manijeh Razeghi va obtenir el títol de llicenciada per la Universitat de Teheran. Però el seu interès per la recerca i el desenvolupament de dispositius electrònics la va dur a França, on va prosseguir els seus estudis a la Université de Paris. Allà va obtenir un doctorat en ciència de materials (1976), física del estat sòlid (1977) i en ciències físiques (1980). A partir d’aquest moment, la seva carrera es va anar definint clarament entorn dels materials semiconductors i les seves aplicacions en l’electrònica d’alta precisió.

Entre 1981 i 1991, Manijeh Razeghi va dirigir el laboratori de Thomson-CSF (desapareguda el 2000; el seu successor actual és Thales Group), empresa francesa especialitzada en el desenvolupament i la fabricació d'electrònica, amb un fort enfocament en els sectors aeroespacial i de defensa. Va ser allà on va desenvolupar i implementar la majoria de les tècniques modernes de creixement epitaxial com la deposició química de vapor amb metalorgànics a baixa pressió (MOCVD), l’epitaxi en fase vapor (VPE) i l’epitaxi amb feix molecular (MBE) per a tot l’interval de compostos semiconductors III-V i heteroestructures. Aquestes tècniques li van permetre obtener cristalls semiconductors d’alta puresa, cosa que va conduir al descobriment de nous fenòmens físics en semiconductors i estructures quàntiques basats en InP i GaAs.

La seva recerca en semiconductors i dispositius basats en InP queda recollida al llibre “The MOCVD Challenge Volume 1” on es descriuen alguns dels primers materials i heteroestructures d’alta qualitat amb InP i l’efecte Hall quàntic (gas bidimensional d’electrons i forats). També va aconseguir els primers làsers de 1.3 i 1.55 micrometres per a telecomunicacions per fibra òptica, guies d’ona òptiques, el primer díode Gunn basat en InP (va revolucionar els sistemes de radar) i la integració monolítica.

La seva recerca en semiconductors i dispositius basats en GaAs es descriuen al llibre “The MOCVD Challenge Volume 2” on destacan les primeres interfícies i heteroestructures amb GaAs d’alta qualitat i la creació del primer gas electrònic bidimensional en aquest sistema, que va portar al desenvolupament dels primers transistors d’efecte camp d’heterojunció (HFET), MODFET i TEGFET.

El seu pas als Estats Units es va produir al 1991, quan va esdevenir catedràtica de la Northwestern University, on va fundar el Center for Quantum Devices. Des d’aquest centre, ha continuat la seva tasca investigadora formant centenars d’estudiants i publicant més de mil articles científics. És, també, inventora de unes 60 patents (el nombre oscil·la segons la bibliografia consultada).

Manijeh Razeghi va ser pionera en làsers de díode d’alta potencia sense alumini que emeten prop d’1 micrometre basats en GaInAsP (fet que va revolucionar la industria dels làsers de díode als anys 90 i les seves aplicacions). És líder en Làsers de Cascada Quàntica (QCLs) basats en InP amb rècords en rang de sintonització, potencia de sortida i eficiencia.

També ha contribuït al desenvolupament de superxarxes deformades basades en InAsSb per a l’infraroig mitjà amb llindars molt baixos.

En el camp dels fotodetectors, és pionera en estructures heterogènies quàntiques tipus II basades en InAs/GaSb, ha desenvolupat els primers fotodetectors infraroigs de punts quàntics (QDIPs) sobre GaAs i InP i detectors QWIP (Quantum Well Infrared Photodetectors) sobre InP per les bandes mitjana i llarga de l’infraroig.

Finalment, és experta en dispositius quàntics en l’ultraviolat profund.

La seva trajectòria ens permet veure com el talent, quan es combina amb l’esforç i la passió per entendre la natura i transformar el món, pot florir fins i tot en contextos adversos. En les seves pròpies paraules,

“There were times when no one believed I could create such advanced devices, books etc., but with hard work and a passion for learning and exploring new ideas I have shown the impossible to be possible.”

“At this time, I would like to encourage all, especially women to be aware of their values, to understand their responsibility and their importance for the present and future of this world!”

# data[].attributes.body
Jess Wade, física britànica i investigadora al Imperial College London, ha emergit com una figura clau en l'estudi de materials quirais i la polarització circular aplicada a dispositius optoelectrònics. La seva recerca sobre díodes orgànics emissors de llum (OLEDs) i sistemes quirals ha obert noves vies per a tecnologies més eficients en pantalles i sensors, mentre que la seva feina com a activista per la diversitat de gènere en STEM l'ha convertit en un model per a futures generacions. Aquesta investigació explora tant els seus avenços científics com el seu impacte social, integrant dades de publicacions acadèmiques, reconeixements internacionals i iniciatives de divulgació.

# data[].attributes.body
Nascuda a Manchester el 1988, Wade va cursar estudis secundaris al South Hampstead High School, on va mostrar una inclinació precoç cap a les ciències i les arts. El seu pas per la Chelsea College of Art and Design (2007-2008) va influir en la seva capacitat per comunicar conceptes complexos de manera visual, una habilitat que després aplicaria en la seva divulgació científica. El 2012 va obtenir un màster en física a l'Imperial College London, i el 2016 va completar el doctorat sota la supervisió de Ji-Seon Kim, centrant-se en la nanometrologia de semiconductors orgànics.

# data[].attributes.body
Actualment, com a Imperial College Research Fellow, Wade dirigeix investigacions sobre el transport de càrrega espín-selectiu en sistemes quirals al laboratori SPIN-Lab. Anteriorment, com a investigadora postdoctoral, va col·laborar amb els grups de Alasdair Campbell i Matthew Fuchter en el desenvolupament de pel·lícules fines polimèriques per a LEDs orgànics, on va descobrir mètodes per a l'autoassemblatge de materials quirals en interfícies funcionals.

# data[].attributes.headline
Materials quirais i polarització circular

# data[].attributes.subject
Materials quirais i polarització circular

# data[].attributes.body
El treball de Wade amb materials quirals (aquells que no són superposables amb la seva imatge mirall) ha permès controlar la polarització circular de la llum emesa per dispositius orgànics. En un estudi publicat a Nature Communications (2020), va demostrar que l'activitat òptica intrínseca dels polímers conjugats pot generar propietats quiroòptiques fins a 1.000 vegades més fortes que en sistemes moleculars tradicionals, gràcies a l'ordenació macroscòpica d'estructures helicoidals durant el procés de fabricació. Aquesta recerca és fonamental per a aplicacions en:

Pantalles 3D sense ulleres: La llum circularment polaritzada pot reduir la fatiga visual en sistemes de realitat virtual.

Comunicacions òptiques segures: La polarització actua com a "signatura" òptica per a xifratge de dades.

