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Le memorie Flash possono essere distinte in due tipi di tecnologie principali: NOR e NAND

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Le memorie Flash possono essere distinte in due tipi di tecnologie principali: NOR e NAND

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Memoria Flash NOR
La tecnologia NOR, che prende il nome dal tipo di mappatura dei dati (Not OR), è una tecnologia Flash ad elevata velocità. Le memorie Flash NOR si caratterizzano per la capacità di accesso casuale ad elevata velocità, il che implica la possibilità di leggere e scrivere dati in specifiche posizioni della memoria, senza dover accedere alla memoria in modo sequenziale. A differenza della tecnologia Flash NAND, questa tecnologia consente di recuperare dati della dimensione di un singolo byte. La tecnologia Flash NOR è perfetta per applicazioni in cui i dati vengono recuperati o scritti in modo casuale ed è per questo che la si trova largamente impiegata negli smartphone (per la memorizzazione del sistema operativo del telefono) e nei PDA, oltre che nei computer dove è utilizzata per memorizzare il programma BIOS che fornisce le funzionalità di avvio

Memoria Flash NAND
La tecnologia Flash NAND è stata inventata dopo la tecnologia NOR ed anch’essa prende il nome dal tipo di mappatura dei dati (Not AND). Questa tecnologia legge e scrive dati ad elevata velocità, in modalità sequenziale e gestendo i dati in blocchi di piccole dimensioni (“pagine”). La tecnologia Flash NAND quindi è in grado di recuperare o scrivere dati raccolti in pagine, ma non può recuperare singoli byte, a differenza della tecnologia NOR. La memoria Flash NAND si trova quindi comunemente impiegata nei drive a stato solido, nei dispositivi Flash per audio e video, nei decoder televisivi, nelle fotocamere digitali, negli smartphone (per l’archiviazione dei dati) e in altri dispositivi mobili in cui i dati vengono generalmente scritti o letti in sequenza. Ad esempio, la maggior parte delle fotocamere digitali utilizzano memorie Flash NAND appunto perché le foto vengono di norma scattate ed archiviate in sequenza. Questa tecnologia si dimostra più efficiente anche per la lettura delle immagini, visto che è in grado di trasferire intere pagine di dati molto rapidamente. Come supporto di storage sequenziale, la memoria Flash NAND è ideale per lo storage dei dati. Questa tecnologia è più economica rispetto alla tecnologia NOR e permette capacità di storage maggiori a parità di piastrina.

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Wikipedia ITA

Wikipedia GB\USA

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Wikipedia ITA

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Impieghi flash memory

Attualmente esistono vari standard di scheda di memoria:

CompactFlash

SmartMedia

MultiMediaCard

Memory Stick

Secure Digital

MicroSD

xD-Picture Card

chiave USB

Tutti questi diversi dispositivi hanno come unico scopo quello di conservare, anche in assenza di alimentazione, delle informazioni in formato digitale. Ognuna di esse ha delle caratteristiche ben specifiche in termini di dimensioni e funzionalità. I produttori hanno tentato di realizzare dei dispositivi che siano di dimensioni ridotte, facili da utilizzare, e sufficientemente robusti.

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AND FlashHitachi ha introdotto un'altra tipologia di memoria, chiamata AND flash, che sembra sintetizzare i migliori aspetti delle NAND e delle NOR con alte velocità di cancellazione, basso consumo, blocchi di lettura e scrittura ridotti.

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La memoria flash (solid-state)

La memoria flash, anche chiamata flash memory, è una tipologia di memoria a stato solido, di tipo non volatile, che per le sue prestazioni può anche essere usata come memoria a lettura-scrittura.

Esistono principalmente due tipologie di memorie flash, dette NOR flash e NAND flash, che differiscono per l'architettura ed il procedimento di programmazione. Vi è anche una tipologia ibrida, la AND flash, che sfrutta le caratteristiche di entrambe le NOR e NAND.

Toshiba ha sviluppato memoria flash da EEPROM (cancellabile elettricamente programmabili memoria di sola lettura) nei primi anni 1980 e ha introdotto sul mercato nel 1984. Le singole celle di memoria Flash presentano caratteristiche simili a quelle interne delle porte corrispondenti.

Uno svantaggio fondamentale della memoria flash è che può sopportare solo un numero relativamente piccolo di cicli di scrittura in un blocco specifico. [1]

Esempi di applicazione di entrambi i tipi di memoria flash comprendono personal computer, palmari, lettori audio digitali, fotocamere digitali, telefoni cellulari, sintetizzatori, videogiochi, strumentazione scientifica, robotica industriale ed elettronica medica. Oltre ad essere non volatile, memoria flash offre tempi di accesso in lettura veloci, anche se non quanto RAM o ROM come statica.
La sua resistenza agli urti aiuta a spiegare la sua popolarità su hard disk nei dispositivi portatili, come fa la sua alta resistenza, capacità di resistere ad alta pressione, la temperatura e l'immersione in acqua, ecc.

Anche se la memoria flash è tecnicamente un tipo di EEPROM, il termine "EEPROM" è generalmente usato per riferirsi specificamente a EEPROM non Flash che è cancellabile in piccoli blocchi, tipicamente byte. la memoria flash ha un significativo vantaggio di velocità rispetto non Flash EEPROM durante la scrittura di grandi quantità di dati.
A partire dal 2013 la Memoria flash costa molto meno di EEPROM byte programmabile ed è diventata il tipo di memoria dominante, in quanto un sistema richiede una notevole quantità di storage a stato solido non volatile.

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La memoria flash (sia NOR e NAND tipi) è stato inventato da Fujio Masuoka mentre lavorava per Toshiba circa 1980. [ Secondo Toshiba, il nome di "flash" è stata suggerita da un collega di Masuoka, shoji Ariizumi, perché il processo di cancellazione dei contenuti della memoria gli ricordava il flash di una macchina fotografica. Masuoka e colleghi hanno presentato l'invenzione a IEEE 1984 Internazionale Electron Devices Meeting (IEDM) tenutasi a San Francisco.

Intel Corporation ha visto l'enorme potenziale dell'invenzione e ha introdotto il primo chip flash NOR commerciale tipo nel 1988