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Av=0.06/16.4=3.658E-3

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- Un valor de resistencia muy elevado
- La potencia es muy pequeña

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- Si GS es más negativa, se puede conseguir un transistor que se comporte como resistencia, cuyo valor es función de la tensión.
- Aplicaciones en Amplificadores con ganacias cuyos valores de tensión se puedan variar.
- Corriente que circula de puerta a fuente es muy pequeña

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TRANSISTOR EN LA ZONA DE CORTE

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TRANSISTOR EN LA ZONA ÓHMICA

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TRANSISTOR EN LA ZONA DE SATURACIÓN

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Yi=IDSQ(mA); X=VGSQ(V); B=Punto "Q"

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7.Solucione el circuito mostrado en la fig.2, dando el punto “Q” y la Ganancia deTensión. Explique las ventajas y desventajas que se logra; asimismo simule en orcadspice.

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7.Solucione el circuito mostrado en la fig.2, dando el punto “Q” y la Ganancia deTensión. Explique las ventajas y desventajas que se logra; asimismo simule en orcadspice.

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3. (Marín Mellado Eduardo) Trace la curva de salida Id vs Vds indicando los puntos de operación obtenidos. Indique la zona del transistor y la recta de carga en cada caso.

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3. (Marín Mellado Eduardo) Trace la curva de salida Id vs Vds indicando los puntos de operación obtenidos. Indique la zona del transistor y la recta de carga en cada caso.

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Denotaremos como Vgs a la tensión de estrangulamiento (Vp), obviando Vds

Un incremento de Vgs denota el caso más negativo del canal N, y se corta el mismo para un valor menor a Id.

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5. (Cusi Brayan) Dibuje la respuesta en frecuencia: Curva 20 log(Av) - vs - log(f). 

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5. (Cusi Brayan) Dibuje la respuesta en frecuencia: Curva 20 log(Av) - vs - log(f). 

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2. (Marín Mellado Eduardo) Trace la curva de transferencia Id-Vs–Vgs, indicando los puntos de operación de la tabla llenada y las rectas de polarización; obtenida de: Vgs = - ID Rs. De la curva, aproximar los datos del FET como son: IDSS y Vpo. Explique las observaciones que diera a lugar.

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2. (Marín Mellado Eduardo) Trace la curva de transferencia Id-Vs–Vgs, indicando los puntos de operación de la tabla llenada y las rectas de polarización; obtenida de: Vgs = - ID Rs. De la curva, aproximar los datos del FET como son: IDSS y Vpo. Explique las observaciones que diera a lugar.

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Vo = 0.460 V

VoMax = 1.25 V

Av = 2.125

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1. Presente las mediciones efectuadas, en el circuito original y en una hoja completa con todas las indicaciones. 

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1. Presente las mediciones efectuadas, en el circuito original y en una hoja completa con todas las indicaciones. 

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Sabemos que la ganancia es el cociente entre la señal de salida y la señal de entrada:
H=Vo/Vi
Observamos que:

- Con frecuencias menores a la de corte, la señal de salida será atenuada respecto a la señal de entrada. Se puede obtener la respuesta en frecuencia, sabiendo la amplitud del voltaje de entrada y la frecuencia con la que se trabajará, y también con ayuda de nuestra gráfica.
- En las mediciones obtenidas mayores a 50 Hz observamos que los valores de voltaje de salida son muy parecidos. Con un valor de frecuencia igual a 50Hz notamos una mayor diferencia con el resto, una disminución en la amplitud de la salida. Esta disminución se debe a que mientras más disminuya la frecuencia, esta se aproxima más a la frecuencia de corte, y por ende la amplitud disminuye.

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6. (Flores Starke Héctor) Explique la Ganancia obtenida en el paso 5.

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6. (Flores Starke Héctor) Explique la Ganancia obtenida en el paso 5.

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Antes de distorsionarse la onda, el JFET siempre permanecerá en la zona activa o de amplificación, la cual provoca una ganancia de tensión. De manera que con este valor de tensión se sabe hasta que nivel de voltaje se puede inyectar a la entrada sin que deforme la señal de salida.

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4. (Flores Starke Héctor) Explique por qué se limita Vo máx sin distorsión de señal.

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4. (Flores Starke Héctor) Explique por qué se limita Vo máx sin distorsión de señal.

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Supervisor de tiempo: Flores Starke Héctor
Encargado del material: Cusi Vásquez Brayan
Relator o comunicador: Marín Mellado Eduardo

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INTEGRANTES:

Chambi Jihuaña David          20171346C

Cusi Vásquez Brayan             20180276D

Flores Starke Héctor              20200297A

Marín Mellado Eduardo        20202136E

PROFESOR:
Alburqueque Guerrero, Ángel Luis