# data[].attributes.headline
Díodes emissors de llum orgànics (OLEDs)

# data[].attributes.subject
Díodes emissors de llum orgànics (OLEDs)

# data[].attributes.body
En el seu article a ACS Nano (2019), Wade va descriure com l'ús de materials quiraals com el polipirrol permet augmentar l'eficiència quàntica dels OLEDs fins a un 80%, superant els materials inorgànics convencionals. Aquests dispositius, més lleugers i flexibles, tenen aplicacions potencials en roba intel·ligent i sensors mèdics implantables

# data[].attributes.body
El seu projecte actual, finançat per la Royal Society, investiga com l'quirialitat afecta el transport d'electrons en semiconductors orgànics. Els resultats preliminars, publicats a Chemical Science (2021), suggereixen que els materials quiraals poden filtrar electrons segons la seva direcció d'espín, un efecte que podria revolucionar el disseny de memòries magnètiques i cèl·lules solars

# data[].attributes.body
1. https://habilis.ro-botica.com/vint-i-quatre-grans-dones-cientifiques-que-segurament-no-coneixes/

2. https://diumenge.ara.cat/diumenge/mes-enlla-d-hipacia-marie-curie_130_4621249.html

3. https://www.ub.edu/laubdivulga/denenesacientifiques/docs/2024_Dossier De nenes a cientifiques.pdf

4. https://www.3cat.cat/tv3/5-dones-que-van-canviar-la-ciencia-i-sovint-son-grans-desconegudes/notici a/2994318/

5. https://en.wikipedia.org/wiki/Jess_Wade 6. https://www.imperial.ac.uk/news/250413/champion-diversity-awarded-fellowship-from-british/ . 7. https://scholar.google.com/citations?user=aZibDXkAAAAJ

8. https://ninos.kiddle.co/Jess_Wade

# data[].attributes.attachment_caption
 Surfactant molecules arranged on an air–water interface.

# data[].attributes.body
La pel·lícula de Langmuir-Blodgett consisteix en depositar una o varies capes moleculars de nm de grossor de forma controlada sobre un substrat. Les molècules utilitzades són anfifíliques, és a dir, tenen una part hidròfoba i una hidròfila.

Aplicacions a l'electrònica física:

Conductors i díodes orgànics: aquest tipus de pel·lícules permeten fer un control de l'empaquetament i orientació de les molècules en materials orgànics, procés útil per regular les propietats de conducció. En díodes poden funcionar com a capes semiconductores en juncions tipus metall-orgànic-metall.

Transistors orgànics d'efecte de camp: permet millorar l'ordre molecular dins la pel·lícula, i augmenta la mobilitat de càrrega i l'eficiència dels transistors.

Rectificadors: permeten la fabricació de juncions rectificadores basades en polímers com ara els díodes Schottky i Zener.

Estructures MOS: la integració d'aquestes pel·lícules en estructures MOS ofereix control sobre les propietats dielèctrics, és a dir, fan que l'estructura siga més oberta que la de l'òxid de Silici i permeten que els gasos penetrin a la interfície de manera més eficient.

Sensors químics: una variant d'aquestes pel·lícules s'ha aplicat en sensors químics per la seva sensibilitat per gasos com l'amoníac.

# data[].attributes.body
Beatrice Alice Hicks (1919–1979) va ser una enginyera nord-americana pionera en el desenvolupament de sistemes electrònics per a aplicacions industrials i aeroespacials. Va destacar tant per les seves innovacions tecnològiques com pel seu compromís amb la inclusió de les dones en l’enginyeria, en una època en què aquest camp era gairebé exclusivament masculí.

Des de jove va mostrar interès per la ciència i la tecnologia, tot i que va haver d’enfrontar-se als prejudicis de gènere de l’època. El 1939 es va graduar en Enginyeria Química pel Newark College of Engineering (actual NJIT), on només hi havia dues dones en una promoció de 900 estudiants. Posteriorment, va completar un màster en Física al Stevens Institute of Technology.

Beatrice Hicks va desenvolupar una part important de la seva carrera a l’empresa Newark Controls, fundada pel seu pare i que ella mateixa acabaria dirigint. Una de les seves invencions més destacades va ser un interruptor de densitat de gas, capaç de detectar canvis en la densitat d’un gas dins un contenidor i activar una resposta automàtica en cas de superar certs límits. Aquesta tecnologia va ser aplicada en els coets Saturn V del programa Apollo de la NASA, i també en sistemes de comunicacions aèries com els del Boeing 707.

A més del seu paper tècnic, Hicks va destacar pel seu lideratge social. Va ser la primera dona enginyera contractada per Western Electric i, el 1950, va esdevenir cofundadora i primera presidenta de la Society of Women Engineers (SWE), una organització creada per donar visibilitat i suport a les dones en el món tècnic.

Beatrice Hicks és recordada com una dona que va obrir camí tant en la tecnologia com en la igualtat de gènere. Les seves contribucions van tenir un impacte directe en el desenvolupament de la indústria electrònica i aeroespacial dels anys 50 i 60, i la seva figura continua sent una referència per a les dones que volen accedir al món de l’enginyeria.

# data[].attributes.attachment_caption
Pionera en la innovació dels semiconductors

# data[].attributes.body
Bich-Yen Nguyen és una de les figures més destacades en el món dels semiconductors, amb una trajectòria professional de més de quatre dècades marcada per la innovació, la recerca i la transferència tecnològica cap a la producció industrial. Nascuda a Vietnam i graduada en Enginyeria Química per la Universitat de Texas l’any 1977. Va iniciar la seva carrera a l’Ajuntament d’Austin abans d’incorporar-se a Motorola, on va començar a construir una carrera d’impacte global en la tecnologia microelectrònica.

Des dels anys vuitanta, Nguyen ha estat una peça clau en el desenvolupament i aplicació de la tecnologia CMOS, essencial per a la fabricació de circuits integrats cada vegada més petits, ràpids i eficients.

Ha liderat projectes d'investigació puntera en àmbits com la miniaturització dels transistors, l’ús de nous materials amb alta constant dielèctrica per reduir fuites de corrent, i la implementació de tecnologies com el silici tensat i el Silicon-On-Insulator (SOI), fonamentals per als dispositius electrònics actuals.

Bich-Yen ha estat una figura clau en la transferència de tecnologia des del laboratori fins a la producció industrial, especialment durant la seva etapa a Motorola, Freescale i posteriorment a Soitec, empresa líder en substrats avançats de semiconductors. Ha coordinat equips multidisciplinaris per convertir prototips en processos industrials, contribuint així directament a l’evolució del mercat de l’electrònica de consum, l’automoció i les comunicacions.

Amb més de 200 patents a escala mundial i més de 180 publicacions científiques, Bich-Yen Nguyen ha rebut nombrosos reconeixements, com el prestigiós premi Dan Noble Fellow de Motorola i el IEEE Frederik Philips Award l’any 2024 per la seva contribució al desenvolupament i comercialització de substrats SOI i altres tecnologies innovadores. A més, ha estat una veu de referència a nivell internacional, impartint conferències i inspirant noves generacions d’enginyeres. La seva visió pionera i la seva perseverança han tingut un impacte transformador en la indústria del semiconductor, obrint camí a la presència i lideratge de les dones en aquest àmbit tan estratègic per al futur.

# data[].attributes.body
Deblina Sarkar és una científica i enginyera nascuda a l'Índia que treballa teixent ponts entre la física electrònica, la nanoelectrònica i la bioenginyeria. Nascuda a Calcuta, va completar els seus estudis de grau en enginyeria elèctrica al Indian Institute of Technology (Indian School of Mines), Dhanbad. Durant aquest temps, va començar a cridar l'atenció internacional per la seva recerca en disseny de dispositius a nanoescala i espintrònica, en particular a través d'una publicació de 2007 sobre MOSFETs de doble porta.

Va ampliar els seus estudis als Estats Units, obtenint el seu màster i doctorat a la Universitat de Califòrnia, Santa Barbara (UCSB). Allà, sota la direcció de Kaustav Banerjee, Sarkar va treballar en nanodispositius eficients energèticament i va ser pionera en biosensors d'efecte de camp basats en MoS2, combinant materials quàntics amb disseny avançat de transistors.

Després del seu doctorat, es va unir al MIT com a investigadora postdoctoral al Grup de Neurobiologia Sintètica, on va desenvolupar noves tecnologies per a la cartografia de l'estructura i la funció cerebral. El 2020 es va convertir en professora adjunta al MIT i en professora de la Càtedra de Desenvolupament Professional AT&T al MIT Media Lab. Ara dirigeix el Nano-Cybernetic Biotrek Lab, on el seu equip explora dispositius a nanoescala que integren física, biologia i computació, incloent transistors espintrònics i magnetoelèctrics com el dispositiu MESO.

# data[].attributes.body
Nadya Mason (Nova York, 1973) és l'actual degana de la Pritzker School of Molecular Engineering a la Universitat de Chicago. Com a especialista en física de la matèria condensada, actualment es dedica a l'estudi dels límits quàntics de sistemes de baixa dimensionalitat, així com s'ha invloucrat en camps com el de la superconductivitat, la computació quàntica i els nanomaterials al llarg de la seva trajectòria. Des del Setembre de 2022 fins al mateix mes de l'any següent, va ser la directora del Beckman Institute for Advanced Science and Technology a la Universitat de Illinois, essent així la primera dona, i també primera persona afroamericana, en tenir tal càrrec.

A nivell biogràfic, Mason va créixer a Brooklyn i a posteriorment Washington DC. Va dedicar la majoria de la seva infantesa (dels set als setze anys) a competir en gimnàstica al més alt nivell. Als tretze anys va entrar a l'equip nacional de la seva categoria i, als quinze, ocupava la posició número vint-i-cinc al rànquing estatunidenc. Finalment va acabar decantant-se per la ciència. Va collir els fruits de la cultura de l'esfoç que li va aportar la disciplina esportiva al camp de les ciències, graduant-se en física l'any 1995 a la Universitat de Harvard. Posteriorment va obtenir el seu doctorat, sota tutela del professor Aharon Kapitulnik a la Universitat de Stanford l'any 2001. Va tornar a Harvard a fer el postdoctorat, i l'any 2005 va començar a fer classes a la Universitat d'Illinois. A partir d'aquí s'ha dedicat a la recerca i a l'ensenyament dels camps de la física que detallarem a continuació.

Pel que fa a la seva recerca, destaquen les següents troballes i contribucions: l'any 2006 treballava en el primer grup de recerca en demostrar l'efecte Kondo fora de l'equilibri. De manera breu, l'efecte Kondo descriu la dispersió d'electrons de conducció en un metall degut a impureses magnètiques, resultant en un canvi característic en el comportament de la resistivitat en funció de la temperatura; posteriorment, l'any 2011 va estar invoucrada en la troballa d'estats lligats, superconductors, i individuals en sistemes basats en grafè; a finals de la dècada dels 2010 va centrar la seva recerca en nanotubs de carboni, grafè, nanoestructures semiconductores i aïllants topològics.

Alhora que es dedicava a la ciència i al progrés en els camps de l'electrònica física, la quàntica o la matèria condensada, Mason no va abandonar mai la causa social. És destacable la seva carrera, tenint en compte els obstacles i impediments que troben, tant les dones com les persones racialitzades, a l'hora d'emprendre una carrera científica en un país com els Estats Units d'Amèrica. Històricament observem com condicionen el gènere, l'ètnia i la classe social a la construcció del coneixement científic. Mason n'era conscient, i va participar activament en programes o campanyes per donar visibilitat i encoratjar aquelles persones oprimides sistemàticament, tant pel sistema social com pel científic, com per exemple l'any 2017 en l'APS Committee on Minorities, o la Nacional Society of Black Physicists. Ha estat guardonada amb tota mena de reconeixements i honors, entre els quals podem destacar el Maria Goeppert Mayer Award o l'Edward A. Bouchet Award, entregats per part de l'American Physical Society.

Bibliografia:

1. https://news.uchicago.edu/story/physicist-nadya-mason-appointed-dean-pritzker-school-molecular-engineering

2. https://physics.illinois.edu/people/directory/profile/nadya#:~:text=Biography,transitions%20in%20two%2Ddimensional%20superconductors.

3. https://phas.ubc.ca/~berciu/TEACHING/PHYS502/PROJECTS/18Kondo.pdf

# data[].attributes.body
Bridget Carragher és una física sud-africana reconeguda per les seves contribucions pioneres en el camp de la microscòpia electrònica —i en particular de la criomicroscòpia electrònica (cryoEM)— i la tomografia electrònica, i les seves aplicacions.

Va néixer l’any 1957 a Sud-àfrica, però va viure a Ghana durant la seva infantesa. Va estudiar Física a la Universitat de Witwatersrand (a Johannesburg) i va fer un màster a la Universitat de Northwestern. Finalment, l’any 1987 es va doctorar en la Universitat de Chicago en l’àmbit de Biofísica.

Durant el període del 2002 al 2022 va ser la directora del National Resource for Automated Molecular Microscopy (NRAMM), un recurs nacional d’investigació biotecnològica. La missió de NRAMM era desenvolupar tècniques d’imatge automatitzades per resoldre estructures tridimensionals de complexos macromoleculars utilitzant microscòpia electrònica de criotransmissió, una tècnica que permet visualitzar mostres biològiques o moleculars a escala atòmica mantenint-les en estat vitrificat per evitar danys per radiació i preservar-ne l'estructura nativa. El seu treball a NRAMM va contribuir a nombrosos avenços tècnics en criomicroscòpia electrònica (cryo-EM) i en criotomografia electrònica (cryo-ET), i ha estat reconegut en unes 500 publicacions científiques.

El 2007 Bridget, juntament amb Clint Potter, va fundar l’empresa NanoImaging Services, que ofereix serveis de criomicroscòpia electrònica i altres tècniques de microscòpia a la indústria farmacèutica i biotecnològica.

Ha participat en nombroses investigacions en microscòpia electrònica, com la que es pot consultar a la següent adreça sobre tècniques en la microscòpia electrònica de transmissió a temperatures de criogenització (Cryo-TEM), adients per a l’estudi de sistemes biològics. En el paper (https://pmc.ncbi.nlm.nih.gov/articles/PMC3378829/) es parla de la tècnica inkjet (de la qual parlarem en el treball optatiu d’aquesta assignatura) aplicada a la microscòpia Cryo-TEM.

L’any 2017 va rebre conjuntament amb Philip Bateson el “Distinguished Scientist Award” de la “Microscopy Society of America”. (https://microscopy.org/Society-Awards-Recipients)

L’any 2022 va ser nomenada Directora Tècnica Fundadora del  “Chan Zuckerberg Imaging Institute” i actualment continua ocupant aquest càrrec.

Per aquells que tinguin curiositat, el pròxim 8 d’octubre de 2025 Bridget Carragher participarà a les conferències “Women in Electron Microscopy” d’Alemanya (https://er-c.org/index.php/conferences/wem/).

L’hem triada per ser una científica amb un perfil diferent al que estem habituats que ha contribuït en l’àmbit de la microscòpia electrònica, pel que tenim interès.

# data[].attributes.body
Frances B. Hugle (1927–1968) va ser una física, enginyera i inventora estatunidenca que va tenir un paper fonamental, tot i poc reconegut, en el desenvolupament dels transistors de tipus FET i especialment dels MOSFET, components essencials de l’electrònica moderna. Nascuda el 13 d’agost de 1927, va mostrar des de jove un gran talent per a la ciència i la tecnologia, i es va formar en física i enginyeria en un context històric on poques dones accedien a estudis tècnics avançats.

L’any 1962, juntament amb el seu marit Jack Hugle, va fundar l’empresa Siliconix, una de les primeres del món dedicada a la fabricació de dispositius FET comercials. Siliconix va esdevenir pionera en la creació i comercialització de JFET i, més endavant, de dispositius MOS, en un moment clau per a la miniaturització de la tecnologia electrònica. A banda del seu paper com a cofundadora, Frances Hugle va liderar investigacions i desenvolupaments tècnics crucials dins l’empresa.

Va ser inventora de diversos processos innovadors relacionats amb la fabricació i encapsulació de semiconductors, en particular pel que fa a l’estabilitat dels dispositius i el control de les interfícies d’òxid — aspectes centrals per al funcionament fiable dels MOSFET. Entre les seves contribucions més rellevants hi ha la patent nord-americana US Patent 3,158,846 (1964), que descriu una millora en la fabricació de dispositius semiconductors amb estructures fines i estabilitzades, i que constitueix un pas directe cap a la producció eficient dels primers transistors MOS. A més, va treballar en el perfeccionament de mètodes d’aïllament elèctric i en la prevenció de defectes de superfície, aspectes fonamentals per a la fiabilitat dels circuits integrats.

Tot i la seva mort prematura el 24 de març de 1968, amb només 40 anys, Frances Hugle va deixar una empremta tècnica profunda en una indústria que en aquell moment tot just començava a transformar el món. Va ser una de les primeres dones — si no la primera — a tenir un paper directe i documentat en el desenvolupament de dispositius MOSFET. El seu treball va permetre la transició dels transistors discrets als circuits integrats i va ajudar a establir les bases tecnològiques dels microxips actuals (dispositius TAB, tape automated bonding). Avui, diversos esforços de recuperació històrica han començat a reivindicar la seva figura com a una pionera clau de l’electrònica del segle XX, en una disciplina on el seu nom ha estat massa temps silenciat. Cal esmentar que és la primera dona inclosa en l'arbre geneològic de semiconductors.

# data[].attributes.body
En aquesta xarrada la Dr. Sarkar parla de la fragilitat de les biomolècules i la facilitat amb la qual poden emmalaltir a causa de la disrupció de les seves estructures. Per aquest motiu reitera la importància de la unió de l'electrònica en la biologia i la millora dels dispositius utilitzats. Parla de la creació de dispositius sesne cable, subcel·lulars i bioelectrònics que poden coexisitir amb les estrucutres biològiques sense danyar-los com per exemple el Cell Rover, la primera antena que pot treballar des d'una cèl·lula viva.

# data[].attributes.attachment_link.title
Seamless fusion: Transcending humans beyond biological limitations  | Deblina Sarkar | TEDxBoston

# data[].attributes.body
La doctora Elisabeth Bauser (Stuttgart, 19 d’abril de 1934 – 29 de setembre de 1996) va ser una científica pionera en l’electrònica de semiconductors i la primera investigadora amb plaça fixa a l’Institut Max-Planck de Recerca en Estat Sòlid (MPI-FKF) de Stuttgart.

Entre 1966 i 1971 va treballar a l’Institut de Recerca del Zentralamt der Deutschen Bundespost a Darmstadt, on es va especialitzar en l’epítaxia en fase líquida (LPE) de materials semiconductors, especialment de capes de arseniur de gal·li. El 1971 va incorporar-se al MPI-FKF per liderar projectes de recerca bàsica i aplicada en creixement de cristalls semiconductors. Gràcies a la seva tècnica de deposició a partir de solució en refredament lent, va aconseguir capes de silici i arseniur de gal·li de puresa i mobilitat extraordinàries, aptes tant per a cèl·lules solars com per a estructures tridimensionals de transistors.

El 1986 va rebre el premi de la Deutsche Gesellschaft für Kristallwachstum und Kristallzüchtung (DGKK) i, conjuntament amb Manijeh Razeghi i Bruce A. Joyce, el Premi IBM Europe de Ciència i Tecnologia. Fins al seu decés el 1996, va dirigir el grup d’epítaxia del MPI-FKF. En reconeixement a la seva trajectòria, el 2000 es va batejar un camí pròxim a l’institut amb el seu nom: Elisabeth-Bauser-Weg.

A més, en reconeixement a la seva trajectòria i per impulsar noves generacions de investigadores en el camp dels materials semiconductors, l’Institut Max-Planck va crear la Elisabeth Bauser Fellowship. Aquesta beca finança projectes postdoctorals en creixement de cristalls i epitaxia en fase líquida, permetent a científiques emergents treballar amb equips de primera línia al MPI-FKF de Stuttgart i contribuir al desenvolupament de tecnologies avançades en electrònica i fotovoltaica.

# data[].attributes.body
Deixem un link a un article amb una entrevista sobre el seu treball, la seva vida i el seu gust per la ciència:

https://www.nature.com/articles/s41377-023-01343-8

# data[].attributes.attachment_link.title
Light People: Professor Manijeh Razeghi - Light: Science & Applications

# data[].attributes.attachment_link.description
Prof. Manijeh Razeghi, a true star who radiates energy and light, calls on all women to realize their true value and potential.

# data[].attributes.body
Els transistors de camp d’efecte (FET), tal com hem vist a classe, són components essencials de l’electrònica moderna, controlant el flux de corrent en dispositius digitals i analògics. Tanmateix, la miniaturització contínua dels transistors tradicionals basats en silici s’enfronta a límits físics fonamentals que dificulten la reducció del consum energètic i la millora del rendiment. Un d’aquests límits és la pendent subllindar (subthreshold slope), que determina com de ràpidament un transistor pot canviar d’estat amb una petita variació de tensió, i que en dispositius convencionals està limitat per la temperatura a un valor mínim d’uns 60 mV per dècada.

En aquest article publicat a Nature, Sarkar i col·laboradors presenten un transistor de nova generació amb un canal extremadament prim, format per una capa bidimensional de disulfur de molibdè (MoS₂) de només 6 àtoms de gruix. Aquest dispositiu aprofita el fenomen de túnel de corrent per superar el límit tèrmic tradicional, aconseguint una pendent subllindar inferior a 60 mV/dècada. Aquesta innovació representa un avanç significatiu cap a l’electrònica de baix consum i alta eficiència energètica, amb aplicacions potencials en microprocessadors, sensors i sistemes neuromòrfics.

El treball mostra no només la fabricació i caracterització del transistor, sinó també una comprensió detallada dels mecanismes físics que permeten aquesta eficiència, establint una base sòlida per al desenvolupament futur de dispositius electrònics atòmics.

# data[].attributes.attachment_link.title
A subthermionic tunnel field-effect transistor with an atomically thin channel - Nature

# data[].attributes.attachment_link.description
A new type of device, the band-to-band tunnel transistor, which has atomically thin molybdenum disulfide as the active channel, operates in a fundamentally different way from a conventional silicon (MOSFET) transistor; it has turn-on characteristics and low-power operation that are better than those of state-of-the-art MOSFETs or any tunnelling transistor reported so far.

# data[].attributes.body
Deblina compta amb innombrables premis i mencions d'honor per la seva recerca i aportacions al món de l'electrònica física, entre ells destaquen el premi a l'alumne distingit de 2020 com a "jove triomfador" de l'institut Indi de Tecnologia, Dhanbad. També es va reconèixer la seva contribució en el camp de la nanotecnologia amb el premi Per joves Innovadors en la Nano recerca. Adjuntem una llista de totes les mencions de la doctora Sarkar que segur que no pararan d'augmentar amb els anys vinents.

# data[].attributes.attachment_link.title
Nano-Cybernetic Biotrek Lab: Professor Deblina Sarkar

# data[].attributes.attachment_link.description
Research Website, Media Lab, MIT, MIT Media Lab, nanoelectronics, brain-tronics, resaerch

# data[].attributes.body
Connie Chang-Hasnain és una enginyera electrònica i investigadora en l’àmbit de l’optoelectrònica de semiconductors, és a dir, en l’estudi de dispositius que fan servir semiconductors per generar o controlar llum. Va estudiar Electrical Engineering a UC Davis i després va fer el Master of science i el PhD a UC Berkeley, on va obtenir el doctorat l’any 1987. La seva trajectòria s’ha centrat sobretot en entendre com es pot manipular la llum dins de dispositius molt petits, però amb aplicacions molt reals. Una de les seves aportacions més importants és el treball amb els VCSELs, que són làsers de semiconductor que emeten la llum cap a fora del xip, en vertical, i no de costat com altres làsers. Això els fa molt útils perquè es poden integrar millor, consumir menys i fer servir en comunicacions òptiques o en sensors 3D. També va contribuir al desenvolupament de matrius de VCSELs i a estructures nanofotòniques com les high-contrast gratings, que permeten controlar millor la llum dins del dispositiu. El més interessant és que la seva recerca no s’ha quedat només en teoria, sinó que ha acabat tenint impacte en tecnologies actuals. De fet, el 2024 va rebre la IEEE Nick Holonyak Jr. Medal, un premi molt important, per les seves contribucions pioneres en aquest camp. A més, Connie Chang-Hasnain també ha mostrat una sensibilitat clara cap a la inclusivitat dins la ciència. A partir del minut 41:58 de l’entrevista, fa una reflexió sobre aquest tema i diu textualment: “Inclusivity is about including everyone despite differences in nationality, race, gender and ethnic origin. We want to outreach because science has no borders.” Aquesta frase resumeix molt bé la seva manera d’entendre la ciència com un espai que hauria d’estar obert a tothom, mes enllà de fronteres, orígens o diferències personals.

# data[].attributes.body
Naomi J. Halas (Pennsilvània, 1958) és una física i nanocientífica, professora universitària a Rice University i la professora Stanley C. Moore d'Enginyeria Elèctrica i Computacional. Va ser investigadora de postgrau a IBM Research, Yorktown, Nova York, i va treballar com a associada postdoctoral als AT&T Bell Laboratories. Posteriorment, es va incorporar al professorat de Rice el 1990.

Halas no només és una científica rellevant, és investigadora pionera d’un camp sencer: la plasmònica.  La seva capacitat per ‘sintonitzar’ nanopartícules per a que interactuïn amb la llum a voluntat ha revolucionat des dels dispositius electrònics d’estat sòlid fins a la lluita contra el càncer.

La seva contribució més important és la invenció de les “nanoshells” d'or, nanopartícules que tenen un nucli de diòxid de silici (SiO₂) recobert d'una capa metàl·lica que interactua amb la llum a una longitud d'ona concreta. Halas va descobrir que, variant el gruix de la capa externa, podia configurar a voluntat les nanopartícules perquè absorbissin diferents longituds d’ona dels fotons. Fins el moment, es creia que l’absorció d’una nanopartícula depenia únicament de la mida i del material d’aquesta.

És un descobriment del qual han sorgit aplicacions molt diverses. Per exemple, s’han trobat mètodes amb una alta eficàcia per destruir cèl·lules canceroses, i s’ha desenvolupat una tecnologia per convertir energia solar directament en vapor d'aigua, amb aplicacions en purificació d'aigua i sostenibilitat. La seva carrera és un exemple de què el descobriment d’un fenomen físic, com l’interacció dels fotons amb una “nanoshell”, pot portar a projectes que milloren la vida de les persones, i ens fan avançar com a societat.

És una científica amb una trajectoria molt reconeguda: és una de les dotze dones que han estat elegides simultàniament per la National Academy of Sciences i la National Academy of Engineering, i el 2023 va ser nomenada University Professor a Rice, la segona dona a obtenir el rang acadèmic més alt en l'història de la universitat.

De la seva biografia, ens ha cridat especialment l’atenció que no és el tipus de persona que té una passió desmesurada per la física des de petita. De fet, va començar a la universitat amb la intenció de dedicar-se a la música, com a flautista professional. Això demostra que, fins i tot científiques que provoquen un canvi de paradigma en el seu camp, no tenen per que tenir un camí de vida lineal cap a l’èxit.

Bibliografia:

https://halas.rice.edu/halas-bio

https://profiles.rice.edu/faculty/naomi-j-halas

https://en.wikipedia.org/wiki/Naomi_Halas

https://news2.rice.edu/2014/02/06/rices-naomi-halas-elected-to-national-academy-of-engineering/

https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsphotonics.5c01925

# data[].attributes.body
Sophie Wilson és una enginyera informàtica que va néixer el 1957 a Leeds, Anglaterra. És reconeguda internacionalment per la seva gran contribució en el disseny del BBC Micro i de l’arquitectura ARM, una de les arquitectures de processador més importants de la història de l’electrònica moderna. És per això que el Computer History Museum la va nomenar Fellow l’any 2012.

Des de petita va mostrar interès per la tecnologia i la computació. Va estudiar a la Universitat de Cambridge i va acabar treballant a Acorn Computers, una empresa britànica que va portar a moltes llars els coneguts com a ordinadors personals. Allà va participar en el desenvolupament del BBC Micro, un ordinador creat dins del projecte educatiu de la BBC per acostar la informàtica a les escoles. A més a més, també va escriure BBC BASIC, el llenguatge de programació utilitzat en aquest ordinador, que va ser important perquè permetia que estudiants i usuaris sense experiència aprenguessin a programar d’una manera més accessible.

La seva aportació més important al món de l’electrònica va arribar amb el disseny de l’arquitectura ARM (Acorn RISC Machine). Es tracta d’una arquitectura de processador que utilitza instruccions més simples i eficients; en lloc de fer que el xip tingui moltes instruccions complexes, l’arquitectura ARM aposta per instruccions més senzilles que el processador pot executar ràpidament i amb menys consum d’energia. El primer processador ARM, l’ARM1, va ser desenvolupat el 1985 per Sophie Wilson i Steve Furber a Acorn; aquell xip tenia només uns 25.000 transistors (un nombre molt reduït en comparació als 200.000 transistors que tenien els xips dels competidors) i destacava per ser ràpid, simple i molt eficient energèticament.

Avui dia, l’arquitectura ARM és present en una gran quantitat de dispositius electrònics: telèfons mòbils, tauletes, rellotges intel·ligents, sensors, i molts altres aparells de baix consum.

Més endavant, Sophie Wilson va continuar treballant en arquitectures de processador avançades. Va participar en el desenvolupament del processador FirePath, una arquitectura VLIW/SIMD pensada per aplicacions com l’ADSL i el processament eficient de dades.

Si us ha interessat aquest petit tastet de la seva carrera professional, us deixem una píndola perquè, d’una manera força amena, pugueu retrocedir uns anys i veure la competició entre empreses britàniques durant el naixement dels ordinadors domèstics, especialment Acorn i Sinclair. El documental “Micro Men” ajuda a entendre el context en què van aparèixer el BBC Micro i, posteriorment, ARM. https://www.youtube.com/watch?v=XH5L-iTIbP8

# data[].attributes.body
Durant la II Guerra Mundial era vital calcular les trajectòries de les bales mitjançant equacions diferencials. La complexitat en la resolució d’aquestes equacions era enorme (completar una sola firing table podia trigar fins a tres mesos) i, com que pràcticament tots els homes eren al front, les encarregades de fer aquests càlculs van ser dones matemàtiques, contractades també perquè cobraven menys que els homes.

Tot i això, el volum de taules a completar era inassumible per la quantitat de dones capacitades per fer-ho. Per aquest motiu, l’exèrcit va invertir en el disseny d’un ordinador capaç de resoldre aquests càlculs automàticament: l’ENIAC (Electronic Numerical Integrator and Computer).

L’ENIAC era un sistema format per cables, forats i interruptors, i perquè funcionés calia una preparació molt complexa. Per programar-lo, primer s’havien de transformar les equacions diferencials en equacions de diferències i, després, connectar físicament els cables per executar les operacions equivalents als if/else actuals.

Les encarregades de programar l’ENIAC van ser sis matemàtiques conegudes com les ENIAC 6: Kathleen McNulty, Jean Bartik, Betty Holberton, Marlyn Meltzer, Frances Spence i Ruth Teitelbaum.

La seva feina tenia dificultats afegides: no podien veure la màquina ni disposaven de manuals d’ús. Rebien la informació a través de reunions amb els enginyers i van haver d’aprendre a deduir el funcionament de l’ordinador gairebé des de zero. Malgrat això, van desenvolupar tècniques pioneres de programació com el debugging i el parallel programming.

Tot i les seves aportacions, van ser completament invisibilitzades. El mèrit se l’emportava el disseny del hardware, no la programació en si. No van aparèixer als articles de presentació de l’ENIAC i, encara que van ser convidades a l’acte oficial, no al sopar posterior.

Després de la guerra, els polítics van decidir substituir-les per homes perquè creien que elles malgastaven la formació rebuda en casar-se i passar a ocupar-se de les feines de casa. Malgrat això, es van trobar un problema: els nois la consideraven una feina “poc masculina” o estaven menys qualificats (a Anglaterra va provocar una implosió de la indústria del computing). A partir dels anys 60, amb la professionalització de la programació, la presència femenina en aquest sector va caure en picat.

# data[].attributes.body
Kathleen McNulty: matemàtica irlandesa que volia evitar la docència i va començar a fer d'ordinador humà (tal com posava en un anunci). Tot i deixar oficialment la feina en casar-se amb un dels co-inventors de l'ENIAC, va continuar desenvolupant ordinadors (BINAC, UNIVAC) a l'ombra i va dedicar els últims anys de la seva vida a reivindicar les dones científiques.

Jean Bartik: única dona graduada en matemàtiques de la seva promoció. A diferència de la majoria de les seves companyes, va continuar treballant després de casar-se i va ajudar a convertir l'ENIAC en un ordinador de programa emmagatzemat.

Betty Holberton: es va llicenciar tot i que un professor li va dir que estaria millor a casa criant nens. Gràcies al seu gran pensament abstracte, va desenvolupar el primer sistema de classificació (SORT/MERGE), va contribuir a crear llenguatges claus com COBOL i FORTRAN, i va dissenyar el primer teclat numèric separat.

Marlyn Meltzer: destacava per la seva capacitat de càlcul en trajectòries balístiques. Va abandonar la carrera professional en casar-se.

Frances Spence: especialitzada en física i configuració de les unitats de la màquina (el que actualment coneixeríem com a optimització de hardware). Com la Marlyn, va deixar la professió en casar-se.

Ruth Teitelbaum: va destacar també per formar nous programadors després de la guerra.

# data[].attributes.body
Aquest grup també és conegut com les Top Secret Rosies, nom del documental que explica la seva història. El títol fa referència a Rosie the Riveter, icona cultural de les dones que van ocupar feines tradicionalment masculines durant la guerra, i al fet que la seva feina era invisibilitzada.

Deixem l'enllaç del documental per si algú hi està interessat:

Top Secret Rosies: The Female Computers of WWII
https://www.youtube.com/watch?v=UlKo680PYDs

# data[].attributes.body
Bibliografia:

1. https://ethw.org/Ruth_Teitelbaum

2. https://ethw.org/Frances_Spence

3. https://lamujereninformatica.unican.es/betty-snyder-holberton/

4. https://fr.wikipedia.org/wiki/Marlyn_Meltzer

5. https://mujeresconciencia.com/2017/10/12/kathleen-r-mcnulty-1921-2006-la-primera-computer-quedo-obsoleta/

6. https://global-factiva-com.sire.ub.edu/ha/default.aspx#./!?&_suid=177764225976909208668951655519

7. https://www.proquest.com/docview/3192383652?parentSessionId=eTJlfMe0ipDe5su6qjEv9YXbtAT61QczTZRduGp%2FwMA%3D&pq-origsite=primo&accountid=15293&sourcetype=Trade%20Journals

8. https://global-factiva-com.sire.ub.edu/ga/default.aspx?page_driver=

# data[].attributes.body
Anna Fontcuberta i Morral és una física i científica de materials nascuda prop de Barcelona. Va estudiar Física a la Universitat de Barcelona, posteriorment va fer el doctorat a l’École Polytechnique de Palaiseau i va treballar al Caltech abans d’incorporar-se a l’EPFL, a Suïssa. Des de l’1 de gener de 2025 és presidenta de l’EPFL, convertint-se en la primera dona a ocupar aquest càrrec.

La seva recerca se centra en els materials semiconductors, especialment en els nanofils semiconductors (semiconductor nanowires), l’epitàxia, les heteroestructures i les aplicacions en cèl·lules solars, fotònica i tecnologies quàntiques. El seu laboratori treballa amb tècniques com la Molecular Beam Epitaxy i la Chemical Vapor Deposition, que permeten créixer semiconductors capa a capa amb un control molt precís de la composició i l’estructura.

Els nanofils semiconductors són estructures molt petites, gairebé unidimensionals, que poden tenir propietats òptiques i electròniques diferents de les del mateix material en forma massiva. Això permet dissenyar dispositius on la llum i els portadors de càrrega es poden controlar millor. Per exemple, es poden fabricar nanofils amb unions p-n radials, heteroestructures o punts quàntics integrats, amb aplicacions en cèl·lules solars més eficients, LEDs, fotodetectors i dispositius de fotònica quàntica.

Un dels aspectes més interessants de la seva recerca és la connexió entre física fonamental i sostenibilitat. El seu grup investiga com utilitzar estructures nanomètriques per reduir la quantitat de material necessari i també com desenvolupar semiconductors formats per elements més abundants a la Terra. Aquesta línia és important perquè la tecnologia electrònica i fotovoltaica del futur haurà de ser no només eficient, sinó també més sostenible.

A més de la seva contribució científica, Anna Fontcuberta i Morral és una figura rellevant des del punt de vista de gènere. Ha arribat a la presidència d’una de les institucions tecnològiques més importants d’Europa en un camp on les dones encara estan infrarepresentades, i també ha impulsat iniciatives de suport a joves dones en ciència i enginyeria, com la seva participació a la EPFL WISH Foundation.

Hem escollit l’Anna perquè és una científica propera al nostre context, formada inicialment a la Universitat de Barcelona, i perquè la seva trajectòria connecta directament amb molts conceptes de l’assignatura: semiconductors, heteroestructures, epitàxia, cèl·lules solars i dispositius optoelectrònics. La seva carrera mostra com la física de materials pot transformar-se en tecnologia real i, alhora, com les dones poden ocupar espais de lideratge en l’electrònica i la recerca científica internacional.

Fonts utilitzades: perfil oficial d’Anna Fontcuberta i Morral a l’EPFL, biografia oficial de l’EPFL, notícia de l’ICFO sobre el seu nomenament com a presidenta de l’EPFL.

# data[].attributes.body
Finalment, hem volgut incloure l’article de recerca del qual hem parlat anteriorment sobre el dopatge per polarització distribuïda, Polarization-Induced Hole Doping in Wide–Band-Gap Uniaxial Semiconductor Heterostructures, ja que considerem rellevant esmentar i exemplificar innovacions relacionades amb els conceptes més treballats a l’aula. En concret, conceptes com el dopatge, la banda prohibida i els semiconductors han estat fonamentals en aquesta assignatura. La recerca presentada està estretament relacionada amb aquests continguts, i pot resultar interessant per a qui vulgui aprofundir en el desenvolupament de noves estratègies per controlar els portadors de càrrega en semiconductors de banda ampla.

Article:

https://www.researchgate.net/publication/40821801_Polarization-Induced_Hole_Doping_in_Wide-Band-Gap_Uniaxial_Semiconductor_Heterostructures

# data[].attributes.headline
Cynthia R. McIntyre, i l'Electrònica Física amb perspectiva de gènere interseccional

# data[].attributes.subject
Cynthia R. McIntyre, i l'Electrònica Física amb perspectiva de gènere interseccional

# data[].attributes.body
La perspectiva de gènere busca identificar i corregir les desigualtats que afecten les dones i les identitats dissidents respecte dels homes. Però el gènere no actua sol: una dona racialitzada, una dona amb discapacitat o una dona trans no viuen les mateixes barreres que una dona blanca, cisgènere i de classe mitjana. La interseccionalitat (Crenshaw, 1989) és l’eina que ens permet veure com el gènere es creua amb altres eixos (com poden ser la raça, la classe social, l'edat, la presència o absència de discapacitat, l'identitat de gènere i l'origen migratori, entre altres) i genera realitats específiques que no espoden entendre correctament mirant un dels eixos per separat.

La trajectòria de Cynthia McIntyre és un exemple perfecte: una dona afroamericana, filla de dos mestres d’escola, que va créixer a San Antonio (Texas), va arribar al cim de la física de semiconductors obrint moltes portes per a les dones que van venir després d'ella, i esdevenint una referent per a dones negres científiques.

Cynthia Roberta McIntyre (nascuda el 1960) és una física teòrica nord-americana, especialitzada en física de la matèria condensada, i ex-vicepresidenta del Council on Competitiveness. Va créixer a San Antonio, Texas, com a filla única de dos mestres d’escola. Va obtenir el doctorat en Física al MIT l’any 1990, convertint-se en la segona dona negra a aconseguir un PhD en Física en aquesta institució.

La seva directora de tesi va ser Shirley Ann Jackson, la primera dona afroamericana que va obtenir un doctorat al MIT, i va completar una dissertació titulada "New models of magnetic interactions for bound magnetic polarons in dilute magnetic semiconductors".

La recerca de McIntyre se centra en les propietats electròniques i òptiques de les heteroestructures de semiconductors. En particular, ha estudiat les interaccions electró-fonó en semiconductors de baixa dimensionalitat. Va dur a terme recerca postdoctoral a la Universitat de Califòrnia a San Diego i posteriorment va investigar sistemes semiconductors de baixa dimensionalitat al Naval Research Laboratory de Washington, D.C..

El 2013 va ser nomenada una de les "People to Watch" per HPCWire per les seves contribucions a la computació d’alt rendiment (HPC) i el seu paper en el desenvolupament de polítiques per impulsar l’ús del HPC en el sector privat per obtenir guanys econòmics i competitius.

Introduim la trajectòria de McIntyre per a fer un anàlisi colateral de la importància de la diversitat en els equips de disseny de dispositius electrònics. Un exemple de la manca de diversitat actual destaca en el cas dels pulsioxímetres: un dispositiu electrònic que mesura la saturació d'oxigen en sang fent passar llum a través d'un dit. El principi físic de funcionament es basa en els dispositius semiconductors que hem estudiat al curs: 2 LEDs (en el vermell i l'infraroig), que són heterojuncions (AlGaAs, InGaAsP) optimitzades per a l'emissió de longituds d'ona concretes; i un fotodíode (junció PN polaritzada en invers) que recull la llum transmesa i genera un corrent proporcional a aquesta.

Es fa una espectrofotometria diferencial entre hemoglobina oxigenada i desoxigenada. Hi ha, però, un problema important en el disseny dels pulsioxímetres: la melanina de la pell també absorbeix llum, especialment en la regió del vermell. Els algorismes de calibratge es van desenvolupar històricament amb mostres de persones de pell clara. Com a resultat, el dispositiu pot arribar a sobreestimar la saturació d'oxigen en persones amb pell fosca, amagant hipòxies perilloses. S'ha mostrat que la probabilitat d'error és tres vegades més gran en pacients negres que en pacients blancs.

És clar que el problema del pulsioxímetre no és una casualitat, sinò que neix d’equips de disseny poc diversos. Però, per què no són diversos els equips?

Perquè dones com Cynthia McIntyre, s’enfronten a barreres específiques per accedir i mantenir-se en l’àmbit de l’electrònica i la física de semiconductors, barreres com la manca de referents (ella mateixa va explicar que la seva vocació va néixer en veure una fotografia de Shirley Ann Jackson a la revista Ebony). Sense referents visibles, moltes noies ni tan sols es plantegen estudiar física o enginyeria electrònica. Barreres també com les dificultats econòmiques i de classe, la soledat acadèmica de ser "l'única", "la primera" o "una de les poques".

Així doncs, si en el futur volem dispositius electrònics que funcionin de la mateixa manera per a tothom, cal que els equips que els dissenyen reflecteixin la diversitat de la societat, i això només s'aconsegueix eliminant aquestes barreres invisibles.

# data[].attributes.body
https://scholarship.law.columbia.edu/faculty_scholarship/3007/

https://en.wikipedia.org/wiki/Cynthia_Roberta_McIntyre

https://ouci.dntb.gov.ua/en/works/OlRjPjal/

https://www.hpcwire.com/people-watch-2013/cynthia-mcintyre/

https://www.washingtonpost.com/archive/local/1995/02/11/helping-black-students-picture-themselves-as-physicists/1d7b8f55-60c2-401d-833b-9a71c142f33d/

https://www.bmj.com/content/371/bmj.m4926

# data[].attributes.body
Laura Lemmo és física experimental italiana en la unitat d'investigació de la universitat de Salerno. Ha treballat al District IMAST Scarl, el districte italià de la enginyeria d'estructures i material de polímers, centrant-se en el diseny de polímers per a dispositius electrònics, i posteriorment ha treballat tres anys a ENEA, l'agència italiana de per al desenvolupament de nova tecnologia i energia sostenible. Actualment s'especialitza en la recerca de les propietats òptiques i elèctriques dels nanotubs, grafè, heterojuncions de semiconductors i materials 2D i les seves aplicacions en díodes, fotodetectors, cel·les solars i transistors d'efecte de camp, entre d'altres.

És autora de varis papers sobre l'electrònica física; l'estudi de transistors d'efecte de camp formats per un contacte de Schottky asimètric, l'ús d'estructures nanomètriques de MoS2 coma generadors d'emissió de camp, o com els nanocristalls de InP poden augmentar l'emissió de camp del grafè, i l'estudi de l'efecte de la llum i la temperatura sobre un fotodíode de de grafè/silici incorporat en un condensador MOS.

És important remarcar la importància del seu àmbit d'estudi, la investigació en materials que permeten fer dispositius cada cop més petits i compactes, per a així poder augmentar la capacitat i l'eficiència de tots els dispositius que sostenen la nostra vida quotidiana.

# data[].attributes.body
Tornem a una de les seves contribucions destacades: la participació en l'article "Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS₂ Field Effect Transistors” publicat al Advanced Functional Materials l’any 2018. En aquest treball s’analitzen transistors FET de MoS₂ bicapa amb contactes de titani i es mostra que aquests contactes formen barreres Schottky asimètriques, que condicionen fortament el transport electrònic del dispositiu. L’estudi també demostra que el transistor pot funcionar com a fotodetector, amb una responsivitat superior a 2,5 A/W sota llum blanca, i que fenòmens com la histèresi i la fotoconductivitat persistent provenen principalment del canal de MoS₂. Per què és destacable aquesta aportació? En els dispositius basats en materials 2D no n'hi ha prou amb tenir un bon material, també cal entendre com es comporten les interfícies metall-semiconductor, ja que aquests contactes poden limitar i modificar completament el funcionament dels dispositius. La recerca d’Iemmo contribueix a un problema central de la nanoelectrònica actual: transformar materials prometedors en dispositius reals, estables i útils per a aplicacions tecnològiques.

Bibliografia:

Di Bartolomeo, A., Grillo, A., Urban, F., Iemmo, L., Giubileo, F., Luongo, G., Amato, G., Croin, L., Sun, L., Liang, S.-J., & Ang, L. K. (2018). Asymmetric Schottky Contacts in Bilayer MoS₂ Field Effect Transistors. Advanced Functional Materials, 28(28), 1800657. https://doi.org/10.1002/adfm.201800657

International Physicists Network. (n.d.). Laura Iemmo. Retrieved May 26, 2026, from https://www.iphysnet.com/wp/staff-view/laura-iemmo/

ResearchGate. (n.d.). Laura Iemmo — Research profile. Retrieved May 26, 2026, from https://www.researchgate.net/profile/Laura-Iemmo

# data[].attributes.body
Finalment, des d’una perspectiva de gènere, és interessant remarcar que parlar de Laura Iemmo permet visibilitzar el paper de les dones en àrees de la física sovint molt masculinitzades, com la nanoelectrònica, la física experimental de materials i la tecnologia de semiconductors. La seva trajectòria mostra que les dones no només han participat en camps aplicats i experimentals, sinó que també han contribuït al desenvolupament de dispositius avançats basats en materials 2D. Aprendre sobre figures com Iemmo ajuda a trencar la imatge tradicional de la física com un espai majoritàriament masculí i permet ampliar els referents científics disponibles.